江苏长电科技股份有限公司
WBFBP - 03B塑封装晶体管
C
S9018M
WBFBP-03B
晶体管
(1.2×1.2×0.5)
单位：mm
顶部
描述
NPN外延硅晶体管
特点
高电流增益带宽乘积F
T
= 1.1千兆赫（典型值）
应用
AM / FM功放， FM / VHF调谐器本振
对于便携式设备（如手机， MP3 ，MD ， CD - ROM ，
DVD-ROM ，笔记本电脑等）
标记： J8
C
1.基地
2.辐射源
3.收集
B
C
E
后
E
B
J8
Bé
最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温
储存温度
参数
价值
30
15
5
50
150
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
除非
TEST
否则
特定网络版）
民
30
15
5
0.05
0.1
0.1
70
190
0.5
1.4
600
1100
2
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
条件
I
C
= 100
A，I
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
=100
A，I
C
=0
V
CB
= 12V，我
E
=0
V
CE
= 12V，我
B
=0
V
EB
= 3V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 5毫安
A
A
A
f
T
C
敖包
f=
400MHz
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
SYM BOL
A
A1
b
b1
b2
D
E
D2
E2
e
L
L1
L2
k
z
IM ê N s个IO N s个在并购illim è T E R 5
M IN 。
M AX 。
0 .4 5 0
0 .5 5 0
0 .0 1 0
0 .0 9 0
0 .1 7 0
0 .2 7 0
0 .2 7 0
0 .3 7 0
0 0.2 5 0 R é F。
1 .1 5 0
1 .2 5 0
1 .1 5 0
1 .2 5 0
0 0.4 7 0 R é F。
0 0.8 1 0 R F。
0 0.8 0 ; 0 T P 。
0 0.2 8 0 R é F。
0 0.2 3 0 R é F。
0 .1 5 0 R é F。
0 0.3 0 0 R é F。
0 0.0 9 0 R é F。
IM ê N s个IO N s个在建华（E S）
M IN 。
M AX 。
0 .0 1 8
0 .0 2 2
0 .0 0 0
0 .0 0 4
0 .0 0 7
0 .0 1 1
0 .0 1 1
0 .0 1 5
0 0.0 1 0 R F。
0 .0 4 5
0 .0 4 9
0 .0 4 5
0 .0 4 9
0 0.0 0 2 R é F。
0 0.0 3 2 R é F。
0 0.0 3 2 T P 。
0 0.0 1 1 R F。
0 0.0 0 9 R é F。
0 0.0 0 6 R é F。
0 0.0 1 2 R é F。
0 0.0 0 4 R é F。
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WBFBP - 03B塑封装晶体管
C
S9018M
WBFBP-03B
晶体管
(1.2×1.2×0.5)
单位：mm
顶部
描述
NPN外延硅晶体管
特点
高电流增益带宽乘积F
T
= 1.1千兆赫（典型值）
应用
AM / FM功放， FM / VHF调谐器本振
对于便携式设备（如手机， MP3 ，MD ， CD - ROM ，
DVD-ROM ，笔记本电脑等）
标记： J8
C
1.基地
2.辐射源
3.收集
B
C
E
后
E
B
J8
Bé
最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温
储存温度
参数
价值
30
15
5
50
150
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
除非
TEST
否则
特定网络版）
民
30
15
5
0.05
0.1
0.1
70
190
0.5
1.4
600
1100
2
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
条件
I
C
= 100
A，I
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
=100
A，I
C
=0
V
CB
= 12V，我
E
=0
V
CE
= 12V，我
B
=0
V
EB
= 3V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 5毫安
A
A
A
f
T
C
敖包
f=
400MHz
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
SYM BOL
A
A1
b
b1
b2
D
E
D2
E2
e
L
L1
L2
k
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IM ê N s个IO N s个在并购illim è T E R 5
M IN 。
M AX 。
0 .4 5 0
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1 .1 5 0
1 .2 5 0
1 .1 5 0
1 .2 5 0
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0 0.2 8 0 R é F。
0 0.2 3 0 R é F。
0 .1 5 0 R é F。
0 0.3 0 0 R é F。
0 0.0 9 0 R é F。
IM ê N s个IO N s个在建华（E S）
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M AX 。
0 .0 1 8
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0 0.0 1 2 R é F。
0 0.0 0 4 R é F。
QQ：2880707522 复制
