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S913T/S913TR/S913TRW
威世德律风根
MOSMIC
电视调谐器预安排与9 V电源
电压
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
低噪声增益控制输入级UHF-和
VHF波段调谐器9 V电源电压。
AGC
在RF
C座
C座
G2
G1
S
D
RF OUT
C座
94 9296
RFC
V
DD
特点
D
D
D
D
集成门极保护二极管
低噪声系数
高增益
偏压片上网络
D
在增益减少，提高了交叉调制
D
高AGC范围
D
SMD封装
2
1
1
2
94 9279
13 579
94 9278
95 10831
3
4
4
3
S913T标记： 913
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
S913TR标记： 13R
塑料外壳（ SOT 143R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
1
2
13 654
13 566
4
3
S913TRW标记： W13
塑料外壳（ SOT 343R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
文档编号85059
第3版， 20 -JAN- 99
www.vishay.de
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1 (9)
S913T/S913TR/S913TRW
威世德律风根
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源电流峰值
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
测试条件
符号
价值
V
DS
12
I
D
30
±I
G1/G2SM
10
±V
G1/G2SM
6
P
合计
200
T
Ch
150
T
英镑
-55到+150
单位
V
mA
mA
V
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
60
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
1号门 - 源
击穿电压
2号门 - 源
击穿电压
1号门 - 源
漏电流
2号门 - 源
漏电流
漏电流
自偏置
工作电流
2号门 - 源
截止电压
测试条件
±I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
±I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
+V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
–V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 9 V, V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
V
DS
= 9 V, V
G1S
= NC ，V
G2S
= 4 V
V
DS
= 9 V, V
G1S
= NC ，我
D
= 100
m
A
符号
民
±V
(BR)G1SS
7
±V
(BR)G2SS
+I
G1SS
–I
G1SS
±I
G2SS
I
DSS
I
DSP
V
G2S(OFF)
50
7
7
典型值
最大单位
10
V
10
50
100
20
500
14
V
m
A
m
A
nA
m
A
mA
V
10
1.0
注意事项1号门关断模式：
在1号门无需外部直流电压工作模式！
关机，在1号门与V
G1S
< 0.7 V是可行的。
采用集电极开路开关晶体管（内部锁相环） ，将10千
W
集电极电阻。
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2 (9)
文档编号85059
第3版， 20 -JAN- 99
S913T/S913TR/S913TRW
威世德律风根
AC电气特性
V
DS
= 9 V, V
G2S
= 4 V，F = 1 MHz时，T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
电源克
收益
AGC范围
噪声系数
g
测试条件
符号最小值
y
21s
20
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
16.5
D
G
ps
40
F
F
典型值
24
2.1
20
0.9
26
20
1
1.3
最大单位
28毫秒
2.5 pF的
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
V
DS
= 9 V, V
G2S
= 1至4 V中，f = 800MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
共源S参数
V
DS
= 9 V , V
G2S
= 4 V，Z
0
= 50
W,
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
S11
F / MHz的
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
1250
1300
登录
MAG
dB
–0.02
–0.04
–0.12
–0.19
–0.29
–0.41
–0.52
–0.66
–0.81
–0.97
–1.12
–1.28
–1.42
–1.55
–1.70
–1.87
–1.99
–2.11
–2.24
–2.38
–2.50
–2.67
–2.72
–2.85
–2.95
–3.06
昂
度
–4.1
–7.9
–11.9
–15.7
–19.7
–23.1
–26.8
–30.3
–33.6
–36.9
–40.3
–43.3
–46.5
–49.6
–52.4
–55.4
–58.4
–61.3
–64.2
–67.1
–69.9
–72.8
–75.7
–78.5
–81.4
–84.4
S21
登录
MAG
dB
7.50
7.41
7.31
7.20
7.07
6.94
6.71
6.59
6.34
6.17
5.96
5.74
5.55
5.36
5.17
4.98
4.84
4.68
4.52
4.31
4.14
3.96
3.90
3.80
3.67
3.55
昂
度
174.9
169.0
162.9
157.3
150.8
145.8
140.0
134.8
129.9
124.6
119.7
114.7
110.6
105.8
101.5
97.0
93.0
88.4
84.5
80.3
75.8
71.9
67.6
64.2
60.0
55.7
S12
登录
MAG
dB
–63.74
–57.58
–54.15
–51.78
–50.15
–48.89
–47.92
–47.25
–46.77
–46.47
–46.32
–46.34
–46.24
–46.36
–46.67
–47.12
–47.41
–47.72
–47.55
–47.07
–46.96
–46.72
–45.93
–44.91
–43.76
–42.39
昂
度
88.2
85.0
82.1
79.3
76.8
75.0
72.9
71.2
69.8
68.5
67.8
68.8
70.0
71.0
72.9
76.2
81.6
89.3
98.3
104.4
110.4
119.7
128.4
137.0
144.2
149.1
S22
登录
MAG
dB
–0.13
–0.14
–0.16
–0.18
–0.20
–0.24
–0.27
–0.31
–0.35
–0.40
–0.44
–0.49
–0.54
–0.57
–0.62
–0.66
–0.71
–0.74
–0.79
–0.86
–0.95
–0.98
–1.01
–1.03
–1.06
–1.15
昂
度
–1.6
–3.0
–4.5
–5.8
–7.6
–8.9
–10.2
–11.7
–12.9
–14.5
–15.7
–17.0
–18.2
–19.4
–20.8
–22.0
–23.3
–24.8
–25.9
–27.3
–28.4
–29.7
–31.1
–32.4
–33.8
–35.0
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S913T/S913TR/S913TRW
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
y
21s
- 正向纳（MS ）
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
250
40
V
DS
=9V
f=200MHz
30
200
150
20
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
10
0
0
95 10774
1
2
3
4
95 10771
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图1.总功耗对比
环境温度
C
issg1
- 1号门的输入电容（pF ）
20
图4.正向纳主场迎战
2号门源电压
4
I
D
- 漏电流（mA ）
16
3
12
V
G2S
=5V
8
4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
4V
3V
2V
2
1
V
DS
=9V
f=200MHz
0
0
1
2
3
4
5
6
1V
8
9
95 10775
95 10772
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图2.漏极电流与漏源电压
图5.门1输入电容与
2号门源电压
2
C
OSS
- 输出电容（pF ）
20
V
DS
=9V
I
D
- 漏电流（mA ）
16
V
G2S
=4V
f=200MHz
1.5
12
1
8
4
0
0
1
2
3
4
0.5
0
3
95 11145
5
7
9
11
95 10773
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
图3.漏电流与2号门源电压
图6.输出电容与漏源电压
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S913T/S913TR/S913TRW
威世德律风根
20
- 传感器增益（dB ）
CM - 交叉调制（分贝）
80
0
60
–20
40
2
S
21
–40
V
DS
=9V
f=800MHz
–60
0
1
2
3
4
20
V
DS
=9V
f=800MHz
0
2
3
4
5
6
95 10776
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
95 11146
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图7.传感器增益与2号门源电压
图8.交叉调制与2号门源电压
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S913T/S913TR/S913TRW
威世德律风根
MOSMIC
电视调谐器预安排与9 V电源
电压
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
低噪声增益控制输入级UHF-和
VHF波段调谐器9 V电源电压。
AGC
在RF
C座
C座
G2
G1
S
D
RF OUT
C座
94 9296
RFC
V
DD
特点
D
D
D
D
集成门极保护二极管
低噪声系数
高增益
偏压片上网络
D
在增益减少，提高了交叉调制
D
高AGC范围
D
SMD封装
2
1
1
2
94 9279
13 579
94 9278
95 10831
3
4
4
3
S913T标记： 913
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
S913TR标记： 13R
塑料外壳（ SOT 143R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
1
2
13 654
13 566
4
3
S913TRW标记： W13
塑料外壳（ SOT 343R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
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S913T/S913TR/S913TRW
威世德律风根
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源电流峰值
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
测试条件
符号
价值
V
DS
12
I
D
30
±I
G1/G2SM
10
±V
G1/G2SM
6
P
合计
200
T
Ch
150
T
英镑
-55到+150
单位
V
mA
mA
V
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
60
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
1号门 - 源
击穿电压
2号门 - 源
击穿电压
1号门 - 源
漏电流
2号门 - 源
漏电流
漏电流
自偏置
工作电流
2号门 - 源
截止电压
测试条件
±I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
±I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
+V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
–V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 9 V, V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
V
DS
= 9 V, V
G1S
= NC ，V
G2S
= 4 V
V
DS
= 9 V, V
G1S
= NC ，我
D
= 100
m
A
符号
民
±V
(BR)G1SS
7
±V
(BR)G2SS
+I
G1SS
–I
G1SS
±I
G2SS
I
DSS
I
DSP
V
G2S(OFF)
50
7
7
典型值
最大单位
10
V
10
50
100
20
500
14
V
m
A
m
A
nA
m
A
mA
V
10
1.0
注意事项1号门关断模式：
在1号门无需外部直流电压工作模式！
关机，在1号门与V
G1S
< 0.7 V是可行的。
采用集电极开路开关晶体管（内部锁相环） ，将10千
W
集电极电阻。
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S913T/S913TR/S913TRW
威世德律风根
AC电气特性
V
DS
= 9 V, V
G2S
= 4 V，F = 1 MHz时，T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
电源克
收益
AGC范围
噪声系数
g
测试条件
符号最小值
y
21s
20
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
16.5
D
G
ps
40
F
F
典型值
24
2.1
20
0.9
26
20
1
1.3
最大单位
28毫秒
2.5 pF的
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
V
DS
= 9 V, V
G2S
= 1至4 V中，f = 800MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
共源S参数
V
DS
= 9 V , V
G2S
= 4 V，Z
0
= 50
W,
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
S11
F / MHz的
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
1250
1300
登录
MAG
dB
–0.02
–0.04
–0.12
–0.19
–0.29
–0.41
–0.52
–0.66
–0.81
–0.97
–1.12
–1.28
–1.42
–1.55
–1.70
–1.87
–1.99
–2.11
–2.24
–2.38
–2.50
–2.67
–2.72
–2.85
–2.95
–3.06
昂
度
–4.1
–7.9
–11.9
–15.7
–19.7
–23.1
–26.8
–30.3
–33.6
–36.9
–40.3
–43.3
–46.5
–49.6
–52.4
–55.4
–58.4
–61.3
–64.2
–67.1
–69.9
–72.8
–75.7
–78.5
–81.4
–84.4
S21
登录
MAG
dB
7.50
7.41
7.31
7.20
7.07
6.94
6.71
6.59
6.34
6.17
5.96
5.74
5.55
5.36
5.17
4.98
4.84
4.68
4.52
4.31
4.14
3.96
3.90
3.80
3.67
3.55
昂
度
174.9
169.0
162.9
157.3
150.8
145.8
140.0
134.8
129.9
124.6
119.7
114.7
110.6
105.8
101.5
97.0
93.0
88.4
84.5
80.3
75.8
71.9
67.6
64.2
60.0
55.7
S12
登录
MAG
dB
–63.74
–57.58
–54.15
–51.78
–50.15
–48.89
–47.92
–47.25
–46.77
–46.47
–46.32
–46.34
–46.24
–46.36
–46.67
–47.12
–47.41
–47.72
–47.55
–47.07
–46.96
–46.72
–45.93
–44.91
–43.76
–42.39
昂
度
88.2
85.0
82.1
79.3
76.8
75.0
72.9
71.2
69.8
68.5
67.8
68.8
70.0
71.0
72.9
76.2
81.6
89.3
98.3
104.4
110.4
119.7
128.4
137.0
144.2
149.1
S22
登录
MAG
dB
–0.13
–0.14
–0.16
–0.18
–0.20
–0.24
–0.27
–0.31
–0.35
–0.40
–0.44
–0.49
–0.54
–0.57
–0.62
–0.66
–0.71
–0.74
–0.79
–0.86
–0.95
–0.98
–1.01
–1.03
–1.06
–1.15
昂
度
–1.6
–3.0
–4.5
–5.8
–7.6
–8.9
–10.2
–11.7
–12.9
–14.5
–15.7
–17.0
–18.2
–19.4
–20.8
–22.0
–23.3
–24.8
–25.9
–27.3
–28.4
–29.7
–31.1
–32.4
–33.8
–35.0
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典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
y
21s
- 正向纳（MS ）
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
250
40
V
DS
=9V
f=200MHz
30
200
150
20
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
10
0
0
95 10774
1
2
3
4
95 10771
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图1.总功耗对比
环境温度
C
issg1
- 1号门的输入电容（pF ）
20
图4.正向纳主场迎战
2号门源电压
4
I
D
- 漏电流（mA ）
16
3
12
V
G2S
=5V
8
4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
4V
3V
2V
2
1
V
DS
=9V
f=200MHz
0
0
1
2
3
4
5
6
1V
8
9
95 10775
95 10772
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图2.漏极电流与漏源电压
图5.门1输入电容与
2号门源电压
2
C
OSS
- 输出电容（pF ）
20
V
DS
=9V
I
D
- 漏电流（mA ）
16
V
G2S
=4V
f=200MHz
1.5
12
1
8
4
0
0
1
2
3
4
0.5
0
3
95 11145
5
7
9
11
95 10773
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
图3.漏电流与2号门源电压
图6.输出电容与漏源电压
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20
- 传感器增益（dB ）
CM - 交叉调制（分贝）
80
0
60
–20
40
2
S
21
–40
V
DS
=9V
f=800MHz
–60
0
1
2
3
4
20
V
DS
=9V
f=800MHz
0
2
3
4
5
6
95 10776
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
95 11146
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图7.传感器增益与2号门源电压
图8.交叉调制与2号门源电压
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