高性能
8位CMOS单芯片微控制器
初步
SAB 80C515 / 80C515-16
SAB 80C535 / 80C535-16
SAB 80C515 / 80C535
CMOS微控制器与工厂掩膜可编程ROM
CMOS微控制器的外部ROM
q
布尔处理器
q
大多数指令在执行1
S（ 750纳秒）
q
4
s (3
S）乘法和除法
q
外部存储器可扩展至
q
q
q
q
q
q
q
8 K
×
8 ROM （ SAB 80C515只）
q
256
×
8 RAM
q
6个8位I / O端口，一个输入端口
q
q
q
q
q
q
数字或模拟输入
3个16位定时器/计数器
高度灵活的重载，捕获，比较
能力
全双工串行通道
十二个中断向量，四个优先
水平
8位A / D转换器， 8个复用
输入和可编程内部
参考电压
16位看门狗定时器
128千字节
与SAB 8051向后兼容
与SAB 80515功能兼容
空闲和掉电模式
塑料有引线芯片载体封装：
P-LCC-68
塑料公制四方扁平封装
P-MQFP-80
两种温度范围可供选择：
0至70℃
（ 12 ，16，20 MHz）的
- 4085 ℃（ 12 ， 16兆赫）
该SAB 80C515 / 80C535是西门子SAB 8051系列强大的会员
8位微控制器。它的目的是在西门子ACMOS技术和功能上
与设计MYMOS技术SAB八万○五百三十五分之八万○五百十五设备兼容。
该SAB 80C515 / 80C535是一个独立的，高性能的单芯片微控制器
基于对SAB 8051 / 80C51架构。同时保持所有的SAB 80C51工作
特点， SAB 80C515 / 80C535采用了几项增强功能，其中
显著增加设计的灵活性和整个系统的性能。
此外，西门子ACMOS技术的低功耗特性允许应用
功耗和耗散是至关重要的。此外， SAB 80C515 / 80C535具有
怠速和供电：减少活动对进一步降低功耗两种软件可选模式
掉电模式。
该SAB 80C535是相同的SAB 80C515不同之处在于它缺乏片上程序
内存。该SAB 80C515 / 80C535是在一个68引脚塑料有引线芯片载体封装提供
（P- LCC- 68），或在塑料公制四方扁平封装（P- MQFP -80） 。
有版本为12 ， 16和20 MHz的操作和用于16MHz的操作和用于扩展
温度范围 - 40 85℃ 。版本用于扩展温度范围 - 40 + 110℃
可应要求提供。
半导体集团
1
02.96
SAB 80C515 / 80C535
订购信息
TYPE
SAB 80C515 -N
SAB 80C535 -N
SAB 80C515 -N - T40 / 85
订购
CODE
Q67120-DXXXX
Q67120-C0508
Q67120-DXXXX
包
P-LCC-68
P-LCC-68
P-LCC-68
描述
8位CMOS微控制器
与掩膜可编程ROM ，
12兆赫
对于外部存储器， 12兆赫
与掩膜可编程ROM ，
12兆赫
分机。温度 - 40 + 85°C
对于外部存储器， 12兆赫
分机。温度 - 40 + 85°C
与掩膜可编程ROM ，
16兆赫
对于外部存储器， 16兆赫
对于外部存储器， 16兆赫
分机。温度 - 40 + 85°C
对于外部存储器， 20兆赫
对于外部存储器， 12兆赫
与掩膜可编程ROM ，
12兆赫
对于外部存储器， 12兆赫
分机。温度 - 40 + 85°C
与掩膜可编程ROM ，
12兆赫
分机。温度 - 40 + 85°C
SAB 80C535 -N - T40 / 85
SAB 80C515-16 -N
SAB 80C535-16 -N
SAB 80C535-16 -N-
T40/85
SAB 80C535-20 -N
SAB 80C535 -M
SAB 80C515 -M
SAB 80C535 -M- T40 / 85
SAB 80C515 -M- T40 / 85
Q67120-C0510
Q67120-DXXXX
Q67120-C0509
Q67120-C0562
Q67120-C0778
Q67120-C0857
Q67120-DXXXX
Q67120-C0937
Q67120-DXXXX
P-LCC-68
P-LCC-68
P-LCC-68
P-LCC-68
P-LCC-68
P-MQFP-80
P-MQFP-80
P-MQFP-80
P-MQFP-80
注意事项：
版本用于扩展温度范围 - 40 + 110℃的要求。
ROM类型（ DXXXX扩展名）的顺序号程序发布后的定义
客户（验证） 。
半导体集团
3
QQ：2881677436 复制
