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S901 5W
晶体管（ PNP ）
特点
小型表面贴装封装
高直流电流增益
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
-50
-45
-5
-100
200
625
150
-55½+150
单位
V
V
V
mA
mW
℃/W
℃
℃
1.基地
2.辐射源
3.收集
SOT–323
电气特性（T
a
= 25 ℃除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
TEST
条件
民
-50
-45
-5
-100
-100
200
1000
-0.3
-1
-0.6
150
7
-0.75
V
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
I
C
= -100μA ，我
E
=0
I
C
= -100μA ，我
B
=0
I
E
= -100μA ，我
C
=0
V
CB
= -50V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -5V ，我
C
=-1mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
V
CE
= -5V ，我
C
=-1mA
V
CE
=-5V,I
C
= -10mA ， F = 30MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
分类
h
FE
秩
范围
记号
L
200–450
M6
H
450–1000
１　
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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