SA5.0A系列
500瓦峰值功率
MiniMOSORBt齐纳
瞬态电压
抑制器
单向
该SA5.0A系列是专为保护电压敏感
组件由高电压，高能量瞬变。他们有
出色的钳位能力，高浪涌能力，低齐纳
阻抗和快速响应时间。该SA5.0A系列供应
安森美半导体专有的，高性价比，高可靠性
Surmetict轴向引线封装，非常适合用于
通信系统，数控系统，过程控制，
医疗设备，商用机器，电源和许多
其他工业/消费应用。
特点
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阴极
阳极
轴向引线
CASE 59AA
塑料
工作峰值反向电压范围 - 5.0 170 V
峰值功率 - 500瓦@ 1.0毫秒
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 1
mA
高于8.5 V
UL 497B用于隔离回路电路保护
最大温度系数指定
响应时间通常是< 1.0纳秒
无铅包可用*
记号
图
A
SAxxxA
YYWWG
G
A
=大会地点
SAxxxA =设备号
xxx
= （见表3页）
YY
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和导线
随手可焊
最大无铅焊接温度的：
230°C,
订购信息
设备
SAxxxA
SAxxxAG
SAxxxARL *
SAxxxARLG *
SAxxxALF **
SAxxxALFG **
包
轴向引线
轴向引线
（无铅）
轴向引线
轴向引线
（无铅）
轴向引线
轴向引线
（无铅）
航运
1000单位/箱
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带&卷轴
2000单位/箱
2000单位/箱
1/16英寸从10秒的情况下
极性：
阴极指示的极性带
安装位置：
任何
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
* SA8.0A ， SA130A和SA160A不可用5000 /
卷轴。
**形成设备的铅。
1
2006年5月 - 11牧师
出版订单号：
SA5.0A/D
SA5.0A系列
最大额定值
等级
峰值功耗（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
稳定状态下的功耗
@ T
L
≤
75 ° C，引线长度= 3/8英寸
上述牛逼降额
L
= 75°C
热阻，结到铅
正向浪涌电流（注2 ）
@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
P
PK
P
D
价值
500
3.0
30
R
qJL
I
FSM
T
J
, T
英镑
33.3
70
- 55 +175
单位
W
W
毫瓦/°C的
° C / W
A
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
按照图4 1.非重复性电流脉冲及以上牛逼降额
A
= 25 ℃，按照图2 。
2. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟。
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
（注6 ）= 35 A）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度变化
BR
正向电流
正向电压@ I
F
V
C
V
BR
V
RWM
I
I
F
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
单向TVS
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2
SA5.0A系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
（注6 ）= 35 A）
设备
记号
SA5.0A
SA6.0A
SA7.0A
SA7.5A
SA8.0A
SA8.5A
SA9.0A
SA10A
SA11A
SA12A
SA13A
SA14A
SA15A
SA16A
SA17A
SA18A
SA20A
SA22A
SA24A
SA26A
SA28A
SA30A
SA33A
SA36A
SA40A
SA43A
SA45A
SA48A
SA51A
SA58A
SA60A
SA64A
SA64A
SA70A
SA78A
SA90A
SA100A
SA110A
SA120A
SA130A
SA150A
SA160A
SA170A
V
RWM
（注3）
伏
5
6
7
7.5
8
8.5
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
58
60
64
64
70
78
90
100
110
120
130
150
160
170
击穿电压
I
R
@ V
RWM
mA
600
600
150
50
25
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
6.4
6.67
7.78
8.33
8.89
9.44
10
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40
44.4
47.8
50
53.3
56.7
64.4
66.7
71.1
71.1
77.8
86.7
100
111
122
133
144
167
178
189
V
BR
（注4 ）
（伏）
民
喃
6.7
7.02
8.19
8.77
9.36
9.92
10.55
11.7
12.85
14
15.15
16.4
17.6
18.75
19.9
21.05
23.35
25.65
28.1
30.4
32.75
35.05
38.65
42.1
46.55
50.3
52.65
56.1
59.7
67.8
70.2
74.85
74.85
81.9
91.25
105.5
117
128.5
140
151.5
176
187.5
199
最大
7
7.37
8.6
9.21
9.83
10.4
11.1
12.3
13.5
14.7
15.9
17.2
18.5
19.7
20.9
22.1
24.5
26.9
29.5
31.9
34.4
36.8
40.6
44.2
49.1
52.8
55.3
58.9
62.7
71.2
73.7
78.6
78.6
86
95.8
111
123
135
147
159
185
197
209
@ I
T
mA
10
10
10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
C
@ I
PP
（注5 ）
V
C
伏
9.2
10.3
12
12.9
13.6
14.4
15.4
17
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.7
77.4
82.4
93.6
96.8
103
103
113
126
146
162
177
193
209
243
259
275
I
PP
A
54.3
48.5
41.7
38.8
36.7
34.7
32.5
29.4
27.4
25.1
23.2
21.5
20.6
19.2
18.1
17.2
15.4
14.1
12.8
11.9
11
10.3
9.4
8.6
7.8
7.2
6.9
6.5
6.1
5.3
5.2
4.9
4.9
4.4
4.0
3.4
3.1
2.8
2.5
2.4
2.1
1.9
1.8
QV
BR
毫伏/°C的
5
5
6
7
7
8
9
10
11
12
13
14
16
17
19
20
23
25
28
30
31
36
39
41
46
50
52
56
61
70
71
76
76
85
95
110
123
133
146
158
184
196
208
设备*
SA5.0A ，G
SA6.0A ，G
SA7.0A ，G
SA7.5A ，G
SA8.0A ，G
SA8.5A ，G
SA9.0A ，G
SA10A ，G
SA11A ，G
SA12A ，G
SA13A ，G
SA14A ，G
SA15A ，G
SA16A ，G
SA17A ，G
SA18A ，G
SA20A ，G
SA22A ，G
SA24A ，G
SA26A ，G
SA28A ，G
SA30A ，G
SA33A ，G
SA36A ，G
SA40A ，G
SA43A ，G
SA45A ，G
SA48A ，G
SA51A ，G
SA58A ，G
SA60A ，G
SA64A ，G
SA64ALF ，G
SA70A ，G
SA78A ，G
SA90A ，G
SA100A ，G
SA110A ，G
SA120A ，G
SA130A ，G
SA150A ，G
SA160A ，G
SA170A ，G
注意：
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来的选择
使用和最佳的整体价值。
3. MiniMOSORBt瞬态抑制器是根据最高工作峰值反向电压通常选择（V
RWM
），其
应等于或大于直流或连续峰值工作电压电平。
4. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
按照图4和每图1和图2减功率5.浪涌电流波形。
6. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟
*在“G ”后缀表示无铅封装。
不可用5000 /磁带&卷轴。
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3
SA5.0A系列
非重复性脉冲
波形所示。
图4
10
峰值脉冲降额的％
峰值功率或电流@ TA = 25℃
°
100
P K，峰值功率（kw ）
P
100
80
60
40
20
0
0
25
50 75 100 125 150 175 200
T
A
，环境温度（ ° C）
1
0.1
0.1
ms
1
ms
10
ms
100
ms
1毫秒
10毫秒
t
p
，脉宽
图1.脉冲额定值曲线
图2.脉冲降额曲线
t
r
≤
10
ms
10,000
C，电容（pF ）
标准@
零偏压
100
值（％）
峰值 - 我
PP
脉冲宽度（T
p
）是
定义为POINT
在峰值
电流衰减到
我50 ％
PP
.
I
PP
2
1000
半值 -
50
t
P
0
100
标准@
(V
RWM
)
1
10
100
1000
0
10
0.1
1
2
3
4
V
BR
，击穿电压（伏）
吨，时间（ ms）的
图3.电容与击穿电压
图4.脉冲波形
PD ，稳态功耗（瓦）
5
4
3/8″
3/8″
3
2
1
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
T
L
，焊接温度（ ° C）
图5.稳态功率降额
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4
SA5.0A系列
UL认证*
整个系列包括双向CA后缀有
美国保险商实验室认可
对于分类
在安全的UL标准保护（ QVGV2 ）的
497B和文件#E 116110.许多竞争对手只有一个
或认可，或有认识的两个设备
非保护性的类别。一些竞争对手都没有
识别的。随着UL497B认可，我们的零件
顺利通过了多次测试，包括触发电压
故障测试，耐力空调，温度测试，
介质耐压试验，排放试验和
几声。
然而，一些竞争对手只通过了
可燃性测试程序包的材料，我们已经
公认的更要包括在其保护
类别。
*适用于SA5.0A ，CA - SA170A ， CA.
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5
QQ：2880707522 复制
