128MB ： X4，X8 ， X16
DDR SDRAM
双倍数据速率
（ DDR ） SDRAM
PC1600和PC2100兼容
VDD = 2.5V + 0.2V ± ， VDDQ = 2.5V + 0.2V ±
双向数据选通（ DQS）发送/接收用
数据，即，源同步数据采集（ X16有两个 -
每个字节1 ）
内部，流水线双倍数据速率（DDR）架构;
每个时钟周期2的数据访问
差分时钟输入（ CK和CK ＃ ）
命令中输入的每个正CK边缘
DQS边沿对齐与读取数据;居中对齐
与写入数据
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
四大银行内部的并发操作
数据掩码（DM ），用于掩蔽写数据（ x16的有两个 -
每个字节1 ）
可编程的突发长度： 2 ， 4或8
自动预充电选项
自动刷新
长引脚TSOP提高可靠性（ OCPL ）
2.5V的I / O （ SSTL_2兼容）
时间 - 周期时间
7.5ns @ CL = 2.5 （ PC2100 ）
为10ns @ CL = 2.5 （ PC1600 ）
产品编号举例：
12月之前（部件编号
2004年，参照
第13页
用于解码）。
-75A
-8A
SAA16M8T95AV4TL-75A
选项：
家庭
SpecTek记忆
CON组fi guration
32梅格×4 （ 8梅格×4× 4银行）
梅格16 ×8（ 4梅格×8× 4组）
8梅格×16 （ 2梅格×16× 4组）
设计标识
DDR 128兆位设计
（呼叫SpecTek销售的细节
可用性“X”占位符）
电压和刷新
2.5V ，自动刷新
2.5V ，自动或自动刷新
塑料包装 - OCPL
66针TSOP
（ 400密耳的宽度， 0.65毫米引脚间距）
名称：
SAA
32M4
16M8
8M16
Yx6x
V4
R4
TL
PDF ： 09005aef80505d1b /来源： 09005aef80469e44
128MB ： X4，X8 ， X16 DDR SDRAM
冯： 2004年11月23日
1
www.spectek.com
SpecTek保留更改产品或规格的权利
恕不另行通知。
2001年， 2002年， 2004年SpecTek
128MB ： X4，X8 ， X16
DDR SDRAM
概述
128MB的DDR SDRAM是高速CMOS ，
动态随机存取存储器包含134217728位。
它在内部配置为四银行DRAM 。
128MB的DDR SDRAM采用的是双倍数据速率
体系结构来实现高速操作。双数据
率的架构本质上是一个2N-预取架构
一个接口用于传输每个时钟两个数据字
周期在I / O引脚。一个单一的读或写访问的
128MB DDR SDRAM有效地由一个单一的2n位的
在内部DRAM芯宽，一个时钟周期的数据传输
和两个对应的
n位
宽，一个半时钟周期的数据
传输的I / O引脚。
的双向数据选通（DQS ）被发送
外，伴随着数据，用于在所述数据采集使用
接收器。 DQS是由DDR SDRAM传输频闪
在读取和写入过程中的内存控制器。
DQS是边沿对齐进行数据读取和居中对齐
与写入数据。在X16提供有两个数据选通信号，
一个用于低位字节和一个用于高字节。
128MB的DDR SDRAM的差分工作
时钟（ CK和CK ＃ ） ; CK的交叉变为高电平，并
CK＃变低将被称为的正边缘
CK 。命令（地址和控制信号）被登记在
CK的每个上升沿。输入数据被登记在两个
DQS的边缘，和输出数据被引用到的两个边缘
DQS ，以及对照的两个边缘。
读取和写入访问到DDR SDRAM是迸发
导向;存取开始在一个选定的位置，并继续进行
在编程位置的设定的号码
序列。访问开始与Active注册
命令，然后接着读或写
命令。地址位注册暗合了
ACTIVE命令用于选择银行和行是
访问。地址位注册暗合了
读或写命令用于选择银行和
起始列位置的突发访问。
在DDR SDRAM提供了可编程只读或
写的2 ，4或8个位置脉冲串长度。自动
预充电功能可被使能，以提供一个自定时排
预充电时的突发访问结束时启动的。
与标准的SDR SDRAM芯片，所述流水线式
DDR SDRAM芯片的多组结构允许
并发操作，从而提供高有效
带宽隐藏行预充电和激活时间。
自动刷新模式设置，以及一个加电
节能省电模式。所有的输入都与兼容
JEDEC标准SSTL_2 。所有的全驱动强度输出
是SSTL_2 ， II级兼容。
注1 ：
该功能并讨论了时序规范
本数据手册是的DLL功能模式
操作。
注2 ：
在整个数据表，各种数字和文字
指的DQ为“ DQ ”的DQ的术语将被解释为
任何和所有的DQ的统称，除非特别说明
否则。
此外，该x16的被分成两个字节 - 的
低字节，高字节。对于低字节（ DQ0
通过DQ7 ） DM是指LDM和DQS是指
LDQS ;和高字节（ DQ8通过DQ15 ）的DM
指的是UDM和DQS是指UDQS 。
___________________________________________________
绝对最大额定值*
V
DD
电源电压
相对于V
SS
.....................................- 1V至+ 3.6V
V
DD
Q供应
电压相对于V
SS
......................... -1V至+ 3.6V
V
REF
与输入电压
相对于V
SS
.....................................- 1V至+ 3.6V
I / O引脚电压
相对于V
SS
..........................- 0.5V至V
DD
Q + 0.5V
工作温度，T
A
（环境） ..... ... 。 25 ° C至+ 70°C
存储温度（塑料） ... ... .......... -55 ° C至+ 150°C
功耗................................................ ..1W
短路输出电流............................. ... ..50mA
免责声明：
除本文件中明确规定，
SpecTek不作任何保证，明示或暗示，
包括但不限于任何默示保证
适销性或针对特定用途的。
对SpecTek的任何索赔必须在1制成
从今年出货从SpecTek日期，
SpecTek有此后不承担任何责任。任何法律责任是有限的
以更换有缺陷的项目或回报的
支付的有缺陷的项目（在买方选）量。在
任何情况下， SpecTek负责特殊，
间接，连带或附带损害，即使
SpecTek已被告知了这种可能性
损害赔偿。任何原因引起的依据SpecTek的责任
本规范应仅限于一般货币
在赔偿金额不超过总采购
包括在本说明书中所述的产品的价格，
不管形式在法律上或衡平法诉讼
可提起SpecTek 。
PDF ： 09005aef80505d1b /来源： 09005aef80469e44
128MB ： X4，X8 ， X16 DDR SDRAM
冯： 2004年11月23日
2
www.spectek.com
SpecTek保留更改产品或规格的权利
恕不另行通知。
2001年， 2002年， 2004年SpecTek
128MB ： X4，X8 ， X16
DDR SDRAM
DC电气特性和操作条件
（25℃ <牛逼
A
< + 70°C ; V
DD
= +2.5V ±0.2V, V
DD
Q = + 2.5V ± 0.2V ）
参数/条件
电源电压
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压（系统）
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
时钟输入电压电平; CK和CK ＃
时钟输入差分电压; CK和CK ＃
时钟输入交叉点电压; CK和CK ＃
输入漏电流
任何输入，
0V ＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
DD
, V
REF
脚0V < VIN < 1.35V
（所有其它引脚不被测= 0V ）
输出漏电流
（DQS被禁用;
0V ＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; V
DD
Q)
输出电平：
完整的驱动器选项 - X4，X8 ， X16
大电流（V
OUT
= V
DD
Q- 0.373V ，最小V
REF
，最小
V
TT
)
低电流（V
OUT
= 0.373V ，最大V
REF
，最大V
TT
)
输出电平：降低驱动器选项 - X16仅
大电流（V
OUT
= V
DD
Q- 0.763V ，最小V
REF
，最小
V
TT
)
低电流（V
OUT
= 0.763V ，最大V
REF
，最大V
TT
)
符号
V
DD
V
DD
Q
民
2.3
2.3
0.49 x垂直
DDQ
V
REF
– 0.04
V
REF
+ 0.15
-0.3
-0.3
0.36
1.15
-2
最大
2.7
2.7
0.51 x垂直
DDQ
V
REF
– 0.04
V
DD
+ 0.3
V
REF
– 0.15
V
DDQ
+ 0.3
V
DDQ
+ 0.6
1.35
2
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
笔记
41
41, 44
6, 44
7, 44
28
28
8
9
V
REF
V
TT
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
V
IN
V
ID
V
IX
I
I
I
OZ
I
OH
I
OL
-7
-16.8
16.8
7
--
--
μA
mA
mA
37, 39
I
高级代表办事处
I
OLR
-9
9
--
--
mA
mA
38, 39
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128MB ： X4，X8 ， X16
DDR SDRAM
AC输入工作条件
（25℃ <牛逼
A
< + 70°C ; V
DD
= +2.5V ±0.2V, V
DD
Q = + 2.5V ± 0.2V ）
参数/条件
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
时钟输入差分电压; CK和CK ＃
时钟输入交叉点电压; CK和CK ＃
I / O参考电压
符号
V
IH
(
AC
)
V
IL
(
AC
)
V
ID
(
AC
)
V
IX
(
AC
)
V
REF
(
AC
)
民
V
REF
+ 0.310
--
0.7
0.5× V
DDQ
– 0.2
0.49 x垂直
DDQ
最大
--
V
REF
– 0.310
V
DDQ
+ 0.6
0.5× V
DDQ
+ 0.2
0.51 x垂直
DDQ
单位
S
V
V
V
V
V
笔记
14, 28,
40
14, 28,
40
8
9
6
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128MB ： X4，X8 ， X16 DDR SDRAM
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恕不另行通知。
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128MB ： X4，X8 ， X16
DDR SDRAM
电容（ X4，X8 ）
（25℃ <牛逼
A
< + 70°C ; V
DD
Q = + 2.5V ± 0.2V ，V
DD
= +2.5V ±0.2V)
参数
三角洲输入/输出电容：的DQ ， DQS ， DM
三角洲输入电容：命令和地址
三角洲输入电容： CK ， CK ＃
三角洲输入电容：的DQ ， DQS ， DM
输入电容：命令和地址
输入电容： CK ， CK ＃
输入电容： CKE
符号
DC
IO
DC
I
1
DC
I
2
C
IO
C
I
1
C
I
2
C
I
3
民
--
--
--
4.0
2.0
2.0
2.0
最大
0.50
0.50
0.25
5.0
3.0
3.0
3.0
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
笔记
24
29
29
I
DD
规格和条件（ X4，X8 ）
（25℃ <牛逼
A
< + 70°C ; V
DD
Q = + 2.5V ± 0.2V ，V
DD
= +2.5V ±0.2V)
参数/条件
工作电流：一家银行;主动预充电;
t
RC =
t
RC （ MIN ） ;
t
CK -
t
CK （MIN） ; DQ ， DM和DQS输入每个时钟改变一次
周期;地址和控制输入的变化的每两个时钟周期;
工作电流：一家银行;主动读预充电;突发= 2;
t
RC =
t
RC （ MIN ） ;
t
CK -
t
CK （MIN） ;我
OUT
= 0毫安;地址和控制
输入每个时钟周期改变一次
预充电掉电待机电流：所有银行闲置;
掉电模式;
t
CK -
t
CK （MIN） ; CKE =低;
空闲待机CURRENNT ： CS ＃ =高;所有银行闲置;
t
CK -
t
CK
（MIN） ; CKE =高;地址和其它控制输入改变每一次
时钟周期。 V
IN
= V
REF
对DQ ， DQS ，和DM
ACTIVE POWER- DOWN待机电流：一是银行主动;
掉电模式;
t
CK -
t
CK （MIN） ; CKE =低
主动待机电流： CS ＃ =高; CKE =高;一家银行;
主动预充电;
t
RC =
t
RAS （MAX） ;
t
CK -
t
CK （MIN） ; DQ ， DM和
DQS输入每个时钟周期改变的两倍;地址和其他控制
输入每个时钟周期变化一次。
工作电流：胸围= 2 ;读取;可连拍;一家银行
活跃;地址和控制输入，每个时钟周期改变一次;
t
CK -
t
CK （MIN） ;我
OUT
= 0毫安
工作电流：胸围= 2 ;写;可连拍;一家银行
活跃;地址和控制输入，每个时钟周期改变一次;
t
CK -
t
CK （MIN） ; DQ ， DM和DQS输入每个时钟周期改变的两倍
t
自动刷新当前
RC = tRFC （ MIN ）
自刷新电流（部件号'R'只）
工作电流：四大行交错读取（ BL = 4）
自动预充电，
t
RC =
t
RC （ MIN ） ;
t
CK -
t
RC （ MIN ） ;地址和控制
输入过程中主动，只读改变，或写命令。
符号
I
DD
0
-75
105
-8
100
单位
mA
笔记
22, 48
I
DD
1
120
115
mA
22, 48
I
DD
2
P
I
DD
2
N
10
50
10
45
mA
mA
23, 32,
50
51
I
DD
3
P
I
DD
3
N
18
50
18
45
mA
mA
23, 32,
50
22
I
DD
4
R
120
110
mA
22, 48
I
DD
4
W
120
110
mA
22
I
DD
5
I
DD
7
I
DD
8
250
2
330
225
2
285
mA
mA
mA
22, 50
11
22, 49
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128MB ： X4，X8 ， X16 DDR SDRAM
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SpecTek保留更改产品或规格的权利
恕不另行通知。
2001年， 2002年， 2004年SpecTek
128MB ： X4，X8 ， X16
DDR SDRAM
双倍数据速率
（ DDR ） SDRAM
PC1600和PC2100兼容
VDD = 2.5V + 0.2V ± ， VDDQ = 2.5V + 0.2V ±
双向数据选通（ DQS）发送/接收用
数据，即，源同步数据采集（ X16有两个 -
每个字节1 ）
内部，流水线双倍数据速率（DDR）架构;
每个时钟周期2的数据访问
差分时钟输入（ CK和CK ＃ ）
命令中输入的每个正CK边缘
DQS边沿对齐与读取数据;居中对齐
与写入数据
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
四大银行内部的并发操作
数据掩码（DM ），用于掩蔽写数据（ x16的有两个 -
每个字节1 ）
可编程的突发长度： 2 ， 4或8
自动预充电选项
自动刷新
长引脚TSOP提高可靠性（ OCPL ）
2.5V的I / O （ SSTL_2兼容）
时间 - 周期时间
7.5ns @ CL = 2.5 （ PC2100 ）
为10ns @ CL = 2.5 （ PC1600 ）
产品编号举例：
12月之前（部件编号
2004年，参照
第13页
用于解码）。
-75A
-8A
SAA16M8T95AV4TL-75A
选项：
家庭
SpecTek记忆
CON组fi guration
32梅格×4 （ 8梅格×4× 4银行）
梅格16 ×8（ 4梅格×8× 4组）
8梅格×16 （ 2梅格×16× 4组）
设计标识
DDR 128兆位设计
（呼叫SpecTek销售的细节
可用性“X”占位符）
电压和刷新
2.5V ，自动刷新
2.5V ，自动或自动刷新
塑料包装 - OCPL
66针TSOP
（ 400密耳的宽度， 0.65毫米引脚间距）
名称：
SAA
32M4
16M8
8M16
Yx6x
V4
R4
TL
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128MB ： X4，X8 ， X16 DDR SDRAM
冯： 2004年11月23日
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SpecTek保留更改产品或规格的权利
恕不另行通知。
2001年， 2002年， 2004年SpecTek
128MB ： X4，X8 ， X16
DDR SDRAM
概述
128MB的DDR SDRAM是高速CMOS ，
动态随机存取存储器包含134217728位。
它在内部配置为四银行DRAM 。
128MB的DDR SDRAM采用的是双倍数据速率
体系结构来实现高速操作。双数据
率的架构本质上是一个2N-预取架构
一个接口用于传输每个时钟两个数据字
周期在I / O引脚。一个单一的读或写访问的
128MB DDR SDRAM有效地由一个单一的2n位的
在内部DRAM芯宽，一个时钟周期的数据传输
和两个对应的
n位
宽，一个半时钟周期的数据
传输的I / O引脚。
的双向数据选通（DQS ）被发送
外，伴随着数据，用于在所述数据采集使用
接收器。 DQS是由DDR SDRAM传输频闪
在读取和写入过程中的内存控制器。
DQS是边沿对齐进行数据读取和居中对齐
与写入数据。在X16提供有两个数据选通信号，
一个用于低位字节和一个用于高字节。
128MB的DDR SDRAM的差分工作
时钟（ CK和CK ＃ ） ; CK的交叉变为高电平，并
CK＃变低将被称为的正边缘
CK 。命令（地址和控制信号）被登记在
CK的每个上升沿。输入数据被登记在两个
DQS的边缘，和输出数据被引用到的两个边缘
DQS ，以及对照的两个边缘。
读取和写入访问到DDR SDRAM是迸发
导向;存取开始在一个选定的位置，并继续进行
在编程位置的设定的号码
序列。访问开始与Active注册
命令，然后接着读或写
命令。地址位注册暗合了
ACTIVE命令用于选择银行和行是
访问。地址位注册暗合了
读或写命令用于选择银行和
起始列位置的突发访问。
在DDR SDRAM提供了可编程只读或
写的2 ，4或8个位置脉冲串长度。自动
预充电功能可被使能，以提供一个自定时排
预充电时的突发访问结束时启动的。
与标准的SDR SDRAM芯片，所述流水线式
DDR SDRAM芯片的多组结构允许
并发操作，从而提供高有效
带宽隐藏行预充电和激活时间。
自动刷新模式设置，以及一个加电
节能省电模式。所有的输入都与兼容
JEDEC标准SSTL_2 。所有的全驱动强度输出
是SSTL_2 ， II级兼容。
注1 ：
该功能并讨论了时序规范
本数据手册是的DLL功能模式
操作。
注2 ：
在整个数据表，各种数字和文字
指的DQ为“ DQ ”的DQ的术语将被解释为
任何和所有的DQ的统称，除非特别说明
否则。
此外，该x16的被分成两个字节 - 的
低字节，高字节。对于低字节（ DQ0
通过DQ7 ） DM是指LDM和DQS是指
LDQS ;和高字节（ DQ8通过DQ15 ）的DM
指的是UDM和DQS是指UDQS 。
___________________________________________________
绝对最大额定值*
V
DD
电源电压
相对于V
SS
.....................................- 1V至+ 3.6V
V
DD
Q供应
电压相对于V
SS
......................... -1V至+ 3.6V
V
REF
与输入电压
相对于V
SS
.....................................- 1V至+ 3.6V
I / O引脚电压
相对于V
SS
..........................- 0.5V至V
DD
Q + 0.5V
工作温度，T
A
（环境） ..... ... 。 25 ° C至+ 70°C
存储温度（塑料） ... ... .......... -55 ° C至+ 150°C
功耗................................................ ..1W
短路输出电流............................. ... ..50mA
免责声明：
除本文件中明确规定，
SpecTek不作任何保证，明示或暗示，
包括但不限于任何默示保证
适销性或针对特定用途的。
对SpecTek的任何索赔必须在1制成
从今年出货从SpecTek日期，
SpecTek有此后不承担任何责任。任何法律责任是有限的
以更换有缺陷的项目或回报的
支付的有缺陷的项目（在买方选）量。在
任何情况下， SpecTek负责特殊，
间接，连带或附带损害，即使
SpecTek已被告知了这种可能性
损害赔偿。任何原因引起的依据SpecTek的责任
本规范应仅限于一般货币
在赔偿金额不超过总采购
包括在本说明书中所述的产品的价格，
不管形式在法律上或衡平法诉讼
可提起SpecTek 。
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128MB ： X4，X8 ， X16 DDR SDRAM
冯： 2004年11月23日
2
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SpecTek保留更改产品或规格的权利
恕不另行通知。
2001年， 2002年， 2004年SpecTek
128MB ： X4，X8 ， X16
DDR SDRAM
DC电气特性和操作条件
（25℃ <牛逼
A
< + 70°C ; V
DD
= +2.5V ±0.2V, V
DD
Q = + 2.5V ± 0.2V ）
参数/条件
电源电压
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压（系统）
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
时钟输入电压电平; CK和CK ＃
时钟输入差分电压; CK和CK ＃
时钟输入交叉点电压; CK和CK ＃
输入漏电流
任何输入，
0V ＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
DD
, V
REF
脚0V < VIN < 1.35V
（所有其它引脚不被测= 0V ）
输出漏电流
（DQS被禁用;
0V ＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; V
DD
Q)
输出电平：
完整的驱动器选项 - X4，X8 ， X16
大电流（V
OUT
= V
DD
Q- 0.373V ，最小V
REF
，最小
V
TT
)
低电流（V
OUT
= 0.373V ，最大V
REF
，最大V
TT
)
输出电平：降低驱动器选项 - X16仅
大电流（V
OUT
= V
DD
Q- 0.763V ，最小V
REF
，最小
V
TT
)
低电流（V
OUT
= 0.763V ，最大V
REF
，最大V
TT
)
符号
V
DD
V
DD
Q
民
2.3
2.3
0.49 x垂直
DDQ
V
REF
– 0.04
V
REF
+ 0.15
-0.3
-0.3
0.36
1.15
-2
最大
2.7
2.7
0.51 x垂直
DDQ
V
REF
– 0.04
V
DD
+ 0.3
V
REF
– 0.15
V
DDQ
+ 0.3
V
DDQ
+ 0.6
1.35
2
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
笔记
41
41, 44
6, 44
7, 44
28
28
8
9
V
REF
V
TT
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
V
IN
V
ID
V
IX
I
I
I
OZ
I
OH
I
OL
-7
-16.8
16.8
7
--
--
μA
mA
mA
37, 39
I
高级代表办事处
I
OLR
-9
9
--
--
mA
mA
38, 39
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128MB ： X4，X8 ， X16 DDR SDRAM
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DDR SDRAM
AC输入工作条件
（25℃ <牛逼
A
< + 70°C ; V
DD
= +2.5V ±0.2V, V
DD
Q = + 2.5V ± 0.2V ）
参数/条件
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
时钟输入差分电压; CK和CK ＃
时钟输入交叉点电压; CK和CK ＃
I / O参考电压
符号
V
IH
(
AC
)
V
IL
(
AC
)
V
ID
(
AC
)
V
IX
(
AC
)
V
REF
(
AC
)
民
V
REF
+ 0.310
--
0.7
0.5× V
DDQ
– 0.2
0.49 x垂直
DDQ
最大
--
V
REF
– 0.310
V
DDQ
+ 0.6
0.5× V
DDQ
+ 0.2
0.51 x垂直
DDQ
单位
S
V
V
V
V
V
笔记
14, 28,
40
14, 28,
40
8
9
6
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DDR SDRAM
电容（ X4，X8 ）
（25℃ <牛逼
A
< + 70°C ; V
DD
Q = + 2.5V ± 0.2V ，V
DD
= +2.5V ±0.2V)
参数
三角洲输入/输出电容：的DQ ， DQS ， DM
三角洲输入电容：命令和地址
三角洲输入电容： CK ， CK ＃
三角洲输入电容：的DQ ， DQS ， DM
输入电容：命令和地址
输入电容： CK ， CK ＃
输入电容： CKE
符号
DC
IO
DC
I
1
DC
I
2
C
IO
C
I
1
C
I
2
C
I
3
民
--
--
--
4.0
2.0
2.0
2.0
最大
0.50
0.50
0.25
5.0
3.0
3.0
3.0
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
笔记
24
29
29
I
DD
规格和条件（ X4，X8 ）
（25℃ <牛逼
A
< + 70°C ; V
DD
Q = + 2.5V ± 0.2V ，V
DD
= +2.5V ±0.2V)
参数/条件
工作电流：一家银行;主动预充电;
t
RC =
t
RC （ MIN ） ;
t
CK -
t
CK （MIN） ; DQ ， DM和DQS输入每个时钟改变一次
周期;地址和控制输入的变化的每两个时钟周期;
工作电流：一家银行;主动读预充电;突发= 2;
t
RC =
t
RC （ MIN ） ;
t
CK -
t
CK （MIN） ;我
OUT
= 0毫安;地址和控制
输入每个时钟周期改变一次
预充电掉电待机电流：所有银行闲置;
掉电模式;
t
CK -
t
CK （MIN） ; CKE =低;
空闲待机CURRENNT ： CS ＃ =高;所有银行闲置;
t
CK -
t
CK
（MIN） ; CKE =高;地址和其它控制输入改变每一次
时钟周期。 V
IN
= V
REF
对DQ ， DQS ，和DM
ACTIVE POWER- DOWN待机电流：一是银行主动;
掉电模式;
t
CK -
t
CK （MIN） ; CKE =低
主动待机电流： CS ＃ =高; CKE =高;一家银行;
主动预充电;
t
RC =
t
RAS （MAX） ;
t
CK -
t
CK （MIN） ; DQ ， DM和
DQS输入每个时钟周期改变的两倍;地址和其他控制
输入每个时钟周期变化一次。
工作电流：胸围= 2 ;读取;可连拍;一家银行
活跃;地址和控制输入，每个时钟周期改变一次;
t
CK -
t
CK （MIN） ;我
OUT
= 0毫安
工作电流：胸围= 2 ;写;可连拍;一家银行
活跃;地址和控制输入，每个时钟周期改变一次;
t
CK -
t
CK （MIN） ; DQ ， DM和DQS输入每个时钟周期改变的两倍
t
自动刷新当前
RC = tRFC （ MIN ）
自刷新电流（部件号'R'只）
工作电流：四大行交错读取（ BL = 4）
自动预充电，
t
RC =
t
RC （ MIN ） ;
t
CK -
t
RC （ MIN ） ;地址和控制
输入过程中主动，只读改变，或写命令。
符号
I
DD
0
-75
105
-8
100
单位
mA
笔记
22, 48
I
DD
1
120
115
mA
22, 48
I
DD
2
P
I
DD
2
N
10
50
10
45
mA
mA
23, 32,
50
51
I
DD
3
P
I
DD
3
N
18
50
18
45
mA
mA
23, 32,
50
22
I
DD
4
R
120
110
mA
22, 48
I
DD
4
W
120
110
mA
22
I
DD
5
I
DD
7
I
DD
8
250
2
330
225
2
285
mA
mA
mA
22, 50
11
22, 49
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