飞利浦半导体公司的射频通信产品
产品speci fi cation
可编程模拟扩
NE/SA572
框图
R1
(7,9)
6.8k
(6,10)
500
增益单元
G
(5,11)
(1,15)
(3,13)
–
+
270
10k
整流器器
–
+
卜FF器
10k
(16)
附：
(8)
(4,12)
(2,14)
DC电气特性
标准测试条件下（除非另有说明）V
CC
= 15V ，T
A
= 25°C ;扩张器模式（见测试电路） 。在单位增益电平输入信号（ 0分贝）
= 100mV的
RMS
在1kHz ; V
1
= V
2
; R
2
= 3.3kΩ的;
3
= 17.3k.
符号
V
CC
I
CC
V
R
THD
THD
THD
参数
电源电压
电源电流
内部参考电压
总谐波失真
（修剪）
总谐波失真
（修剪）
总谐波失真
（修剪）
无信号输出噪声
DC电平位移（修剪）
单位增益级
大信号失真
跟踪误差（测
相对于在单位重视
增益） =
[V
O
–V
O
（增益）分贝
–V
2
dB
信道串扰
PSRR
电源抑制岭
TIO
200mV
RMS
进入通道A ，测
通道B输出
120Hz
60
70
整流器输入
V
2
= + 6分贝V
1
=0dB
V
2
= -30dB V
1
=0dB
±0.2
±0.5
–1.5
+0.8
60
70
±0.2
±0.5
–2.5
+1.6
dB
dB
dB
V
1
=V
2
=400mV
1kHz的
A
=1.0F
1kHz的
R
=10F
100Hz
输入到V
1
和V
2
接地
(20–20kHz)
在没有信号输入的变化
100mV
RMS
–1
无信号
2.3
2.5
0.2
0.05
0.25
6
±20
0
0.7
25
±50
+1
3.0
–1.5
测试条件
民
6
NE572
典型值
最大
22
6
2.7
1.0
2.3
2.5
0.2
0.05
0.25
6
±20
0
0.7
25
±50
+1.5
3
民
6
SA572
典型值
最大
22
6.3
2.7
1.0
V
DC
mA
V
DC
%
%
%
V
mV
dB
%
单位
1987年10月7日
3
飞利浦半导体公司的射频通信产品
产品speci fi cation
可编程模拟扩
NE/SA572
V
T
I
n
1
I
)
2
G
1
I
2
O
I
S
V
IN
R
1
*
V
T
I
n
1
I
*
2
G
1
I
2
O
V+
I
S
在那里我
IN
+
R
1
= 6.8k
I
1
= 140A
I
2
= 280A
V
T
I
n
I
1
)
I
S
I
IN
*
V
T
I
n
I
2
*
I
1
*
I
S
I
IN
1
I
)
2
G
1
I
2
O
(2)
A1
+
Q
3
–
I
1
140A
在那里我
IN
V
IN
+
R
1
I
O
R
1
= 6.8k
I
1
= 140A
I
2
= 280A
I
O
是增益的差分输出电流
单元和I
G
是的增益控制电流
增益单元。
如果所有的晶体管Q
1
通过Q
4
是的
相同的大小， （2）式可以简化为：
2
@
I
2
1
I
*
I
2 2
Q
4
Q
1
Q
2
R1
6.8k
I
G
THD
TRIM
V
REF
I
2
280A
V
IN
I
O
+
I
IN
@
I
G
*
2I
1
@
I
G
(3)
图1.基本增益单元示意图
内部偏置方案限制了最大
输出电流I
R
是大约300μA 。在一个
±1dB
错误波段整流器的输入范围
约52分贝。
等式3中的第一项表示
一个线性两个乘法关系
象限跨导放大器。该
第二项是增益控制馈通
由于设备的不匹配。在
设计中，这已被最小化由大
匹配的设备和精心的布局。抵消
电压所引起的器件不匹配
并将其引导到偶次谐波失真。该
偏移电压可以修剪出由馈送
内的电流源
±25A
进入THD
修剪脚。
残留畸变是三次谐波
失真并且是由增益控制
纹波。在扩系统，可
的快速攻击和缓慢复苏的控制
显著改善纹波失真。在
为100mV的单位增益级，增益单元提供
0.17 ％ （典型值）的THD （总谐波失真） 。
输出噪声，无输入信号只有6μV
在音频频谱（ 10Hz的- 20kHz的） 。该
输出电流I
O
必须喂虚拟接地
一运算放大器具有一输入
电阻从输出到反相输入端。该
操作的非反相输入端
放大器具有在V上偏置
REF
如果
输出电流I
O
是直流耦合的。
整流器器
整流器是全波的设计，如图
图2的输入电压被转换为
电流通过输入电阻R
2
和
打开任一Q
5
或Q
6
视
信号的极性。的电压的死区
电流转换器减小环路增益
增益模块A的
2
。如果使用AC耦合，
只有整流误差来源于输入偏置
电流增益模块A的
2
。输入偏置
电流通常为约70nA 。频率
增益模块A的反应
2
也导致
二阶误差在高频率。该
Q的集电极电流
6
被镜像和
总结在Q的集电极
5
以形成完整的
波整流后的输出电流I
R
。整流器
传递函数是
I
R
+
V
IN
*
R
2
V
REF
(4)
如果V
IN
被交流耦合时，方程将是
简化为：
I
RAC
+
V
IN
(
AVG
)
R
2
1987年10月7日
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
可编程模拟扩
SA572
框图
R1
(7,9)
6.8k
(6,10)
500
增益单元
G
(5,11)
(1,15)
(3,13)
–
+
270
10k
整流器器
–
+
卜FF器
10k
(16)
附：
(8)
(4,12)
(2,14)
SR00695
图2.框图
DC电气特性
标准测试条件下（除非另有说明）V
CC
= 15V ，T
A
= 25°C ;扩张器模式（见测试电路） 。
在单位增益电平输入信号（ 0分贝） = 100mV的
RMS
在1kHz ; V
1
= V
2
; R
2
= 3.3kΩ的;
3
= 17.3k.
SA572
符号
V
CC
I
CC
V
R
THD
THD
THD
参数
电源电压
电源电流
内部参考电压
总谐波失真（修剪）
总谐波失真（修剪）
总谐波失真（修剪）
无信号输出噪声
DC电平位移（修剪）
单位增益级
大信号失真
追踪误差
（在单位测得的相对值
i )
V（团结I） ]分贝V
增益） = [V
O
–V
O
（它的增益）分贝-V
2
dB
信道串扰
PSRR
电源抑制比
V
1
=V
2
=400mV
整流器输入
V
2
= + 6分贝V
1
=0dB
V
2
= -30dB V
1
=0dB
200mV
RMS
进入通道A ，
通道B上测得的输出
120Hz
60
70
1kHz的
A
=1.0F
1kHz的
R
=10F
100Hz
输入到V
1
和V
2
接地（ 20-20KHZ ）
从没有信号到100mV的输入变化
RMS
–1.5
无信号
2.3
2.5
0.2
0.05
0.25
6
±20
0
0.7
±0.2
±0.5
测试条件
民
6
典型值
最大
22
6.3
2.7
1.0
V
DC
mA
V
DC
%
%
%
V
mV
dB
%
dB
dB
dB
dB
单位
25
±50
+1.5
3
–2.5, +1.6
1998年11月3日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
可编程模拟扩
SA572
测试电路
1F
22F
2.2F
V
1
(7,9)
6.8k
G
(5,11)
82k
1%
R
3
17.3k
+
100
–15V
–
5
= 10F
卜FF器
1k
(4,12)
(8)
+
2.2F
(2,14)
2.2k
(6,10)
+
270pF
NE5234
V
0
(1,15)
2.2F
V
2
R
2
1%
3.3k
(3,13)
整流器器
(16)
+
.1F
22F
+15V
SR00696
图3.测试电路
音频信号处理IC结合VCA
和快速攻击/恢复缓慢LEVEL
传感器
在高性能的音频增益控制的应用程序，理想的是
独立地控制增益的攻击和恢复时间
控制信号。这是真实的，例如，在压扩器的应用
为降低噪声。在高端系统的输入信号通常是
分成两个或多个频段，以优化动态
行为对于每个频带。这减少了由于低频失真
控制信号的纹波，相位失真，高频通道
过载和噪声调制。由于费用的
硬件，多带信号处理到现在被限制在
专业音频应用。
通过引入西格尼蒂克SA572的这款高性能
降噪概念，成为消费者的高保真可行
应用程序。该SA572是一款双通道增益控制IC 。每
信道具有一个线性化，温度补偿增益单元和一个
改进的液位传感器。在与外部低噪声运算结合
放大器进行电流 - 电压变换，该VCA的具有低
失真，低噪声和宽动态范围。
新颖的电平传感器，该传感器提供的增益控制电流为
VCA给出较低的增益控制纹波和快速独立控制
攻击，恢复慢的动态响应。攻击电容C
A
有内部10K电阻R
A
定义了攻击时间t
A
。该
恢复时间t
R
一个音爆是由回收电容定义
C
R
和一个10K的电阻R
R
。为4ms典型的攻击时间
高频频谱和40ms的用于低频带
可以用0.1μF和1.0μF电容攻击来获得，
分别。可以用一个4.7μF获得200毫秒的恢复时间
回收用的电容器为100Hz的信号，第三次谐波失真
是在简单的RC滤波器纹波与10dB以上改善
一个1.0μF的攻击和恢复电容，而进攻时间
仍然是相同的。
在SA572组装在一个标准的16脚双列直插式塑料
封装和超大SOL包。它运行在一个很宽
电源电压范围6V至22V 。电源电流小于6毫安。该
SA572的设计应用温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。
1998年11月3日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
可编程模拟扩
SA572
SA572的基本应用
描述
在SA572由两个线性化，温度补偿
增益单元（△G ） ，每一个全波整流器和缓冲放大器
如图所示的框图。这两个通道共享一个2.5V
从电源但另有来自共用偏置参考
独立运作。由于固有的低失真，低噪音
和能力来线性大的信号，很宽的动态范围
可制得。设置在缓冲放大器，以允许控制
的起始时间和相互独立的恢复时间。
划分如图所示的框图，该IC可灵活
系统级别优化的直流偏移，纹波失真的设计，
跟踪精度和噪声基底为广泛应用的
要求。
V
T
I
n
I
1
)
I
IN
I
S
*
V
T
I
n
I
2
*
I
1
*
I
IN
I
S
(2)
在那里我
IN
+
V
IN
R
1
R
1
= 6.8k
I
1
= 140A
I
2
= 280A
I
O
是增益单元和I的差分输出电流
G
是增益
增益单元的控制电流。
如果所有的晶体管Q
1
通过Q
4
大小相同的，式（2）
可以简化的，以：
I
O
+
2
1
@
I
IN
@
I
G
*
I
*
2I
1
@
I
G
I
2
I
2 2
(3)
增益单元
图4示出了增益单元的电路结构。的基础
差分对Q
1
-Q
2
和Q
3
-Q
4
都被连接到输出端和
OPA A的输入
1
。通过Q的负反馈
1
持有V
BE
Q的
1
-Q
2
和V
BE
Q的
3
-Q
4
平等的。下列关系可
从晶体管模型公式中的正向活性衍生
区。
DV
BE
Q3Q4
+
D
BE
Q1Q2
等式3中的第一项示出了乘法器的关系
线性2象限跨导放大器。第二个
术语是增益控制馈电引线由于设备的不匹配。
在设计上，这已经被最小化的大型配套设备
和精心的布局。偏移电压所引起的器件不匹配
并将其引导到偶次谐波失真。偏移电压可
修剪出由供给内的电流源
±25A
进入THD
修剪脚。
残留畸变是三阶谐波失真，并引起
增益控制纹波。在扩系统，可快速控制
攻击和缓慢复苏改善纹波失真显著。在
为100mV的单位增益级别，该增益单元给出THD （总谐波
失真0.17 ％典型值） 。输出噪声，无输入信号只
6μV在音频频谱（ 10Hz的- 20kHz的） 。输出电流I
O
必须送入运算放大器的虚地输入了
电阻从输出到反相输入端。的非反相输入
运算放大器具有在V上偏置
REF
如果输出电流
I
O
是直流耦合的。
(V
BE
= V
T
I
IN
IC / IS ）
V
T
I
n
1
1
I
)
I
O
2
2
G
I
S
V
IN
R
1
*
V
T
I
n
1
1
I
*
I
O
2
2
G
I
S
在那里我
IN
+
R
1
= 6.8k
I
1
= 140A
I
2
= 280A
V+
1
1
I
)
I
2
O
2
G
I
1
140A
I
O
+
Q
3
A1
–
Q
2
Q
4
Q
1
R1
6.8k
I
G
THD
TRIM
V
REF
I
2
280A
V
IN
SR00697
图4.基本增益单元示意图
1998年11月3日
5
SA572
可编程模拟
扩
该SA572是一款双通道，高性能的增益控制
电路，其中任一通道可用于动态范围
压缩或扩展。每个通道都有一个全波整流器对
检测输入信号，线性化，温度的平均值
补偿可变增益单元（ DG）和动态时间常数
缓冲区。缓冲区允许的动态攻击的独立控制和
用最少的外部组件和改进的低恢复时间
频率增益控制纹波失真比以前扩器。
在SA572旨在用于高性能降噪
音响系统。它也可以在宽范围的通信中使用
系统和视频记录应用。
特点
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
16
16
1
SOIC -16 WB
后缀
CASE 751G
SA572D
AWLYYWWG
攻击和恢复时间独立控制
提高低频增益控制纹波
互补增益压缩和膨胀与
外部运算放大器
宽动态范围
大于110分贝
温度补偿增益控制
低失真增益单元
低噪音
6.0
mV
典型
宽电源电压范围
6.0 V-22 V
系统级可调的外部元件
无铅包可用*
16
1
16
SA572N
AWLYYWWG
1
16
SA
572
ALYW
G
G
1
1
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
16
1
TSSOP16
DTB后缀
CASE 948F
应用
动态降噪系统
电压控制放大器
立体声扩展器
自动电平控制
高级别限
低级别的噪声门
状态变量滤波器
A
=大会地点
WL
=晶圆地段
YY
=年
WW
=工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚连接
D，N ， DTB包*
TRACK修剪1
RECOV 。 CAP A 2
RECT 。在一个3
攻击CAP A 4
DG
OUT A 5
THD TRIM A 6
DG
IN A 7
GND 8
16
V
CC
15 TRACK TRIM B
14 RECOV 。 CAP B
13 RECT 。 IN B
12 ATTACK CAP B
11
DG
OUT B
10 THD TRIM B
9
DG
IN B
* D包发布的唯一的大型SO （ SOL ）封装。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术参考
手动， SOLDERRM / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
第2版
1
出版订单号：
SA572/D
SA572
最大额定值
等级
电源电压
工作温度范围
工作结温
功耗
热阻，结到环境
N包装
包
DTB套餐
符号
V
CC
T
A
T
J
P
D
R
qJA
价值
22
40
+85
150
500
75
105
133
单位
V
DC
°C
°C
mW
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
在单位增益平（0 dB ） = 100 mV的信号
RMS
1.0 kHz时; V
1
= V
2
; R
2
= 3.3千瓦;
3
= 17.3千瓦，除非另有说明。
特征
电源电压
电源电流
内部参考电压
总谐波失真（修剪）
总谐波失真（修剪）
总谐波失真（修剪）
无信号输出噪声
DC电平位移（修剪）
单位增益级
大信号失真
追踪误差
（在单位增益测量相对值） =
[V
O
V
O
（增益） dB的-V
2
dB
信道串扰
符号
V
CC
I
CC
V
R
THD
THD
THD
测试条件
无信号
1.0千赫，C
A
= 1.0
mF
1.0千赫，C
R
= 10
mF
100赫兹
输入到V
1
和V
2
接地（ 20-20千赫）
从任何输入变化
信号为100mV
RMS
V
1
= V
2
= 400毫伏
整流器输入
V
2
= 6.0分贝，V
1
= 0分贝
V
2
=
30
分贝，V
1
= 0分贝
200毫伏
RMS
INTO
通道A ，测
通道B输出
PSRR
120赫兹
民
6.0
2.3
1.5
60
典型值
2.5
0.2
0.05
0.25
6.0
"20
0
0.7
"0.2
"0.5
DC电气特性
标准测试条件下，V
CC
= 15 V ，T
A
= 25°C ;扩张器模式（见测试电路） 。输入
最大
22
6.3
2.7
1.0
25
"50
+1.5
3.0
单位
V
DC
mA
V
DC
%
%
%
mV
mV
dB
%
dB
dB
dB
2.5,
+1.6
电源抑制比
1mF
1%
R
3
70
100W
+
22mF
dB
15V
2.2mF
V
1
(7,9)
6.8kW
DG
(5,11)
82kW
17.3kW
5W
C
R
= 10MF
(2,14)
(6,10)
卜FF器
1kW
+
2.2k
+
2.2mF
270pF
NE5234
V
0
(4,12)
C
A
= 1MF
(8)
(1,15)
2.2mF
V
2
3.3KW （ 3,13）
R
2
1%
整流器器
(16)
0.1mF
+15V
+
22mF
图2.测试电路
http://onsemi.com
3
QQ：2881677436 复制
