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集成电路
SA56614-XX
CMOS系统复位
产品数据
取代2001年的数据04月24日
在集成电路的文件,标准模拟
2001年6月19日
飞利浦
半导体
飞利浦半导体
产品数据
CMOS系统复位
SA56614-XX
概述
该SA56614 - XX是一个CMOS器件设计成产生一个复位
信号为各种微处理器和逻辑系统。准确
复位过程中瞬间停电产生的信号,
或当电源电压跌落到无法忍受的水平。
可从设备的多个复位阈值的版本。一
图腾柱输出拓扑结构结合,以提供电流
供应和吸收能力给用户。
SA56614 -XX可在SOT23-5表面贴装封装。
特点
12 V
DC
最大工作电压
低工作电压( 0.65 V)
图腾柱输出CMOS
提供的复位门限
提供SOT23-5表面贴装封装
简化的系统框图
V
DD
2 V
DD
应用
2.0, 2.7, 2.8, 2.9, 3.0, 3.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5, 4.6, 4.7 V
DC
微机系统
逻辑系统
电池监控系统
后备电源电路
电压检测电路
V
DD
NE56614-XX
R
V
OUT
RESET
中央处理器
V
REF
R
R
1
V
SS
3 V
SS
V
SS
SL01343
图1.简化的系统框图。
2001年6月19日
2
853–2248 26559
飞利浦半导体
产品数据
CMOS系统复位
SA56614-XX
订购信息
类型编号
SA56614-XXGW
名字
SOT23-5 , SOT25 , SO5
描述
塑料小外形封装; 5线索(见尺寸图)
温度
范围
-40至+85
°C
注意:
该器件具有12检测电压的选择,通过所指示的
XX在“数量型” 。
XX
20
27
28
29
30
31
42
43
44
45
46
47
检测电压(典型值)
2.0 V
2.7 V
2.8 V
2.9 V
3.0 V
3.1 V
4.2 V
4.3 V
4.4 V
4.5 V
4.6 V
4.7 V
部件号标记
每个包标有四个字母的代码。前三
字母代表该产品。第四个字母,用“X”来表示,是
日期跟踪代码。例如, AALB是设备AAW (对
SA56614-28复位)产生在时间段“B” 。
产品型号
SA56614-20
SA56614-27
SA56614-28
SA56614-29
SA56614-30
SA56614-31
SA56614-42
SA56614-43
SA56614-44
SA56614-45
SA56614-46
SA56614-47
记号
AA ü X
AA V X
AA宽x
AA X X
AAY X
AA Z X
ABAX
ABBX
ABCX
ABDX
ABEX
ABFX
引脚配置
引脚说明
符号
V
OUT
V
DD
V
SS
N / C
N / C
描述
复位输出高电平。
正电源。
地面上。负电源。
无连接。
无连接。
1
2
V
OUT
1
5
N / C
V
DD
2
SA56614-XX
3
4
V
SS
3
4
N / C
5
SL01360
图2.引脚配置。
最大额定值
符号
V
DD
V
OUT
I
OUT
T
OPER
T
英镑
P
电源电压
输出电压
输出电流
工作温度
储存温度
功耗
参数
分钟。
–0.3
–40
–40
马克斯。
12
V
SS
– 0.3
50
85
125
150
单位
V
V
mA
°C
°C
mW
2001年6月19日
3
飞利浦半导体
产品数据
CMOS系统复位
SA56614-XX
DC电气特性
特性测量和T
AMB
= 25
°C,
除非另有规定ED 。
符号
V
S
V
S
V
S
/T
I
CC
I
OH
I
NDS1
I
NDS2
I
NDS3
I
PDS1
I
PDS2
I
PDS3
参数
复位门限检测
迟滞
阈值电压温度
系数
电源电流
I
DS
漏电流关断时
N沟道我
DS
输出灌电流1
N沟道我
DS
输出灌电流2
(对于V
S
> 2.6 V )
N沟道我
DS
输出灌电流3
(对于V
S
> 3.9 V)
P沟道我
DS
输出源电流1
(对于V
S
< 4.0 V)
P沟道我
DS
输出源电流2
(对于V
S
< 5.7 V)
P沟道我
DS
输出源电流3
(对于V
S
< 5.7 V)
V
DD
= 0 V
V
S
+ 1.0 V
0 V
–40
°C ≤
T
AMB
+85
°C
V
DD
= V
S
+ 1.0 V
V
DD
= V
DS
= 10 V
V
DD
= 1.2 V; V
DS
= 0.5 V
V
DS
= 0.5 V; V
DD
= 2.4 V
V
DS
= 0.5 V; V
DD
= 3.6 V
V
DS
= 0.5 V; V
DD
= 4.8 V
V
DS
= 0.5 V; V
DD
= 6.0 V;
4.0 V < V
S
< 5.7 V
V
DS
= 0.5 V; V
DD
= 8.4 V
3
图。 18
2
图。 17
3
图。 18
1
图。 16
条件
TEST
电路
分钟。
V
S
– 2%
V
S
×
0.03
–0.23
–1.6
–3.2
0.36
0.46
0.59
典型值。
V
S
V
S
×
0.05
±0.01
0.25
–1.4
–8.3
–14.7
2.1
2.5
3.3
马克斯。
V
S
+ 2%
V
S
×
0.08
1.0
0.1
单位
V
V
%/°C
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
2001年6月19日
4
飞利浦半导体
产品数据
CMOS系统复位
SA56614-XX
典型性能曲线
0.50
0.45
I
DD
,电源电流(mA )
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
–50
V
DD
= V
S
+ 1.0 V
标准化为25
°C
+0.20
+0.15
+0.10
+0.05
V
S
–0.05
–0.10
–0.15
–0.20
–50
V
CC
落下
V
S
标准化为25
°C
V
S
归一化门限(V )
–25
0
25
50
75
100
125
–25
0
25
50
75
100
125
T
AMB
,温度(° C)
T
AMB
,温度(° C)
SL01344
SL01345
图3.电源电流与温度的关系。
图4.检测阈值与温度的关系。
200
V
S( HYS )
,检测滞后(MV )
V
S( HYS )
= V
SH
– V
SL
(V
CC
瑞星 - V
CC
FALLING )
150
3.0
V
DS
= 0.5 V
I
DS
,输出FET电流(mA)
2.5
2.0
N沟道
1.5
100
1.0
P沟道
0.5
50
0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
T
AMB
,温度(° C)
T
AMB
,温度(° C)
SL01346
SL01347
图5.检测滞后与温度的关系。
图6.输出FET电流与温度的关系。
5.0
T
AMB
= 25
°C
典型特征。
检测和释放
电压点取决于
具体的设备类型。
V
S( HYS )
2.0
检测( V
SL
)
RELEASE (V
SH
)
0.6
T
AMB
= 25
°C
0.5
I
DD
,电源电流(
A)
V
OUT
,输出电压( V)
4.0
0.4
3.0
0.3
0.2
1.0
0.1
0
0
1.0
2 .0
3.0
4.0
5.0
6.0
V
DD
,电源电压( V)
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
V
DD
,电源电压( V)
SL01348
SL01349
图7的输出电压与电源电压。
图8.电源电流与电源电压。
2001年6月19日
5
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