S952T/S952TR/S952TRW
威世德律风根
MOSMIC
电视调谐器预安排与9 V电源
电压
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
低噪声增益控制输入级UHF-和
VHF波段调谐器9 V电源电压。
AGC
在RF
C座
C座
G2
G1
S
D
RF OUT
C座
94 9296
RFC
V
DD
特点
D
易门1关断带PNP开关转录
内部PLL电阻取值
D
高AGC范围较少陡坡
D
集成门极保护二极管
2
1
D
D
D
D
低噪声系数
高增益
在增益减少，提高了交叉调制
SMD封装
1
2
94 9279
13 579
94 9278
95 10831
3
4
4
3
S952T标记： 952
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
S952TR标记： 52R
塑料外壳（ SOT 143R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
1
2
13 654
13 566
4
3
S952TRW标记： W95
塑料外壳（ SOT 343R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
文档编号85062
第3版， 20 -JAN- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (6)
S952T/S952TR/S952TRW
威世德律风根
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源电流峰值
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
测试条件
符号
价值
V
DS
12
I
D
30
±I
G1/G2SM
10
±V
G1/G2SM
6
P
合计
200
T
Ch
150
T
英镑
-55到+150
单位
V
mA
mA
V
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
60
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源
击穿电压
1号门 - 源
击穿电压
2号门 - 源
击穿电压
1号门 - 源
漏电流
2号门 - 源
漏电流
漏 - 源
工作电流
1号门 - 源
截止电压
2号门 - 源
截止电压
测试条件
±I
G1S
= 10
m
A，V
G2S
= V
G1S
= 0
±I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
±I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
+V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= V
RG1
= 9 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 390 k
W
V
DS
= V
RG1
= 9 V, V
G2S
= 4 V，I
D
= 100
m
A
V
DS
= V
RG1
= 9 V ，R
G1
= 390 k
W
, I
D
= 100
m
A
符号
±V
（ BR ） DSS
±V
(BR)G1SS
±V
(BR)G2SS
+I
G1SS
±I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
7
0.4
1.0
10
民
15
7
7
典型值
最大单位
V
10
10
20
20
14
1.2
V
V
nA
nA
mA
V
V
备注提高互调特性：
通过设置R
G1
= 300 k
W
而不是390
W
，我典型值
DSO
将提高至约15 mA和改进跨
调制行为将被执行。
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威世德律风根
MOSMIC
电视调谐器预安排与9 V电源
电压
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
低噪声增益控制输入级UHF-和
VHF波段调谐器9 V电源电压。
AGC
在RF
C座
C座
G2
G1
S
D
RF OUT
C座
94 9296
RFC
V
DD
特点
D
易门1关断带PNP开关转录
内部PLL电阻取值
D
高AGC范围较少陡坡
D
集成门极保护二极管
2
1
D
D
D
D
低噪声系数
高增益
在增益减少，提高了交叉调制
SMD封装
1
2
94 9279
13 579
94 9278
95 10831
3
4
4
3
S952T标记： 952
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
S952TR标记： 52R
塑料外壳（ SOT 143R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
1
2
13 654
13 566
4
3
S952TRW标记： W95
塑料外壳（ SOT 343R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
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绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源电流峰值
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
测试条件
符号
价值
V
DS
12
I
D
30
±I
G1/G2SM
10
±V
G1/G2SM
6
P
合计
200
T
Ch
150
T
英镑
-55到+150
单位
V
mA
mA
V
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
60
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源
击穿电压
1号门 - 源
击穿电压
2号门 - 源
击穿电压
1号门 - 源
漏电流
2号门 - 源
漏电流
漏 - 源
工作电流
1号门 - 源
截止电压
2号门 - 源
截止电压
测试条件
±I
G1S
= 10
m
A，V
G2S
= V
G1S
= 0
±I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
±I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
+V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= V
RG1
= 9 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 390 k
W
V
DS
= V
RG1
= 9 V, V
G2S
= 4 V，I
D
= 100
m
A
V
DS
= V
RG1
= 9 V ，R
G1
= 390 k
W
, I
D
= 100
m
A
符号
±V
（ BR ） DSS
±V
(BR)G1SS
±V
(BR)G2SS
+I
G1SS
±I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
7
0.4
1.0
10
民
15
7
7
典型值
最大单位
V
10
10
20
20
14
1.2
V
V
nA
nA
mA
V
V
备注提高互调特性：
通过设置R
G1
= 300 k
W
而不是390
W
，我典型值
DSO
将提高至约15 mA和改进跨
调制行为将被执行。
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文档编号85062
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