添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1614页 > S949TR
S949T / S949TR / S949TRW
威世半导体
MOSMIC
电视调谐器预安排与9 V电源电压
2
1
评论
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
SOT-143
特点
集成门极保护二极管
低噪声系数
e3
高增益
偏压片上网络
在增益减少，提高了交叉调制
高AGC范围
SMD封装
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
4
2
SOT-143R
4
1
3
2
SOT-343R
4
3
19216
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
低噪声增益控制输入级UHF-和
VHF波段调谐器9 V电源电压。
机械数据
典型值：
S949T
案例：
SOT -143塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
典型值：
S949TR
案例：
SOT- 143R塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
典型值：
S949TRW
案例：
SOT- 343R塑料外壳
重量：
约。 6.0毫克
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
C座
AGC
在RF
C座
G2
G1
S
D
RFC
V
DD
(V
DS
)
RF OUT
C座
94 9296
文档编号85061
修订版1.4 ， 02月， 05
www.vishay.com
1
S949T / S949TR / S949TRW
威世半导体
零件表
部分
S949T
S949TR
S949TRW
949
99R
W99
记号
SOT-143
SOT-143R
SOT-343R
包
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
DS
I
D
± I
G1/G2SM
± V
G1/G2SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
12
30
10
6
200
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
mA
V
mW
°C
°C
最大热阻
参数
通道环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
上玻璃纤维印刷电路板（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
μm
Cu
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
1号门 - 源极击穿
电压
2号门 - 源极击穿
电压
测试条件
符号
民
7
7
典型值。
最大
10
10
50
100
20
50
8
12
1.0
500
16
单位
V
V
μA
μA
nA
μA
mA
V
± I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G1SS
± I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G2SS
+ I
G1SS
- I
G1SS
± I
G2SS
I
DSS
I
DSP
V
G2S(OFF)
1号门 - 源极漏电流+ V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
- V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极漏电流±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
漏电流
自偏置工作电流
2号门 - 源截止电压
V
DS
= 9 V, V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
V
DS
= 9 V, V
G1S
= NC ，V
G2S
= 4 V
V
DS
= 9 V, V
G1S
= NC ，
I
D
= 100
μA
注意事项1号门关断模式：
在1号门无需外部直流电压工作模式！
关机，在1号门与V
G1S
< 0.7 V是可行的。
采用集电极开路开关晶体管（ PLL内） ，将10 kΩ的集电极电阻。
www.vishay.com
2
文档编号85061
修订版1.4 ， 02月， 05
S949T / S949TR / S949TRW
威世半导体
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
V
DS
= 9 V, V
G2S
= 4 V，F = 1兆赫
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒，
F = 800 MHz的
AGC范围
噪声系数
V
DS
= 9 V, V
G2S
= 1至4伏，
F = 800 MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒，
F = 800 MHz的
测试条件
符号
|y
21s
|
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
ΔG
ps
F
F
17
45
1
1.3
民
25
典型值。
30
2.3
25
1
28
20
最大
35
2.7
单位
mS
pF
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
公共发射极S参数
V
DS
= 9 V, V
G2S
= 4 V，Z
0
= 50
Ω,
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
F / MHz的
登录
MAG
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
1250
1300
-0.01
-0.03
-0.12
-0.19
-0.29
-0.40
-0.52
-0.66
-0.80
-0.95
-1.08
-1.25
-1.40
-1.53
-1.68
-1.83
-1.98
-2.08
-2.21
-2.34
-2.47
-2.62
-2.74
-2.84
-2.92
-3.04
S11
昂
度
-4.7
-9.5
-14.0
-18.4
-23.1
-27.4
-31.9
-35.9
-39.9
-44.0
-47.9
-51.6
-55.3
-59.0
-62.5
-66.0
-69.4
-72.7
-76.0
-79.4
-82.6
-85.6
-88.8
-91.8
-94.8
-97.7
9.57
9.48
9.38
9.26
9.11
8.96
8.73
8.57
8.33
8.14
7.93
7.70
7.48
7.25
7.10
6.90
6.71
6.52
6.36
6.17
6.02
5.80
5.69
5.56
5.52
5.34
登录
MAG
S21
昂
度
174.6
168.3
161.8
155.8
149.3
143.7
138.0
132.0
126.9
121.5
116.3
110.9
106.5
101.6
96.9
92.1
87.6
82.6
78.0
74.0
69.7
65.0
60.5
56.3
51.9
47.1
-62.54
-56.18
-52.86
-50.58
-48.96
-47.89
-47.02
-46.44
-46.25
-46.08
-46.21
-46.22
-46.19
-46.47
-47.15
-47.48
-47.39
-46.82
-45.32
-44.07
-43.32
-42.50
-41.25
-39.97
-38.65
-37.46
登录
MAG
S12
昂
度
87.6
84.2
81.0
78.7
75.6
73.4
71.5
70.0
69.1
68.7
69.9
73.2
74.3
78.5
83.5
92.3
103.5
115.7
125.0
129.4
134.1
140.6
145.5
150.1
153.2
154.8
-0.17
-0.23
-0.24
-0.26
-0.28
-0.33
-0.36
-0.40
-0.44
-0.48
-0.51
-0.55
-0.59
-0.61
-0.62
-0.65
-0.67
-0.70
-0.71
-0.68
-0.70
-0.74
-0.72
-0.69
-0.60
-0.67
登录
MAG
S22
昂
度
-2.3
-3.6
-5.4
-7.1
-9.1
-10.6
-12.3
-14.0
-15.6
-17.2
-18.8
-20.4
-21.7
-23.4
-24.9
-26.4
-28.0
-29.8
-31.4
-33.0
-34.6
-36.0
-37.8
-39.7
-41.9
-43.3
文档编号85061
修订版1.4 ， 02月， 05
www.vishay.com
3
S949T / S949TR / S949TRW
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
y
21s
- 正向纳（MS ）
250
P –
合计
总功率耗散（ mW）的
40
200
30
150
20
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
10
V
DS
=9V
f=200MHz
0
0
1
2
3
4
95 10783
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
95 11152
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图1.总功率耗散与环境温度
图4.正向纳主场迎战2号门源电压
C
issg1
- 1号门的输入电容（pF ）
20
I
D
- 漏电流（mA ）
4
16
V
G2S
= 5 V
12
4V
8
4
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
1V
8
9
V
DS
- 漏源电压（ V）
3V
2V
3
2
1
V
DS
= 9 V
F = 200 MHz的
0
0
1
2
3
4
5
6
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
95 11150
95 1
1153
图2.漏极电流与漏源电压
图5.门1输入电容与2号门源电压
V
DS
= 9 V
I
D
- 漏电流（mA ）
16
C
OSS
- 输出电容（pF ）
20
2
1.5
12
1
8
4
0
0
1
2
3
4
0.5
V
G2S
= 4 V
F = 200 MHz的
0
3
5
7
9
11
95 11151
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
95 11154
V
DS
- 漏源电压（ V）
图3.漏电流与2号门源电压
图6.输出电容与漏源电压
www.vishay.com
4
文档编号85061
修订版1.4 ， 02月， 05
S949T / S949TR / S949TRW
威世半导体
20
-Transducer增益（ dB）的
S
21
2
0
–20
–40
V
DS
= 9 V
F = 800 MHz的
–60
0
1
2
3
4
95 1
1155
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图7.传感器增益与2号门源电压
80
CM - 交叉调制（分贝）
P
in
= -20 dBm的
60
40
20
V
DS
= 9 V
F = 800 MHz的
0
2
3
4
5
6
95 11156
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图8.交叉调制与2号门源电压
文档编号85061
修订版1.4 ， 02月， 05
www.vishay.com
5
S949T/S949TR/S949TRW
威世德律风根
MOSMIC
电视调谐器预安排与9 V电源
电压
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
低噪声增益控制输入级UHF-和
VHF波段调谐器9 V电源电压。
AGC
在RF
C座
C座
G2
G1
S
D
RF OUT
C座
94 9296
RFC
V
DD
特点
D
D
D
D
集成门极保护二极管
低噪声系数
高增益
偏压片上网络
D
在增益减少，提高了交叉调制
D
高AGC范围
D
SMD封装
2
1
1
2
94 9279
13 579
94 9278
95 10831
3
4
4
3
S949T标记： 949
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
S949TR标记： 99R
塑料外壳（ SOT 143R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
1
2
13 654
13 566
4
3
S949TRW标记： W99
塑料外壳（ SOT 343R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
文档编号85061
第3版， 20 -JAN- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (9)
S949T/S949TR/S949TRW
威世德律风根
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源电流峰值
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
测试条件
符号
价值
V
DS
12
I
D
30
±I
G1/G2SM
10
±V
G1/G2SM
6
P
合计
200
T
Ch
150
T
英镑
-55到+150
单位
V
mA
mA
V
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
60
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
1号门 - 源
击穿电压
2号门 - 源
击穿电压
1号门 - 源
漏电流
2号门 - 源
漏电流
漏电流
自偏置
工作电流
2号门 - 源
截止电压
测试条件
±I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
±I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
+V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
–V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 9 V, V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
V
DS
= 9 V, V
G1S
= NC ，V
G2S
= 4 V
V
DS
= 9 V, V
G1S
= NC ，我
D
= 100
m
A
符号
民
±V
(BR)G1SS
7
±V
(BR)G2SS
+I
G1SS
–I
G1SS
±I
G2SS
I
DSS
I
DSP
V
G2S(OFF)
50
8
7
典型值
最大单位
10
V
10
50
100
20
500
16
V
m
A
m
A
nA
m
A
mA
V
12
1.0
注意事项1号门关断模式：
在1号门无需外部直流电压工作模式！
关机，在1号门与V
G1S
< 0.7 V是可行的。
采用集电极开路开关晶体管（内部锁相环） ，将10千
W
集电极电阻。
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (9)
文档编号85061
第3版， 20 -JAN- 99
S949T/S949TR/S949TRW
威世德律风根
AC电气特性
V
DS
= 9 V, V
G2S
= 4 V，F = 1 MHz时，T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
电源克
收益
AGC范围
噪声系数
g
测试条件
符号
y
21s
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
D
G
ps
F
F
民
25
典型值
30
2.3
25
1
28
20
1
1.3
最大单位
35毫秒
2.7 pF的
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
V
DS
= 9 V, V
G2S
= 1至4 V中，f = 800MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
17
45
共源S参数
V
DS
= 9 V , V
G2S
= 4 V，Z
0
= 50
W,
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
S11
F / MHz的
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
1250
1300
登录
MAG
dB
–0.01
–0.03
–0.12
–0.19
–0.29
–0.40
–0.52
–0.66
–0.80
–0.95
–1.08
–1.25
–1.40
–1.53
–1.68
–1.83
–1.98
–2.08
–2.21
–2.34
–2.47
–2.62
–2.74
–2.84
–2.92
–3.04
昂
度
–4.7
–9.5
–14.0
–18.4
–23.1
–27.4
–31.9
–35.9
–39.9
–44.0
–47.9
–51.6
–55.3
–59.0
–62.5
–66.0
–69.4
–72.7
–76.0
–79.4
–82.6
–85.6
–88.8
–91.8
–94.8
–97.7
S21
登录
MAG
dB
9.57
9.48
9.38
9.26
9.11
8.96
8.73
8.57
8.33
8.14
7.93
7.70
7.48
7.25
7.10
6.90
6.71
6.52
6.36
6.17
6.02
5.80
5.69
5.56
5.52
5.34
昂
度
174.6
168.3
161.8
155.8
149.3
143.7
138.0
132.0
126.9
121.5
116.3
110.9
106.5
101.6
96.9
92.1
87.6
82.6
78.0
74.0
69.7
65.0
60.5
56.3
51.9
47.1
S12
登录
MAG
dB
–62.54
–56.18
–52.86
–50.58
–48.96
–47.89
–47.02
–46.44
–46.25
–46.08
–46.21
–46.22
–46.19
–46.47
–47.15
–47.48
–47.39
–46.82
–45.32
–44.07
–43.32
–42.50
–41.25
–39.97
–38.65
–37.46
昂
度
87.6
84.2
81.0
78.7
75.6
73.4
71.5
70.0
69.1
68.7
69.9
73.2
74.3
78.5
83.5
92.3
103.5
115.7
125.0
129.4
134.1
140.6
145.5
150.1
153.2
154.8
S22
登录
MAG
dB
–0.17
–0.23
–0.24
–0.26
–0.28
–0.33
–0.36
–0.40
–0.44
–0.48
–0.51
–0.55
–0.59
–0.61
–0.62
–0.65
–0.67
–0.70
–0.71
–0.68
–0.70
–0.74
–0.72
–0.69
–0.60
–0.67
昂
度
–2.3
–3.6
–5.4
–7.1
–9.1
–10.6
–12.3
–14.0
–15.6
–17.2
–18.8
–20.4
–21.7
–23.4
–24.9
–26.4
–28.0
–29.8
–31.4
–33.0
–34.6
–36.0
–37.8
–39.7
–41.9
–43.3
文档编号85061
第3版， 20 -JAN- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
3 (9)
S949T/S949TR/S949TRW
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
y
21s
- 正向纳（MS ）
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
250
40
200
30
150
20
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
10
V
DS
=9V
f=200MHz
0
0
1
2
3
4
95 10783
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
95 11152
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图1.总功耗对比
环境温度
C
issg1
- 1号门的输入电容（pF ）
20
图4.正向纳主场迎战
2号门源电压
4
I
D
- 漏电流（mA ）
16
V
G2S
=5V
12
4V
8
4
1.5V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
1V
8
9
V
DS
- 漏源电压（ V）
3V
2V
3
2
1
V
DS
=9V
f=200MHz
0
0
1
2
3
4
5
6
95 11150
95 11153
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图2.漏极电流与漏源电压
图5.门1输入电容与
2号门源电压
2
C
OSS
- 输出电容（pF ）
20
V
DS
=9V
I
D
- 漏电流（mA ）
16
1.5
12
1
8
4
0
0
1
2
3
4
0.5
V
G2S
=4V
f=200MHz
0
3
5
7
9
11
95 11151
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
95 11154
V
DS
- 漏源电压（ V）
图3.漏电流与2号门源电压
图6.输出电容与漏源电压
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (9)
文档编号85061
第3版， 20 -JAN- 99
S949T/S949TR/S949TRW
威世德律风根
20
- 传感器增益（dB ）
CM - 交叉调制（分贝）
80
0
60
–20
40
2
S
21
–40
V
DS
=9V
f=800MHz
–60
0
1
2
3
4
20
V
DS
=9V
f=800MHz
0
2
3
4
5
6
95 11155
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
95 11156
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图7.传感器增益与2号门源电压
图8.交叉调制与2号门源电压
文档编号85061
第3版， 20 -JAN- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
5 (9)
S949T/S949TR/S949TRW
威世德律风根
MOSMIC
电视调谐器预安排与9 V电源
电压
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
低噪声增益控制输入级UHF-和
VHF波段调谐器9 V电源电压。
AGC
在RF
C座
C座
G2
G1
S
D
RF OUT
C座
94 9296
RFC
V
DD
特点
D
D
D
D
集成门极保护二极管
低噪声系数
高增益
偏压片上网络
D
在增益减少，提高了交叉调制
D
高AGC范围
D
SMD封装
2
1
1
2
94 9279
13 579
94 9278
95 10831
3
4
4
3
S949T标记： 949
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
S949TR标记： 99R
塑料外壳（ SOT 143R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
1
2
13 654
13 566
4
3
S949TRW标记： W99
塑料外壳（ SOT 343R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
文档编号85061
第3版， 20 -JAN- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (9)
S949T/S949TR/S949TRW
威世德律风根
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源电流峰值
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
测试条件
符号
价值
V
DS
12
I
D
30
±I
G1/G2SM
10
±V
G1/G2SM
6
P
合计
200
T
Ch
150
T
英镑
-55到+150
单位
V
mA
mA
V
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
60
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
1号门 - 源
击穿电压
2号门 - 源
击穿电压
1号门 - 源
漏电流
2号门 - 源
漏电流
漏电流
自偏置
工作电流
2号门 - 源
截止电压
测试条件
±I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
±I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
+V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
–V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 9 V, V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
V
DS
= 9 V, V
G1S
= NC ，V
G2S
= 4 V
V
DS
= 9 V, V
G1S
= NC ，我
D
= 100
m
A
符号
民
±V
(BR)G1SS
7
±V
(BR)G2SS
+I
G1SS
–I
G1SS
±I
G2SS
I
DSS
I
DSP
V
G2S(OFF)
50
8
7
典型值
最大单位
10
V
10
50
100
20
500
16
V
m
A
m
A
nA
m
A
mA
V
12
1.0
注意事项1号门关断模式：
在1号门无需外部直流电压工作模式！
关机，在1号门与V
G1S
< 0.7 V是可行的。
采用集电极开路开关晶体管（内部锁相环） ，将10千
W
集电极电阻。
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (9)
文档编号85061
第3版， 20 -JAN- 99
S949T/S949TR/S949TRW
威世德律风根
AC电气特性
V
DS
= 9 V, V
G2S
= 4 V，F = 1 MHz时，T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
电源克
收益
AGC范围
噪声系数
g
测试条件
符号
y
21s
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
D
G
ps
F
F
民
25
典型值
30
2.3
25
1
28
20
1
1.3
最大单位
35毫秒
2.7 pF的
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
V
DS
= 9 V, V
G2S
= 1至4 V中，f = 800MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
17
45
共源S参数
V
DS
= 9 V , V
G2S
= 4 V，Z
0
= 50
W,
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
S11
F / MHz的
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
1250
1300
登录
MAG
dB
–0.01
–0.03
–0.12
–0.19
–0.29
–0.40
–0.52
–0.66
–0.80
–0.95
–1.08
–1.25
–1.40
–1.53
–1.68
–1.83
–1.98
–2.08
–2.21
–2.34
–2.47
–2.62
–2.74
–2.84
–2.92
–3.04
昂
度
–4.7
–9.5
–14.0
–18.4
–23.1
–27.4
–31.9
–35.9
–39.9
–44.0
–47.9
–51.6
–55.3
–59.0
–62.5
–66.0
–69.4
–72.7
–76.0
–79.4
–82.6
–85.6
–88.8
–91.8
–94.8
–97.7
S21
登录
MAG
dB
9.57
9.48
9.38
9.26
9.11
8.96
8.73
8.57
8.33
8.14
7.93
7.70
7.48
7.25
7.10
6.90
6.71
6.52
6.36
6.17
6.02
5.80
5.69
5.56
5.52
5.34
昂
度
174.6
168.3
161.8
155.8
149.3
143.7
138.0
132.0
126.9
121.5
116.3
110.9
106.5
101.6
96.9
92.1
87.6
82.6
78.0
74.0
69.7
65.0
60.5
56.3
51.9
47.1
S12
登录
MAG
dB
–62.54
–56.18
–52.86
–50.58
–48.96
–47.89
–47.02
–46.44
–46.25
–46.08
–46.21
–46.22
–46.19
–46.47
–47.15
–47.48
–47.39
–46.82
–45.32
–44.07
–43.32
–42.50
–41.25
–39.97
–38.65
–37.46
昂
度
87.6
84.2
81.0
78.7
75.6
73.4
71.5
70.0
69.1
68.7
69.9
73.2
74.3
78.5
83.5
92.3
103.5
115.7
125.0
129.4
134.1
140.6
145.5
150.1
153.2
154.8
S22
登录
MAG
dB
–0.17
–0.23
–0.24
–0.26
–0.28
–0.33
–0.36
–0.40
–0.44
–0.48
–0.51
–0.55
–0.59
–0.61
–0.62
–0.65
–0.67
–0.70
–0.71
–0.68
–0.70
–0.74
–0.72
–0.69
–0.60
–0.67
昂
度
–2.3
–3.6
–5.4
–7.1
–9.1
–10.6
–12.3
–14.0
–15.6
–17.2
–18.8
–20.4
–21.7
–23.4
–24.9
–26.4
–28.0
–29.8
–31.4
–33.0
–34.6
–36.0
–37.8
–39.7
–41.9
–43.3
文档编号85061
第3版， 20 -JAN- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
3 (9)
S949T/S949TR/S949TRW
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
y
21s
- 正向纳（MS ）
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
250
40
200
30
150
20
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
10
V
DS
=9V
f=200MHz
0
0
1
2
3
4
95 10783
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
95 11152
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图1.总功耗对比
环境温度
C
issg1
- 1号门的输入电容（pF ）
20
图4.正向纳主场迎战
2号门源电压
4
I
D
- 漏电流（mA ）
16
V
G2S
=5V
12
4V
8
4
1.5V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
1V
8
9
V
DS
- 漏源电压（ V）
3V
2V
3
2
1
V
DS
=9V
f=200MHz
0
0
1
2
3
4
5
6
95 11150
95 11153
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图2.漏极电流与漏源电压
图5.门1输入电容与
2号门源电压
2
C
OSS
- 输出电容（pF ）
20
V
DS
=9V
I
D
- 漏电流（mA ）
16
1.5
12
1
8
4
0
0
1
2
3
4
0.5
V
G2S
=4V
f=200MHz
0
3
5
7
9
11
95 11151
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
95 11154
V
DS
- 漏源电压（ V）
图3.漏电流与2号门源电压
图6.输出电容与漏源电压
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (9)
文档编号85061
第3版， 20 -JAN- 99
S949T/S949TR/S949TRW
威世德律风根
20
- 传感器增益（dB ）
CM - 交叉调制（分贝）
80
0
60
–20
40
2
S
21
–40
V
DS
=9V
f=800MHz
–60
0
1
2
3
4
20
V
DS
=9V
f=800MHz
0
2
3
4
5
6
95 11155
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
95 11156
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图7.传感器增益与2号门源电压
图8.交叉调制与2号门源电压
文档编号85061
第3版， 20 -JAN- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
5 (9)
不适用于新的设计，这款产品将很快过时
S949T / S949TR / S949TRW
威世半导体
MOSMIC
电视调谐器预安排与9 V电源电压
2
1
评论
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
SOT143
特点
集成门极保护二极管
低噪声系数
e3
高增益
偏压片上网络
在增益减少，提高了交叉调制
高AGC范围
SMD封装
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
4
2
SOT143R
4
1
3
2
SOT343R
4
3
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
19216
应用
低噪声增益控制输入级UHF-和
VHF波段调谐器9 V电源电压。
机械数据
典型值：
S949T
案例：
SOT -143塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
典型值：
S949TR
案例：
SOT- 143R塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
典型值：
S949TRW
案例：
SOT- 343R塑料外壳
重量：
约。 6.0毫克
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
C座
AGC
在RF
C座
G2
G1
S
D
RFC
V
DD
(V
DS
)
RF OUT
C座
94 9296
文档编号85061
修订版1.5 ， 08 09月08
www.vishay.com
1
S949T / S949TR / S949TRW
威世半导体
零件表
部分
S949T
S949TR
S949TRW
949
99R
W99
记号
SOT-143
SOT-143R
SOT-343R
包
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
DS
I
D
± I
G1/G2SM
± V
G1/G2SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
12
30
10
6
200
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
mA
V
mW
°C
°C
最大热阻
参数
通道环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
上玻璃纤维印刷电路板（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
μm
Cu
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
1号门 - 源极击穿
电压
2号门 - 源极击穿
电压
测试条件
符号
民
7
7
典型值。
最大
10
10
50
100
20
50
8
12
1.0
500
16
单位
V
V
μA
μA
nA
μA
mA
V
± I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G1SS
± I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G2SS
+ I
G1SS
- I
G1SS
± I
G2SS
I
DSS
I
DSP
V
G2S(OFF)
1号门 - 源极漏电流+ V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
- V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极漏电流±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
漏电流
自偏置工作电流
2号门 - 源截止电压
V
DS
= 9 V, V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
V
DS
= 9 V, V
G1S
= NC ，V
G2S
= 4 V
V
DS
= 9 V, V
G1S
= NC ，
I
D
= 100
μA
注意事项1号门关断模式：
在1号门无需外部直流电压工作模式！
关机，在1号门与V
G1S
< 0.7 V是可行的。
采用集电极开路开关晶体管（ PLL内） ，将10 kΩ的集电极电阻。
www.vishay.com
2
文档编号85061
修订版1.5 ， 08 09月08
S949T / S949TR / S949TRW
威世半导体
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
V
DS
= 9 V, V
G2S
= 4 V，F = 1兆赫
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒，
F = 800 MHz的
AGC范围
噪声系数
V
DS
= 9 V, V
G2S
= 1至4伏，
F = 800 MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒，
F = 800 MHz的
测试条件
符号
|y
21s
|
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
ΔG
ps
F
F
17
45
1
1.3
民
25
典型值。
30
2.3
25
1
28
20
最大
35
2.7
单位
mS
pF
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
公共发射极S参数
V
DS
= 9 V, V
G2S
= 4 V，Z
0
= 50
Ω,
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
F / MHz的
登录
MAG
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
1250
1300
-0.01
-0.03
-0.12
-0.19
-0.29
-0.40
-0.52
-0.66
-0.80
-0.95
-1.08
-1.25
-1.40
-1.53
-1.68
-1.83
-1.98
-2.08
-2.21
-2.34
-2.47
-2.62
-2.74
-2.84
-2.92
-3.04
S11
昂
度
-4.7
-9.5
-14.0
-18.4
-23.1
-27.4
-31.9
-35.9
-39.9
-44.0
-47.9
-51.6
-55.3
-59.0
-62.5
-66.0
-69.4
-72.7
-76.0
-79.4
-82.6
-85.6
-88.8
-91.8
-94.8
-97.7
9.57
9.48
9.38
9.26
9.11
8.96
8.73
8.57
8.33
8.14
7.93
7.70
7.48
7.25
7.10
6.90
6.71
6.52
6.36
6.17
6.02
5.80
5.69
5.56
5.52
5.34
登录
MAG
S21
昂
度
174.6
168.3
161.8
155.8
149.3
143.7
138.0
132.0
126.9
121.5
116.3
110.9
106.5
101.6
96.9
92.1
87.6
82.6
78.0
74.0
69.7
65.0
60.5
56.3
51.9
47.1
-62.54
-56.18
-52.86
-50.58
-48.96
-47.89
-47.02
-46.44
-46.25
-46.08
-46.21
-46.22
-46.19
-46.47
-47.15
-47.48
-47.39
-46.82
-45.32
-44.07
-43.32
-42.50
-41.25
-39.97
-38.65
-37.46
登录
MAG
S12
昂
度
87.6
84.2
81.0
78.7
75.6
73.4
71.5
70.0
69.1
68.7
69.9
73.2
74.3
78.5
83.5
92.3
103.5
115.7
125.0
129.4
134.1
140.6
145.5
150.1
153.2
154.8
-0.17
-0.23
-0.24
-0.26
-0.28
-0.33
-0.36
-0.40
-0.44
-0.48
-0.51
-0.55
-0.59
-0.61
-0.62
-0.65
-0.67
-0.70
-0.71
-0.68
-0.70
-0.74
-0.72
-0.69
-0.60
-0.67
登录
MAG
S22
昂
度
-2.3
-3.6
-5.4
-7.1
-9.1
-10.6
-12.3
-14.0
-15.6
-17.2
-18.8
-20.4
-21.7
-23.4
-24.9
-26.4
-28.0
-29.8
-31.4
-33.0
-34.6
-36.0
-37.8
-39.7
-41.9
-43.3
文档编号85061
修订版1.5 ， 08 09月08
www.vishay.com
3
S949T / S949TR / S949TRW
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
y
21s
- 正向纳（MS ）
250
P –
合计
总功率耗散（ mW）的
40
200
30
150
20
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
10
V
DS
= 9 V
F = 200 MHz的
0
0
1
2
3
4
V
G2S
- 2号门源V oltage （ V）
95 10783
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
95 11152
图1.总功率耗散与环境温度
图4.正向纳主场迎战2号门源电压
C
issg1
- 1号门的输入电容（pF ）
20
I
D
- 漏电流（mA ）
4
16
V
G2S
= 5 V
12
4V
8
4
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
1V
8
9
V
DS
- 漏源电压（ V）
3V
2V
3
2
1
V
DS
= 9 V
F = 200 MHz的
0
0
1
2
3
4
5
6
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
95 11150
95 1
1153
图2.漏极电流与漏源电压
图5.门1输入电容与2号门源电压
V
DS
= 9 V
I
D
- 漏电流（mA ）
16
C
OSS
- 输出电容（pF ）
20
2
1.5
12
1
8
4
0
0
1
2
3
4
0.5
V
G2S
= 4 V
F = 200 MHz的
0
3
5
7
9
11
95 11151
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
95 11154
V
DS
- 漏源电压（ V）
图3.漏电流与2号门源电压
图6.输出电容与漏源电压
www.vishay.com
4
文档编号85061
修订版1.5 ， 08 09月08
S949T / S949TR / S949TRW
威世半导体
20
-Transducer增益（ dB）的
S
21
2
0
–20
–40
V
DS
= 9 V
F = 800 MHz的
–60
0
1
2
3
4
95 1
1155
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图7.传感器增益与2号门源电压
80
CM - 交叉调制（分贝）
P
in
= -20 dBm的
60
40
20
V
DS
= 9 V
F = 800 MHz的
0
2
3
4
5
6
95 11156
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图8.交叉调制与2号门源电压
文档编号85061
修订版1.5 ， 08 09月08
www.vishay.com
5
S949T / S949TR / S949TRW
威世半导体
MOSMIC
电视调谐器预安排与9 V电源电压
2
1
评论
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
SOT-143
特点
集成门极保护二极管
低噪声系数
e3
高增益
偏压片上网络
在增益减少，提高了交叉调制
高AGC范围
SMD封装
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
4
2
SOT-143R
4
1
3
2
SOT-343R
4
3
19216
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
低噪声增益控制输入级UHF-和
VHF波段调谐器9 V电源电压。
机械数据
典型值：
S949T
案例：
SOT -143塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
典型值：
S949TR
案例：
SOT- 143R塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
典型值：
S949TRW
案例：
SOT- 343R塑料外壳
重量：
约。 6.0毫克
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
C座
AGC
在RF
C座
G2
G1
S
D
RFC
V
DD
(V
DS
)
RF OUT
C座
94 9296
文档编号85061
修订版1.4 ， 02月， 05
www.vishay.com
1
S949T / S949TR / S949TRW
威世半导体
零件表
部分
S949T
S949TR
S949TRW
949
99R
W99
记号
SOT-143
SOT-143R
SOT-343R
包
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
DS
I
D
± I
G1/G2SM
± V
G1/G2SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
12
30
10
6
200
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
mA
V
mW
°C
°C
最大热阻
参数
通道环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
上玻璃纤维印刷电路板（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
μm
Cu
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
1号门 - 源极击穿
电压
2号门 - 源极击穿
电压
测试条件
符号
民
7
7
典型值。
最大
10
10
50
100
20
50
8
12
1.0
500
16
单位
V
V
μA
μA
nA
μA
mA
V
± I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G1SS
± I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G2SS
+ I
G1SS
- I
G1SS
± I
G2SS
I
DSS
I
DSP
V
G2S(OFF)
1号门 - 源极漏电流+ V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
- V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极漏电流±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
漏电流
自偏置工作电流
2号门 - 源截止电压
V
DS
= 9 V, V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
V
DS
= 9 V, V
G1S
= NC ，V
G2S
= 4 V
V
DS
= 9 V, V
G1S
= NC ，
I
D
= 100
μA
注意事项1号门关断模式：
在1号门无需外部直流电压工作模式！
关机，在1号门与V
G1S
< 0.7 V是可行的。
采用集电极开路开关晶体管（ PLL内） ，将10 kΩ的集电极电阻。
www.vishay.com
2
文档编号85061
修订版1.4 ， 02月， 05
S949T / S949TR / S949TRW
威世半导体
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
V
DS
= 9 V, V
G2S
= 4 V，F = 1兆赫
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒，
F = 800 MHz的
AGC范围
噪声系数
V
DS
= 9 V, V
G2S
= 1至4伏，
F = 800 MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒，
F = 800 MHz的
测试条件
符号
|y
21s
|
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
ΔG
ps
F
F
17
45
1
1.3
民
25
典型值。
30
2.3
25
1
28
20
最大
35
2.7
单位
mS
pF
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
公共发射极S参数
V
DS
= 9 V, V
G2S
= 4 V，Z
0
= 50
Ω,
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
F / MHz的
登录
MAG
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
1250
1300
-0.01
-0.03
-0.12
-0.19
-0.29
-0.40
-0.52
-0.66
-0.80
-0.95
-1.08
-1.25
-1.40
-1.53
-1.68
-1.83
-1.98
-2.08
-2.21
-2.34
-2.47
-2.62
-2.74
-2.84
-2.92
-3.04
S11
昂
度
-4.7
-9.5
-14.0
-18.4
-23.1
-27.4
-31.9
-35.9
-39.9
-44.0
-47.9
-51.6
-55.3
-59.0
-62.5
-66.0
-69.4
-72.7
-76.0
-79.4
-82.6
-85.6
-88.8
-91.8
-94.8
-97.7
9.57
9.48
9.38
9.26
9.11
8.96
8.73
8.57
8.33
8.14
7.93
7.70
7.48
7.25
7.10
6.90
6.71
6.52
6.36
6.17
6.02
5.80
5.69
5.56
5.52
5.34
登录
MAG
S21
昂
度
174.6
168.3
161.8
155.8
149.3
143.7
138.0
132.0
126.9
121.5
116.3
110.9
106.5
101.6
96.9
92.1
87.6
82.6
78.0
74.0
69.7
65.0
60.5
56.3
51.9
47.1
-62.54
-56.18
-52.86
-50.58
-48.96
-47.89
-47.02
-46.44
-46.25
-46.08
-46.21
-46.22
-46.19
-46.47
-47.15
-47.48
-47.39
-46.82
-45.32
-44.07
-43.32
-42.50
-41.25
-39.97
-38.65
-37.46
登录
MAG
S12
昂
度
87.6
84.2
81.0
78.7
75.6
73.4
71.5
70.0
69.1
68.7
69.9
73.2
74.3
78.5
83.5
92.3
103.5
115.7
125.0
129.4
134.1
140.6
145.5
150.1
153.2
154.8
-0.17
-0.23
-0.24
-0.26
-0.28
-0.33
-0.36
-0.40
-0.44
-0.48
-0.51
-0.55
-0.59
-0.61
-0.62
-0.65
-0.67
-0.70
-0.71
-0.68
-0.70
-0.74
-0.72
-0.69
-0.60
-0.67
登录
MAG
S22
昂
度
-2.3
-3.6
-5.4
-7.1
-9.1
-10.6
-12.3
-14.0
-15.6
-17.2
-18.8
-20.4
-21.7
-23.4
-24.9
-26.4
-28.0
-29.8
-31.4
-33.0
-34.6
-36.0
-37.8
-39.7
-41.9
-43.3
文档编号85061
修订版1.4 ， 02月， 05
www.vishay.com
3
S949T / S949TR / S949TRW
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
y
21s
- 正向纳（MS ）
250
P –
合计
总功率耗散（ mW）的
40
200
30
150
20
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
10
V
DS
=9V
f=200MHz
0
0
1
2
3
4
95 10783
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
95 11152
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图1.总功率耗散与环境温度
图4.正向纳主场迎战2号门源电压
C
issg1
- 1号门的输入电容（pF ）
20
I
D
- 漏电流（mA ）
4
16
V
G2S
= 5 V
12
4V
8
4
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
1V
8
9
V
DS
- 漏源电压（ V）
3V
2V
3
2
1
V
DS
= 9 V
F = 200 MHz的
0
0
1
2
3
4
5
6
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
95 11150
95 1
1153
图2.漏极电流与漏源电压
图5.门1输入电容与2号门源电压
V
DS
= 9 V
I
D
- 漏电流（mA ）
16
C
OSS
- 输出电容（pF ）
20
2
1.5
12
1
8
4
0
0
1
2
3
4
0.5
V
G2S
= 4 V
F = 200 MHz的
0
3
5
7
9
11
95 11151
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
95 11154
V
DS
- 漏源电压（ V）
图3.漏电流与2号门源电压
图6.输出电容与漏源电压
www.vishay.com
4
文档编号85061
修订版1.4 ， 02月， 05
S949T / S949TR / S949TRW
威世半导体
20
-Transducer增益（ dB）的
S
21
2
0
–20
–40
V
DS
= 9 V
F = 800 MHz的
–60
0
1
2
3
4
95 1
1155
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图7.传感器增益与2号门源电压
80
CM - 交叉调制（分贝）
P
in
= -20 dBm的
60
40
20
V
DS
= 9 V
F = 800 MHz的
0
2
3
4
5
6
95 11156
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图8.交叉调制与2号门源电压
文档编号85061
修订版1.4 ， 02月， 05
www.vishay.com
5
查看更多S949TRPDF信息
推荐型号
S2010V
S71WS512NC0BFWY72
STK2240
S-25C080A01-H8T3
SN54S133
S71PL127JB0BFW9Z2
SHD114645B
SAA7388
SN74S1053DW
SN74LVCC4245APWR
S29GL256N
S6210M
S-814A22AUC-BCMT2G
SMH4814NR00
SM8504
S1A0136A01
SDP530D
S29CD016J1JFAM002
SRR1208-2R5ML
S7DB-08B330
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    S949TR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市灿亿佳电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2481682028 复制 点击这里给我发消息 QQ：936045363 复制

电话：13424184668
联系人：肖佳欣
地址：广东省深圳市福田区深南中路华强电子世界
S949TR
NULL
24+
8000000
SMD
13424184668 原厂直销 大量现货 可开票 原装正品
深圳市品优时代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003319701 复制
电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
S949TR
VISHAY
2019
79600
SOT-143
原装正品 钻石品质 假一赔十
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
S949TR
VISHAY/威世
2443+
23000
SOT-143
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
S949TR
VISHAY
24+
18650
SOT-143
全新原装现货，原厂代理。
深圳市金鑫弈科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：358410056 复制
电话：755-83349415/83229300
联系人：侯先生
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园2栋中809室.
S949TR
tfk
13+
19560
进口原装假一赔十
深圳市易信优科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制

电话：0755-23914006/18318877587
联系人：陈佳隆
地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
S949TR
VISHAY/威世
24+
21000
SOT143
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
深圳市毅创腾电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2355507163 复制 点击这里给我发消息 QQ：2355507169 复制

电话：755-83210909 / 83616256
联系人：夏先生
地址：深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室（亚太地区XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿特拉）专业分销商！)
S949TR
VISHAY
22+
33000
SOT-143
★正规进口原厂正品★绝对优势热卖★
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
S949TR
VISHAY/威世
2024
20000
SOT143
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
深圳德田科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：229754250 复制

电话：0755-83254070/18680328178
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技工业园4栋9层9B10房
S949TR
VISHAY/威世
21+
32000
SOT-143
全新原装现货，质量保证，可开税票，可出样品！
深圳市芯满林科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息

电话：18926544209/18025435189
联系人：夏小姐/朱先生
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
S949TR
VISHAY/威世
24+
32000
SOT143
百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！
查询更多S949TR供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！