【特点===Saifun的NROM 细胞串行外设接口（ SPI ）兼容，支持SPI模式0 （0,0）和】,IC型号SA25C020LEMLFFX,SA25C020LEMLFFX PDF资料,SA25C020LEMLFFX经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

Saifun的NROM 细胞

串行外设接口（ SPI ）兼容，

支持SPI模式0 （0,0）和3 （1,1）的

字节和页写操作：

1024页（ 256字节/页）

单字节或页写入周期在10ms的典型

单电源电压： 2.7V至3.6V

25MHz的时钟速率

块写保护：保护季度，半年或整个阵列

写保护引脚和写的都禁用指令

硬件和软件数据保护

100,000次擦写循环（最小）

超过20年的数据保留

低功耗待机电流（小于1μA ）

8 - SOIC窄包

MLF无铅封装

温度范围：

工业： -40 ° C至+ 85°C

商业： 0 ° C至+ 70°C

–

SA25C020

先进

信息

2MB EEPROM与

25MHz的SPI总线

接口

–

http://www.saifun.com

Saifun的NROM

是赛凡半导体有限公司的商标。

该数据表规定Saifun的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据

片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。

出版＃

1911

启：

修订：

发行日期：

2003年7月20日

SA25C020先进的信息

SAIFUN

概述

该SA25C020是2MB的（ 512K ×4） CMOS

非易失性串行EEPROM 。该装置

完全符合SPI 4线的协议，是

通过片选（ CSB ）引脚使能，

并使用时钟（SCK ），数据输入（ SI）和

数据输出（ SO ）引脚来控制同步

数据

转让

间

该

SPI

微控制器和串行EEPROM 。

该存储器可以写入从1到

通过字节/页的256字节的时间

写（ PW ）指令。

该存储器包括1024页或

262,144字节。

每个设备只需要一个3.0V电源

电源（ 2.7 V至3.6 V ），用于读取和

写功能。内部生成的，

提供了用于调节电压

编程和擦除操作。该

SA25C020不需要为V

供应量。

该HOLDB引脚可用来暂停

而不重置任何串口通讯

串行序列。此外，该串行

接口允许一个最小的引脚数

包装旨在简化PC板

布局要求，并提供设计师

各种低电压和低功耗的

选项。

该SA25C020处于可用

节省空间的8引脚窄体SOIC封装

该SA25C020是SPI EEPROM的一部分

家庭。它的设计与任何工作，SPI

兼容的高速微处理器，和

同时提供硬件（ WPB引脚）和

软件（ “块保护” ）的数据保护。

例如，编程一个2位代码转换成

状态寄存器可以防止程序与

top , top ½ or entire array write protection

并且使块写保护。

单独的程序启用和程序

提供了用于禁用指令

额外的数据保护。硬件数据

保护通过WPB引脚来提供

防止意外写操作的企图

状态寄存器。

Saifun的SPI串行EEPROM产品

设计和测试应用程序

需要高耐用性和低功耗

消耗了连续可靠

所有市场非易失性解决方案。

SA25C020先进的信息

SAIFUN

功能................................................. .......................... 1

概述................................................ 2 ........

存储器结构................................................ ...... 5

连接图................................................ 6 .....

订购信息................................................ ...... 7

产品规格................................................ 8 ...

绝对最大额定值....................................... 8

ESD /闩锁规格（ JEDEC 8规格） ........... 8

工作条件................................................ 8

直流特性................................................ .......... 9

AC测试条件............................................... ........ 10

时序图................................................ ........... 11

信号说明................................................ ......... 13

片选信号（ CSB ） ............................................. ....... 13

串行时钟（ SCK ） ............................................. ..... 13

串行输入（ SI ） ............................................. .......... 13

串行输出（ SO ） ............................................. ...... 13

持有（ HOLDB ） .............................................. ............ 13

写保护（ WPB ） ............................................. ... 13

串行接口说明.......................................... 14

SPI模式................................................ ............... 14

主................................................. ............ 14

奴隶................................................. .............. 14

发射器/接收器....................................... 14

串行操作码................................................ .. 14

无效的操作码................................................ 14

片选信号（ CSB ） ............................................ 15

保持状态................................................ 15

写保护................................................ ... 16

功能说明................................................ 17

说明................................................. ............. 17

读状态寄存器（ RDSR ） ................................. 18

写使能（ WREN ） ............................................. 20

写禁止（ WRDI ） ............................................. 20

写状态寄存器（ WRSR ） ................................ 21

读数据字节（ READ） ........................................ 23

字节和页写（ PW ） ......................................... 24

阅读电子签名（ READ_ID ） ...................... 26

通电和断电........................................ 27

物理尺寸................................................ ..... 28

联系信息................................................ ...... 31

生命支持政策............................................... ......... 31

SA25C020先进的信息

SAIFUN

图列表

图1. SA25C020框图................................ 5

图2. SOIC 8 （ 150万） / PDIP / MLF封装

（顶视图） .............................................. ............... 6

图3. SA25C020订购信息...................... 7

图4. SPI模式0 （ 0,0 ）输入时序........................ 11

图5. SPI模式0 （ 0,0 ）输出时序..................... 11

图6. AC测量I / O波形................... 12

图7.支持SPI模式.................................... 14

图8.保持状态............................................. ... 15

图9. SPI串行接口........................................ 17

图10.读状态寄存器（ RDSR ）指令

序列................................................. ........... 19

图11.写使能（ WREN）指令序列20

图12.写禁止（ WRDI ）指令序列。 20

图13.写状态寄存器（ WRSR ）指令

序列................................................. ........... 22

图14.读（ READ ）的指令序列............. 23

图15.字节或页写（ PW ）指令

序列................................................. ........... 25

图16.阅读电子签名（读取ID ）指令

序列................................................. ........... 26

图17. 8引脚SOIC封装..................................... 28

图18. 8引脚MLF无铅封装....................... 29

图19.模压双列直插式封装（N ）封装

数N08E ................................................ ...... 30

表格清单

表1.引脚名称............................................. ............ 6

表2.直流特性............................................. 9

表3. AC测试条件.......................................... 10

表4. AC测量........................................... 12

表5.指令集............................................. .... 17

表6.状态寄存器的格式.................................... 17

表7.读状态寄存器定义....................... 18

表8块写保护位................................... 21

表9. WPBEN操作.......................................... 21

表10的通电.............................................. .......... 27

SA25C020先进的信息

SAIFUN

存储器组织

该存储器被组织在下面

方式：

262,144字节（每个字节8位）

1024页（每页256字节）

每个字节或页可以单独

写编程后位

1到0和从0到1 。

SRAM

阵L -

逻辑

阵列 - R的

数据路径

HOLDB

GND

图1. SA25C020框图

WPB

SCK

CSB

VCC