光电二极管

硅PIN光电二极管

S9723, S9724

大面积硅PIN光电二极管的直接探测

S9723和S9724是专门为直接检测高能带电粒子和X射线的设计的大面积的硅检测器。这些硅

检测器被安装在PC板的孔为目的

E-E

检测带电粒子。这些探测器的厚度为100 ± 5

微米（ S9723 ）和10 ±2.5微米（ S9724 ） 。有源区的厚度均匀性是不如2.0微米的典型值。 （ S9723 ）和1.0微米的典型。 （ S9724 ） 。

这可确保出色的灵敏度一致性，在整个活动区域。

特点

应用

1微米（ S9724 ）

l

活动区域： 26 × 26 × 0.1

t

毫米（ S9723 ）

10 × 10 × 0.01

t

毫米（ S9724 ）

l

大面积

l

低暗电流

l

厚度均匀*

1

： 2微米（ S9723 ）

l

重离子能量检测

l

X射线检测

l

E-E

发现

s

规格/绝对最大额定值

参数

符号

活动区域

-

厚度检测仪

-

1

厚度均匀*

-

表面取向

-

正面

死层

-

2

厚度*

背面

反向电压

V

R

马克斯。

当前

-

3

工作温度*

TOPR

3

存储温度*

TSTG

* 1：变化在检测器的厚度

* 2 ：参考值

* 3 ：不结露

S9723

26 × 26

100 ± 5

2.0

(111)

1

1

20

2

0至+60

0至+80

2

S9724

10 × 10

10 ± 2.5

1.0

单位

mm

m

m

-

m

V

mA

°C

°C

s

电气和光学特性（典型值TA = 25 ℃，除非另有说明）

参数

全耗尽电压

暗电流

上升时间

终端电容

符号

V

D

I

D

tr

Ct

条件

V

R

=V

D

V

R

=V

D

, R

L

=50

V

R

=V

D

， F = 1兆赫

分钟。

-

-

-

-

S9723

典型值。

5

2

80

0.75

马克斯。

10

50

-

-

分钟。

-

-

-

-

S9724

典型值。

0.5

0.01

100

1

马克斯。

1

0.1

-

-

单位

V

nA

ns

nF

初步数据

2004年9月

1

硅PIN光电二极管

s

暗电流与反向电压

10 nA的

S9723

（典型值TA = 25℃）

S9723, S9724

s

终端电容与反向电压

100 nF的

（典型值TA = 25℃）

终端电容

1 nA的

暗电流

10 nF的

S9723

100 pA的

10 pA的

S9724

1 nF的

S9724

1 pA的

100 fA的

0.01

0.1

1

10

100

100 pF的

0.1

1

10

100

反向电压（ V）

KPINB0304EA

反向电压（ V）

KPINB0305EA

s

二维轮廓（单位：mm ，公差，除非另有说明：±0.2 ）

S9723

(2 ×) 0.45

·铁·镍钴合金

46.0

3.0

40.0

5.08

3.0

1.6 3.5

0.4

线

S9724

(2 ×) 0.45

·铁·镍钴合金

26.0 × 26.0

活动区域

10.0 × 10.0

活动区域

30.0

3.0

3.0

24.0

5.08

3.0

1.6 3.5

0.3

线

3.0

30.0

24.0

100 ± 5 m

46.0

40.0

27.0

硅芯片

3.0

PWB

（ 4 × ） 2.5 HOLE

硅芯片

3.0

PWB

（ 4 × ） 2.5 HOLE

KSPDA0167EA

KSPDA0168EA

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2

猫。第KPIN1073E01

2004年9月DN

11.0

线

保护

树脂

线

保护

树脂

10 ± 2.5 m