达林顿晶体管
内置温度补偿二极管
对于音频放大器应用
SAP
系列
特点
qBuilt式
温度补偿二极管和一个发射极电阻
QREAL
时间温度补偿
温度补偿二极管被安装在一个芯片上，并放置在芯片的中心至
直接检测温度的上升。
qElimination
空载电流的温度依赖性的
二极管的温度系数进行了优化，具有空载电流稳定;这样一
在传统的达林顿晶体管致命的故障模式，热失控，是可以避免的。
qSymmetrical
设计的PNP和NPN引脚
新的设计最小化的图案布局的长度，并且输出失真控制。
qDarlington
晶体管，温度补偿二极管和一个发射极电阻的
在一个封装中掺入，所以劳动零件插入以及零部件的数量是
减少。
排队
产品型号
SAP15P/SAP15N
SAP10P/SAP10N
SAP08P/SAP08N
P
C
(W)
150
100
80
V
首席执行官
(V )
160
150
150
I
C
(A)
15
12
10
h
FE
5000到20000
5000到20000
5000到20000
发射极电阻（ Ω ）
0.22
0.22
0.22
sExternal
DIMENTIONS
（单位：毫米）
15.4
±
0.3
9.9
±
0.2
3.2
±
0.2
5
±
0.2
4.5
±
0.2
1.6
±
0.2
sEquivalent
电路图
NPN
C
D
B
R： 70Ω典型。
PNP
E
发射极电阻
R
E
： 0.22Ω典型。
3.3
±
0.2
3.4max
a
b
2
±
0.1
(36°)
7
±
0.2
±
0.3
22
23
±
0.3
28
±
0.3
S
S
D
R： 70Ω典型。
发射极电阻
R
E
： 0.22Ω典型。
B
1
±
0.1
(41)
(2.5)
0.65
–0.1
0.8
–0.1
+0.2
+0.2
2.54
±
0.1
3.81
±
0.1
(7.62)
(12.7)
17.8
±
0.3
4
±
0.1
2.54
±
0.1
3.81
±
0.1
(18)
1.35
–0.1
+0.2
E
C
0.65
–0.1
+0.2
重量：约8.3克
一。产品型号
B 。批号
BD （C S） ê
（E S） C D B
应用信息
1.推荐工作条件
添加一个可变电阻（ VR）的二极管端子之间以调节空载电流。该
电阻器具有0到200Ω被使用。
调节流过二极管在2.5毫安的正向电流。
调整空载电流在40毫安与外部可变电阻器。
两个温度系数的晶体管和二极管在上述条件下是匹配的。
两个PNP型和NPN达林顿晶体管，所以总的4 Ⅴ的温度变化率
BE
晶体管是受赔偿。在NPN和5肖特基一个PN结二极管
势垒二极管在PNP是内置的，总六个二极管正在操作的温度补偿。
总二极管（其变量的值）的温度系数变得具有较大的正向小
电流（大约 - 0.2mV / ℃，至1mA ） ，总晶体管的系数（其变量的值）
也变得具有较大空转电流较小（约 - 在0.1mV / ℃，至10mA ），但是两个可变
值较小。
因此，所造成的不同的电流温度系数的失真很小，所以热
失控可能不会由于推荐的评分的变化发生;但是，实际操作中
是通过使用一种实验设备或电路板来确认。
+V
CC
NPN
B
C
S
D
2.5mA
D
E
E
40mA
外部变量
电阻器（ VR ）
（ 0 200Ω ）
S
B
C
–V
CC
PNP
2.外部可变电阻
总的正向电压（在我
F
= 2.5毫安）二极管被设计成等于或小于总Ⅴ的
BE
（在我
C
= 40毫安晶体管） ，从而需要的空载电流将在40毫安与另外的调节
外部可变电阻器。
的关系如下图所示：
总V
F
二极管
V=0
500mV的
总V
BE
晶体管+总V
RE
发射极电阻器的
在V
BE
晶体管是依赖于的H
FE
，和V
BE
低与较高的h1
FE
反之亦然。该
h
FE
两个PNP型和NPN 5k的和20k的之间变化;因此， V
BE
是最低的
的极大值h组合
FE
（ 2万），每个与它的最高与最低小时组合
FE
(5k)
每一个。
假设在V之间的电压差
F
二极管和V的
BE
晶体管（包括
总压降的两个发射极电阻器），为
V.
最小V
BE
=最大V
F
二极管的变化= 0
最大V
BE
=最小V
F
二极管的变化= 500mV的
电流流过二极管，并且VR被调整在2.5毫安;因此
500mV
2.5毫安= 200Ω
因此，适用的VR的值是在0 200Ω
V
BE
分钟。
（P和N ：H
FE
最大值）
I
C
V
BE
马克斯。
（P和N ：H
FE
分）
40mA
DI V
F
变化
V
BE
TR V
BE
变化
V
F
=500mV
温度补偿二极管3.特点
在几个温度补偿二极管被串联连接，所以正向电压变化与
小电流波动。因此，如果流过二极管的正向电流被设定在2.5毫安和
以上，正向电压升高，并且在最坏的组合，所述空转电流达到至40mA和过
与0Ω最低VR 。与此相反，在情况下，正向电流被设定在2.5毫安或以下时，怠速
目前可能达不到至40mA具有200Ω的最大VR 。
10.0
Ta=25°C
PN-迪
5.0
SBD
（ 5二极管合计）
PN - DI + SBD
I
F
（MA ）
1.0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
V
F
（毫伏）
I
F –
V
F
特征
4.并行推挽应用
空载电流的调整所需的并联推挽应用程序的每个电阻。一
侧的调整将导致因不同小时空载电流是不稳定的（跷跷板动作）
FE
.
以单独调节
内置的发射极电阻的5销毁容量
内置的电阻器制造为多硅芯片的SAP08P上/ N和一厚膜电阻是
用于SAP10P / N和SAP15P / N 。后者中，厚膜电阻器，具有较弱的破坏点
上的Pc区域（尤其是对大电流流动的区域），而不是该晶体管芯片本身。这是
如有超出安全工作区（ SOA）的区域。
但是，在评价像短路试验，其中所述电流超过保证值，它
可能导致之前的晶体管本身被破坏的发射极电阻将被破坏。
因此，操作该保护电路中的电流值（或时间）被设定为比低
分立器件配置。在汽车音响放大器，所述相同的方式如上面所述的应用
需要考虑的，因为大电流流过，在低阻抗。
此外，一旦晶体管落入热失控由于焊接失败到外部VR加入
二极管或其他故障的方式之间，作为最坏的情况下，有可能导致树脂裂纹或烟雾排放
由动火。阻燃模塑树脂时，和该产品的材料符合最
断绝标准UL94V0 。然而，建议在仔细考虑将一个保护
电路，并且所述保护电路应该在适当的时候被适当地设置。
如果在操作条件不匹配的收视率，其还建议对E （发射极
电阻器），终端应打开且所述外部发射极电阻器应加入到S （传感）
示终端，如下。 （然而，这并不适用于SAP08P / N，因为薄的内引线使用
对于S端子）。
I
C
晶体管的破坏点
厚膜电阻
破坏点
B
C
A.S.O.
曲线
S
D
外
发射极电阻
E
输出端子
V
CE
QQ：2880707522 复制
