NE5230 , SA5230 , SE5230
低电压运算
扩音器
该NE5230是一个非常低压运算放大器,可
与电压源低至1.8伏或高达15 V进行
此外,分割或单一设备都可以使用,并输出将
采用后者时摆动至地。有一偏压调整销
其控制由设备和由此所需的电源电流
控制它的功耗。如果器件在操作
±0.9
V
电源电压,所需的电流仅为110
mA
当电流
控制引脚悬空。即使有这样的低功耗,该
设备获取的250 kHz的典型的单位增益带宽。当
偏置调整引脚连接到负电源,单位增益
带宽通常为600千赫,而电源电流的增加
600
毫安。
在这种模式下,部分将提供充分的功率输出超过
在音频范围内。
该NE5230还具有独特的输入级,使
共模输入范围去上面的正面和下面的
负电源电压250 mV的。这提供了最大的
可能的输入电压为低电压应用。该部分也
内部补偿,以减少外部元件数量。
的NE5230具有通常为低输入偏置电流
±40
nA的,并且一个
的125分贝大开环增益。这两种规格
在传感器的应用有利于使用该设备时。大
开环增益给出的,因为非常准确的信号处理
大的“多余的”环路增益在一个闭环系统。
输出级是一个类AB型,可在100 mV的摆动
电源电压为最大的动态范围所需要的
许多应用程序。该NE5230是理想的便携式音频设备
和远程由于其功耗低,统一换能器
增益带宽和30纳伏/ √Hz的噪声指标。
特点
http://onsemi.com
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
8
1
PDIP8
SUF科幻X
CASE 626
引脚连接
N,D套餐
NC
In
+ IN
V
EE
1
2
3
4
+
8
7
6
5
NC
V
CC
产量
BIAS ADJ 。
( TOP VIEW )
器件标识信息
查看该设备一般标识信息标识
节本数据手册的第16页。
工程低至1.8 V电源电压
可调电源电流
低噪音
共模包括两个轨
V
OUT
在两个轨的100 mV的
无铅包可用
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第16页。
应用
便携式精密仪器
远程传感器放大器
便携式音频设备
轨到轨比较器
无二极管半波整流
远程温度传感器具有4.0至20 mA输出
传输
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年3月,
第4版
1
出版订单号:
NE5230/D
NE5230 , SA5230 , SE5230
最大额定值
等级
单电源电压
双电源电压
输入电压(注1 )
差分输入电压(注1 )
共模电压(正)
共模电压(负)
功率耗散(注2 )
热阻,结到环境
N包装
包
V
CM
V
CM
P
D
R
qJA
符号
V
CC
V
S
V
IN
价值
18
±9
±9
(18)
±V
S
V
CC
+ 0.5
V
EE
0.5
500
130
182
150
0到70
40
85
40
到125
不定
T
英镑
T
SLD
65
150
230
单位
V
V
V
V
V
V
mW
° C / W
工作结温(注2 )
工作温度范围
NE
SA
SE
T
J
T
A
°C
°C
80输出短路持续时间要么电源引脚(注2和3 )
储存温度
焊接温度( 10秒最大)
s
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1.可当V电压超过电源电压
S
≤ ±7.5
V (15 V).
2.最大工作结温为150 ℃。在高温下,设备必须根据封装的热降额
性和设备安装条件。
减免上述25 ℃,按以下标准:
N包装, 7.7毫瓦/°C的
,D封装在5.5毫瓦/ °以下。
3.瞬间短裤任一电源被允许按照瞬态的包来确定热阻抗的限制和
设备安装条件。
推荐工作条件
特征
单电源电压
双电源电压
共模电压(正)
共模电压(负)
温度
NE级
SA等级
SE级
价值
1.8 15
±0.9
to
±7.5
V
CC
+ 0.25
V
EE
0.25
0至+70
40
+85
40
+125
单位
V
V
V
V
°C
http://onsemi.com
2
NE5230 , SA5230 , SE5230
直流和交流电气特性
除非另有规定ED ,
±0.9V ≤
Vs
≤ ±7.5
V或相当于单电源供电,
R
L
= 10千瓦,全输入共模范围,在整个工作温度范围内。
特征
NE5230 , SA5230
失调电压
漂移
失调电流
V
OS
V
OS
I
OS
T
A
= 25°C
T
A
= T
低
给T
高
漂移
偏置电流
I
OS
I
B
T
A
= 25°C
T
A
= T
低
给T
高
任何
任何
任何
高
低
高
低
高
低
T
A
= 25°C
T
A
= T
低
给T
高
漂移
电源电流
I
B
I
S
V
S
=
±0.9
V
T
A
= T
低
给T
高
T
A
= 25°C
V
S
=
±7.5
V
T
A
= T
低
给T
高
共模输入范围
共模抑制比
V
CM
CMRR
V
S
=
±7.5
V
电源抑制比
PSRR
V
OS
≤
6毫伏,T
A
= 25°C
V
OS
≤
6毫伏,T
A
= T
低
给T
高
R
S =
10千瓦; V
CM
=
±7.5
V;
T
A
= 25°C
R
S
= 10千瓦; V
CM
=
±7.5
V;
T
A
= T
低
给T
高
T
A
= 25°C
V
OS
v
6毫伏,T
A
= T
低
给T
高
负载电流
来源
SINK
来源
SINK
来源
SINK
来源
SINK
I
L
V
S
=
±0.9
V ;牛逼
A
= 25°C
V
S
=
±0.9
V ;牛逼
A
= 25°C
V
S
=
±7.5
V ;牛逼
A
= 25°C
V
S
=
±7.5
V ;牛逼
A
= 25°C
V
S
=
±0.9
V ;牛逼
A
= T
低
给T
高
V
S
=
±0.9
V ;牛逼
A
= T
低
给T
高
V
S =
±7.5
V ;牛逼
A
= T
低
给T
高
V
S
=
±7.5
V ;牛逼
A
= T
低
给T
高
高
低
高
低
高
低
T
A
= 25°C
低
高
低
高
低
高
低
高
任何
任何
任何
任何
高
低
高
低
高
高
高
高
任何
任何
任何
任何
1.0
2.0
4.0
5.0
V
0.25
V
85
80
90
85
75
80
4.0
5.0
6
7
16
32
5
6
10
15
mA
105
95
dB
95
320
1100
2.0
2.0
110
600
0.5
0.3
40
20
0.4
3.0
2.0
3.0
3.0
3.0
4.0
5.0
50
30
100
60
1.4
1.4
150
60
200
150
4.0
4.0
160
750
250
800
550
1600
600
1700
V
+
+ 0.25
V
+
dB
V
mA
mA
NA / ℃,
nA
NA / ℃,
毫伏/°C的
nA
mV
符号
测试条件
BIAS
民
典型值
最大
单位
对于NE5230设备,T
低
= 0° C和T
高
= + 70°C 。对于SA5230设备,T
低
=
40°C
和T
高
= +85°C.
http://onsemi.com
3
NE5230 , SA5230 , SE5230
直流和交流电气特性
除非另有规定ED ,
±0.9V ≤
Vs
≤ ±7.5
V或相当于单电源供电,
R
L
= 10千瓦,全输入共模范围,在整个工作温度范围内。
特征
SE5230
失调电压
V
OS
V
OS
I
OS
T
A
= 25°C
T
A
= T
低
给T
高
漂移
偏置电流
I
OS
I
B
T
A
= 25°C
T
A
= T
低
给T
高
漂移
失调电流
任何
任何
任何
高
低
高
低
高
低
T
A
= 25°C
T
A
= T
低
给T
高
漂移
电源电流
I
B
I
S
V
S
=
±0.9
V
T
A
= T
低
给T
高
T
A
= 25°C
V
S
=
±7.5
V
T
A
= T
低
给T
高
共模输入范围
共模抑制比
V
CM
CMRR
V
S
=
±7.5
V
电源抑制比
PSRR
V
OS
≤
6毫伏,T
A
= 25°C
V
OS
≤
20毫伏,T
A
= T
低
给T
高
R
S =
10千瓦; V
CM
=
±7.5
V;
T
A
= 25°C
R
S
= 10千瓦; V
CM
=
±7.5
V;
T
A
= T
低
给T
高
T
A
= 25°C
T
A
= T
低
给T
高
负载电流
来源
SINK
来源
SINK
来源
SINK
来源
SINK
I
L
V
S
=
±0.9
V ;牛逼
A
= 25°C
V
S
=
±0.9
V ;牛逼
A
= 25°C
V
S
=
±7.5
V ;牛逼
A
= 25°C
V
S
=
±7.5
V ;牛逼
A
= 25°C
V
S
=
±0.9
V ;牛逼
A
= T
低
给T
高
V
S
=
±0.9
V ;牛逼
A
= T
低
给T
高
V
S =
±7.5
V ;牛逼
A
= T
低
给T
高
V
S
=
±7.5
V ;牛逼
A
= T
低
给T
高
高
低
高
低
高
低
T
A
= 25°C
低
高
低
高
低
高
低
高
任何
任何
任何
任何
高
低
高
低
高
高
高
高
任何
任何
任何
任何
1.0
2.0
4.0
5.0
V
0.25
V
85
80
90
85
75
80
4.0
5.0
6
7
16
32
5
6
10
15
mA
105
95
dB
95
320
1100
2.0
2.0
110
600
0.5
0.3
40
20
0.4
3.0
2.0
3.0
3.0
3.0
4.0
5.0
50
30
100
60
1.4
1.4
150
60
300
300
4.0
4.0
160
750
275
850
550
1600
600
1700
V
+
+ 0.25
V
+
dB
V
mA
mA
NA / ℃,
nA
NA / ℃,
毫伏/°C的
nA
mV
符号
测试条件
BIAS
民
典型值
最大
单位
对于SE5230设备,T
低
=
40°C
和T
高
= +125°C.
http://onsemi.com
4
NE5230 , SA5230 , SE5230
直流和交流电气特性
除非另有规定ED ,
±0.9V ≤
Vs
≤ ±7.5
V或相当于单电源供电,
R
L
= 10千瓦,全输入共模范围,在整个工作温度范围内。
特征
NE5230 , SA5230 , SE5230
大信号开环增益
A
VOL
V
S
=
±7.5
V
R
L
= 10千瓦;牛逼
A
= 25°C
T
A
= T
低
给T
高
输出电压摆幅
V
OUT
V
S
=
±0.9
V
T
A
= 25 ° C + SW
T
A
= 25°C
SW
T
A
= T
低
给T
高
; + SW
T
A
= T
低
给T
高
;
SW
T
A
= 25 ° C + SW
V
S
=
±7.5
V
T
A
= 25°C
SW
T
A
= T
低
给T
高
; + SW
T
A
= T
低
给T
高
;
SW
压摆率
反相单位增益带宽
相位裕度
建立时间
输入噪声
总谐波失真
SR
BW
q
M
t
S
V
客栈
THD
T
A
= 25°C
C
L
= 100 pF的;牛逼
A
= 25°C
C
L
= 100 pF的;牛逼
A
= 25°C
C
L
= 100pF的, 0.1%的
R
S
= 0
W;
F = 1.0千赫
V
S =
±7.5
V
A
V
= 1; V
IN
= 500 mV的; F = 1.0千赫
V
S
=
±0.9
V
A
V
= 1, V
IN
= 500 mV的; F = 1.0千赫
高
低
高
低
任何
任何
任何
任何
任何
任何
任何
任何
高
低
高
低
任何
高
低
高
低
高
高
120
60
100
50
750
750
700
700
7.30
7.32
7.25
7.30
7.35
7.35
7.30
7.35
0.25
0.09
0.6
0.25
70
2.0
5.0
30
60
0.003
0.002
V / ms的
V / ms的
兆赫
兆赫
°
ms
ms
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
%
%
V
800
800
mV
2000
750
V / MV
符号
测试条件
BIAS
民
典型值
最大
单位
对于NE5230设备,T
低
= 0° C和T
高
= + 70°C 。对于SA5230设备,T
低
=
40°C
和T
高
= +85°C.
对于SE5230设备,T
低
=
40°C
和T
高
= +125°C.
http://onsemi.com
5