polyfet射频器件
SA702
概述
硅VDMOS和LDMOS
晶体管专
宽带RF应用。
适合Militry收音机,
移动和寻呼放大器基地
站,广播FM / AM , MRI ,
激光驱动器等。
"Polyfet"工艺特点
较低的反馈和输出电容
导致高F音
t
晶体管高
输入阻抗和高效率。
TM
硅栅增强型
射频功率VDMOS晶体管
50.0瓦单端
包装样式AA
高效率,线性
高增益,低噪声
o
绝对最大额定值(T = 25℃ )
总
设备
耗散
110瓦
结到
热病例
阻力
o
1.40 C / W
最大
连接点
温度
o
200 C
存储
温度
o
o
-65 ℃150℃
直流漏
当前
漏
门
电压
70 V
漏
来源
电压
70 V
大门
来源
电压
20 V
6.5 A
射频特性(
符号
全球定位系统
参数
共源功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
民
13
85
典型值
50.0瓦的输出)
最大
单位
dB
%
20:1
测试条件
IDQ = 0.40 , VDS =
28.0
V,F =
IDQ = 0.40 , VDS =
28.0
V,F =
175
兆赫
175
兆赫
η
VSWR
相对IDQ = 0.40 , VDS =
28.0
V,F =
175
兆赫
电气特性(每边)
符号
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS
gM
RDSON
Idsat
西塞
CRSS
科斯
参数
漏极耐压
零偏置漏电流
栅极漏电流
栅极偏置的漏电流
正向跨导
饱和电阻
饱和电流
共源输入电容
共源反馈电容
共源输出电容
1
2.4
0.50
14.00
100.0
6.0
64.0
民
65
2.0
1
7
典型值
最大
单位
V
mA
uA
V
姆欧
欧姆
AMP
pF
pF
pF
测试条件
IDS = 40.00毫安, VGS = 0V
VDS = 28.0 V, VGS = 0V
VDS = 0V VGS = 30V
IDS = 0.20 A, VGS = Vds的
VDS = 10V , VGS = 5V
VGS = 20V , IDS = 5.00
VGS = 20V , VDS = 10V
VDS = 28.0 VGS = 0V , F = 1兆赫
VDS = 28.0 VGS = 0V , F = 1兆赫
VDS = 28.0 VGS = 0V , F = 1兆赫
polyfet射频器件
修订04/10/2001
1110马路Acaso ,加利福尼亚州Camarillo 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com
SA702
POUT VS PIN GRAPH
SA702引脚VS噘频率= 175MHz时,
VDS = 28V , IDQ = .4A
70
60
50
40
14.00
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
PIN (瓦)
10
电容VS电压
S1A 2 DICE电容
17.00
1000
16.00
西塞
噘
15.00
100
科斯
收益
效率@ 50W = 85 %
13.00
12.00
1
0
5
10
15
CRSS
11.00
20
25
30
以伏VDS
IV曲线
S1A 2 DIE四
16
14
12
ID为安培
10
8
6
4
2
0
0
2
vg=2v
4
6
Vg=4v
8
10
12
VDS
Vg=6v
INVOLTS
vg=8v
14
0
16
18
vg=12v
20
ID & GM VS VGS
100.00
S1A 2 DIE ID & GM VS VG
Id
ID安培;通用汽车在姆欧
10.00
1.00
gM
0.10
0
2
4
6
8
VGS的电压
10
12
14
寻ZOUT
IN吋包装尺寸
公差.XX +/- 0.01
.XXX +/- 。 005英寸
polyfet射频器件
修订04/10/2001
1110马路Acaso ,加利福尼亚州Camarillo 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com
飞利浦半导体公司的射频通信产品
产品speci fi cation
除以: 64/65/72三模低功耗
ECL预分频器
SA702
DC电气特性
符号
V
CC
I
CC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
IH
I
IL
参数
电源电压范围
电源电流
输出高电平
输出低电平
MC1输入高门槛
MC1输入门槛低
MC2输入高门槛
MC2输入门槛低
MC1输入大电流
MC1输入低电平电流
MC2输入大电流
MC2输入低电平电流
下面的DC规格是有效的对于T
A
= 25
°
C和V
CC
= 3.0V ;除非另有说明。测试电路如图1所示。
测试条件
民
f
IN
= 1GHz的输入电平为0dBm =
空载
I
OUT
= 1.2毫安
V
CC
-1.4
V
CC
-2.6
2.0
–0.3
2.0
–0.3
V
MC1
= V
CC
= 6V
V
MC1
= 0V, V
CC
= 6V
V
MC2
= V
CC
= 6V
V
MC2
= 0V, V
CC
= 6V
–100
–100
0.1
–30
0.1
–30
50
V
CC
0.8
V
CC
0.8
50
2.7
4.5
范围
典型值
最大
6.0
V
mA
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
单位
AC电气特性
符号
V
IN
f
IN
R
ID
V
O
t
S
t
H
t
PD
输入信号
参数
振幅
1
这些交流规范是有效的对于f
IN
= 1GHz的输入电平为0dBm = ,V
CC
= 3.0V和T
A
= 25
°
℃;除非另有说明。测试电路图。 1 。
测试条件
民
1000pF的输入耦合
直接耦合
输入
2
1000pF的输入耦合
差分输入电阻
输出电压
模数设置
模量保持
时间
1
10
DC测量
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 3.0V
时间
1
5
1.6
1.2
5
0
0.05
0
输入信号频率
范围
典型值
最大
2.0
1.1
1.1
V
P-P
GHz的
GHz的
k
V
P-P
V
P-P
ns
ns
ns
单位
传播时间
注意事项:
1.最大限值没有测试,但是,它是通过设计和特性保证。
2.对于f
IN
<的50MHz , 32V / μs的最小输入转换率是必需的。
操作描述
在SA702包括分频器
利用除法电路来实现由4或5个
同步分频,然后用5级
同步计数器,请参阅BLOCK
图。正常操作模式为
MC1 (模数控制)来设置高
MC2的输入被设定为低在这种情况下
电路包括一个除以64。鸿沟
由65 MC1葛被拉低,从而引起
预分频器电路由5切换到鸿沟
操作的最后一个周期
同步计数器。对于由72 MC2鸿沟
被设置为高配置预分频器分
4 ,计数器由18.真理来划分
表的模量值给出如下:
表1中。
系数
64
65
72
72
MC1
1
0
0
1
MC2
0
0
1
1
降低输入电流。 CMOS低
电压接口功能是允许的。
预分频器的输入是差分和ECL
兼容。输出为差分ECL
兼容。
为了最大限度地减少传输延迟的影响,
所述第二分频电路是同步到
在分频4/5级输出。
预分频器的输入为正边沿敏感,
并且在最后的计数输出是降
传播延迟吨边缘
PD
相对于
的输入。输出的上升沿
发生在数32延时T
PD
.
在MC1和MC2输入是TTL
在操作兼容的输入阈值
1993年6月17日
4