【特点====Saifun的NROM NVM技术工作电压： 2.7V至3.6V时钟频率： 100/4】,IC型号SA24C1024LZNX,SA24C1024LZNX PDF资料,SA24C1024LZNX经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

Saifun的NROM NVM技术

工作电压： 2.7V至3.6V

时钟频率： 100/400/1700/3400千赫

低功耗

0.5μA待机电流典型（L版）

<0.2μA典型待机电流（ LZ版）

写模式

字节模式

页面模式（ 128字节/页）

施密特触发器输入

对于全部或部分阵列硬件和软件写保护

续航能力：高达1万个数据的变化

数据保存： 40年以上

封装： 8引脚DIP和8引脚SOIC封装和无铅MLF

温度范围

商业： 0 ° C至+ 70°C

工业（ E）： -40°C至+85°C

–

SA24C1024

数据表

1024KB EEPROM

IIC

–

http://www.saifun.com

Saifun的NROM

是赛凡半导体有限公司的商标。

该数据指出Saifun的就本文描述的产品目前的技术规范。此数据表

可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。

出版＃

1908

启：

修正： 1

发行日期：

2003年8月26日

SA24C1024数据表

SAIFUN

概述

该SA24C1024是CMOS就把1024Kbit非

挥发性串行EEPROM组织为128K

×8位的存储器。该器件符合

扩展IIC两线协议，

使超过存取内存

16千位上的IIC总线。该系列

通信协议采用了时钟

信号（SCL）和数据信号（ SDA），在

一间时钟同步数据

主站（例如，微控制器）和

从站（ EEPROM）。

该SA24C1024提供硬件写

保护，从而在整个存储器

数组可以被写保护通过拉

WP引脚为逻辑高电平。整个内存

然后成为不可改变的，直到WP引脚

被切换到逻辑低。该设备还

具有可编程写保护带

全，半或的一个象限的选择

数组。

LZ的版本的SA24C1024报价

极低的待机电流，这使得它

适用于低功耗应用。该

SA24C1024是为了尽量减少销

数并简化PC板布局

要求。该器件提供两种

SO和DIP封装。无铅

microleadframe封装， CSP是

正在开发中。

Saifun的EEPROM的设计和

测试用于要求高的应用

耐力，高可靠性和低功耗

消费。

SA24C1024数据表

SAIFUN

功能................................................. ........................ 1

概述................................................ ...... 2

框图................................................ ............... 4

连接图................................................ 5 ...

订购信息................................................ 6 ....

产品规格................................................ 7

绝对最大额定值工作条件... 7

ESD / Latch-up特别规范（ JEDEC 8规格） ........... 7

工作条件............................................... 7

（ 2.7 V至3.6 V ）直流电气特性... 8

电容................................................. ........... 8

AC测试条件............................................... 9 ..

AC测试输入/输出波形....................... 9

AC特性（V

2.7 V – 3.6 V).................... 9

总线时序................................................ ............ 10

写周期时序............................................... 11

典型的系统配置................................ 11

背景信息（ IIC总线） ............................. 12

从地址................................................ ....... 12

设备类型................................................ .......... 13

设备/页块选择................................. 13

读/写位.............................................. ......... 13

确认................................................. ........ 13

阵列地址＃ 1 .............................................. ...... 13

阵列地址＃ 0 .............................................. ...... 13

引脚说明................................................ .......... 14

串行时钟（ SCL ） ............................................. .... 14

串行数据（ SDA ） ............................................. ..... 14

写保护（ WP ） ............................................. ... 14

选择1 ：全阵列写保护................. 14

设备选择输入 - A1 （如适用） ........ 14

选择2 ：可编程写保护......... 15

设备操作................................................ ......... 16

时钟和数据约定................................. 16

启动条件................................................ .. 16

停止条件................................................ .... 16

SA24C1024阵列寻址............................... 16

写操作................................................ ......... 18

字节写................................................ ............. 18

页写................................................ ............ 18

应答查询............................................. 19

写保护................................................ .... 19

读操作................................................ ......... 20

当前地址读........................................... 20

随机读取................................................ ....... 20

连续读................................................ .... 20

从标准的开关/快速模式，以高速

模式和返回............................................... ........ 22

物理尺寸................................................ ... 24

联系信息................................................ .... 27

生命支持政策............................................... ....... 27

图列表

图1. SA24C1024框图.............................. 4

图2. SO封装（MW ），双列直插式（ N） - 顶视图5

图3.无铅封装（ MLF ） - 顶视图............... 5

图4. SA24C1024订购信息..................... 6

图5. AC测试输入/输出波形................ 9

图6.总线时序............................................. ........ 10

图7.写周期时序......................................... 11

图8.典型系统配置......................... 11

图9.从地址............................................. ... 12

图10.数据有效性............................................. .... 17

图11. START和STOP定义........................ 17

图12.确认从接收........ 17回应

图13.字节写............................................. ....... 19

图14页写............................................. ...... 19

图15.当前地址读.................................. 21

图16.随机读............................................. 21

图17.连续读........................................... 21

图18.数据传输............................................. .. 22

图19.一个完整的HS模式传送..................... 23

图20. 8引脚模压小外形封装（ MW8 ）

包装数M08D ...................................... 24

图21.模压双列直插式封装（N ），包

数N08E ................................................ ...... 25

图22. 8引脚MLF无铅封装....................... 26

表格清单

表1.引脚名称............................................. ............ 5

表2.写保护真值表............................ 14

SA24C1024数据表

SAIFUN

框图

图1. SA24C1024框图

SA24C1024数据表

SAIFUN

连接图

SA24C1024

SCL

SDA

SA24C1024

SCL

SDA

图2. SO封装（MW ），双列直插式（ N） - 返回顶端

意见

图3.无铅封装（ MLF ） - 顶视图

注意：

有关详细信息，请参阅包装数N08E和M08D 。

表1.引脚名称

符号

SDA

SCL

引脚名称

没有连接

器件的地址选择输入

针

没有连接

设备接地输入引脚

IIC数据输入/输出引脚

IIC时钟输入引脚

描述

有一个内部"weak"下拉，并假定逻辑低电平

当悬空。

开路集电极/漏极类型。

有一个内部"weak"下拉，并假定逻辑低电平

当悬空。

写保护

当低时，允许写入到存储器阵列。

当高电平时，写入是不允许的存储器阵列中，如

德网络中定义

写保护（ WP ），

第14页。

设备电源输入引脚

2.7 V至3.6 V

注意：

没有A2或A0引脚（引脚2和3 ）被提供，并且按照被视为不

连接。内部地址比较假定针A2为0 ，所以

命令代码都应该有相应的A2位设置为0为好。该

命令代码也应该有其相应的A0位设置为add16 （ MSB

地址位）。

特点

Saifun的NROM NVM技术

工作电压： 2.7V至3.6V

时钟频率： 100/400/1700/3400千赫

低功耗

0.5μA待机电流典型（L版）

<0.2μA典型待机电流（ LZ版）

写模式

字节模式

页面模式（ 128字节/页）

施密特触发器输入

对于全部或部分阵列硬件和软件写保护

续航能力：高达1万个数据的变化

数据保存： 40年以上

封装： 8引脚DIP和8引脚SOIC封装和无铅MLF

温度范围

商业： 0 ° C至+ 70°C

工业（ E）： -40°C至+85°C

–

SA24C1024

数据表

1024KB EEPROM

IIC

–

http://www.saifun.com

Saifun的NROM

是赛凡半导体有限公司的商标。

该数据指出Saifun的就本文描述的产品目前的技术规范。此数据表

可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。

出版＃

1908

启：

修正： 1

发行日期：

2003年8月26日

SA24C1024数据表

SAIFUN

概述

该SA24C1024是CMOS就把1024Kbit非

挥发性串行EEPROM组织为128K

×8位的存储器。该器件符合

扩展IIC两线协议，

使超过存取内存

16千位上的IIC总线。该系列

通信协议采用了时钟

信号（SCL）和数据信号（ SDA），在

一间时钟同步数据

主站（例如，微控制器）和

从站（ EEPROM）。

该SA24C1024提供硬件写

保护，从而在整个存储器

数组可以被写保护通过拉

WP引脚为逻辑高电平。整个内存

然后成为不可改变的，直到WP引脚

被切换到逻辑低。该设备还

具有可编程写保护带

全，半或的一个象限的选择

数组。

LZ的版本的SA24C1024报价

极低的待机电流，这使得它

适用于低功耗应用。该

SA24C1024是为了尽量减少销

数并简化PC板布局

要求。该器件提供两种

SO和DIP封装。无铅

microleadframe封装， CSP是

正在开发中。

Saifun的EEPROM的设计和

测试用于要求高的应用

耐力，高可靠性和低功耗

消费。