S904T/S904TR
威世德律风根
MOSMIC
电视调谐器预安排与9 V电源
电压
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
C座
AGC
在RF
C座
G2
G1
S
D
RF OUT
C座
94 9296
应用
低噪声增益控制输入级UHF-和
VHF波段调谐器9 V电源电压。
RFC
V
DD
特点
D
D
D
D
集成门极保护二极管
低噪声系数
20毫秒着纳
偏压片上网络
D
在增益减少，提高了交叉调制
D
高AGC范围
D
SMD封装
1
2
2
1
94 9279
13 579
94 9278
95 10831
3
4
4
3
S904T标记： 904
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
S904TR标记： 90R
塑料外壳（ SOT 143R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源电流峰值
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
测试条件
符号
价值
V
DS
12
I
D
30
±I
G1/G2SM
10
±V
G1/G2SM
6
P
合计
200
T
Ch
150
T
英镑
-55到+150
单位
V
mA
mA
V
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
60
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
文档编号85068
第3版， 20 -JAN- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (4)
S904T/S904TR
威世德律风根
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
1号门 - 源
击穿电压
2号门 - 源
击穿电压
1号门 - 源
漏电流
2号门 - 源
漏电流
漏电流
自偏置
工作电流
2号门 - 源
截止电压
测试条件
±I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
±I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
+V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
–V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 9 V, V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
V
DS
= 9 V, V
G1S
= NC ，V
G2S
= 4 V
V
DS
= 9 V, V
G1S
= NC ，我
D
= 20
m
A
符号
民
±V
(BR)G1SS
7
±V
(BR)G2SS
+I
G1SS
–I
G1SS
±I
G2SS
I
DSS
I
DSP
V
G2S(OFF)
50
7
7
典型值
最大单位
10
V
10
50
100
20
500
14
V
m
A
m
A
nA
m
A
mA
V
10
1.0
AC电气特性
V
DS
= 9 V, V
G2S
= 4 V，F = 1 MHz时，T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
电源克
收益
AGC范围
噪声系数
g
测试条件
符号最小值
y
21s
17
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
16.5
D
G
ps
40
F
F
典型值
20
2.0
20
0.9
26
20
1
1.6
最大单位
23毫秒
2.5 pF的
fF
pF
dB
dB
dB
dB
2.5分贝
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
V
DS
= 9 V, V
G2S
= 1至4 V中，f = 800MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
注意事项1号门关断模式：
在1号门无需外部直流电压工作模式！
关机，在1号门与V
G1S
< 0.7 V是可行的。
采用集电极开路开关晶体管（内部锁相环） ，将10千
W
集电极电阻。
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (4)
文档编号85068
第3版， 20 -JAN- 99
S904T/S904TR
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
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威世德律风根
MOSMIC
电视调谐器预安排与9 V电源
电压
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
C座
AGC
在RF
C座
G2
G1
S
D
RF OUT
C座
94 9296
应用
低噪声增益控制输入级UHF-和
VHF波段调谐器9 V电源电压。
RFC
V
DD
特点
D
D
D
D
集成门极保护二极管
低噪声系数
20毫秒着纳
偏压片上网络
D
在增益减少，提高了交叉调制
D
高AGC范围
D
SMD封装
1
2
2
1
94 9279
13 579
94 9278
95 10831
3
4
4
3
S904T标记： 904
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
S904TR标记： 90R
塑料外壳（ SOT 143R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源电流峰值
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
测试条件
符号
价值
V
DS
12
I
D
30
±I
G1/G2SM
10
±V
G1/G2SM
6
P
合计
200
T
Ch
150
T
英镑
-55到+150
单位
V
mA
mA
V
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
60
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
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电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
1号门 - 源
击穿电压
2号门 - 源
击穿电压
1号门 - 源
漏电流
2号门 - 源
漏电流
漏电流
自偏置
工作电流
2号门 - 源
截止电压
测试条件
±I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
±I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
+V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
–V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 9 V, V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
V
DS
= 9 V, V
G1S
= NC ，V
G2S
= 4 V
V
DS
= 9 V, V
G1S
= NC ，我
D
= 20
m
A
符号
民
±V
(BR)G1SS
7
±V
(BR)G2SS
+I
G1SS
–I
G1SS
±I
G2SS
I
DSS
I
DSP
V
G2S(OFF)
50
7
7
典型值
最大单位
10
V
10
50
100
20
500
14
V
m
A
m
A
nA
m
A
mA
V
10
1.0
AC电气特性
V
DS
= 9 V, V
G2S
= 4 V，F = 1 MHz时，T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
电源克
收益
AGC范围
噪声系数
g
测试条件
符号最小值
y
21s
17
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
16.5
D
G
ps
40
F
F
典型值
20
2.0
20
0.9
26
20
1
1.6
最大单位
23毫秒
2.5 pF的
fF
pF
dB
dB
dB
dB
2.5分贝
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
V
DS
= 9 V, V
G2S
= 1至4 V中，f = 800MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
注意事项1号门关断模式：
在1号门无需外部直流电压工作模式！
关机，在1号门与V
G1S
< 0.7 V是可行的。
采用集电极开路开关晶体管（内部锁相环） ，将10千
W
集电极电阻。
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2 (4)
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消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
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to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
www.vishay.de
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4 (4)
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