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BL
银河电子
NPN硅外延平面晶体管
特点
高集电极电流。 （我
C
= 500mA）请
补充S9012 。
优秀
FE
线性度。
功耗（P
T
=200mW)
产品规格
S9013W
Pb
LEAD -FREE
应用
高集电极电流。
订购信息
型号
S9013W
记号
J3
SOT-323
封装代码
SOT-323
最大额定值
除非另有规定@ TA = 25 ℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j,
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
价值
40
单位
V
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
25
5
500
V
V
mA
集电极耗散
结温和存储温度
200
-55~150
mW
℃
文件编号： BL / SSSTF011
Rev.A的
www.galaxycn.com
1
BL
银河电子
NPN硅外延平面晶体管
产品规格
S9013W
电气特性
除非另有规定@ TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
测试条件
I
C
=100μA,I
E
=0
I
C
=0.1mA,I
B
=0
I
E
=100μA,I
C
=0
V
CB
=40V,I
E
=0
V
CE
=20V,I
B
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
=1V,I
C
=50mA
V
CE
=1V,I
C
=500mA
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
V
CE
= 6V ，我
C
= 20mA下
f=30MHz
150
120
40
0.6
1.2
V
V
兆赫
民
40
25
5
0.1
0.1
0.1
400
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
μA
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
分类
秩
范围
OF
h
FE(1)
L
120-200
H
200-350
J
300-400
文件编号： BL / SSSTF011
Rev.A的
www.galaxycn.com
2
BL
银河电子
NPN硅外延平面晶体管
产品规格
S9013W
典型特征
除非另有规定@ TA = 25 ℃
文件编号： BL / SSSTF011
Rev.A的
www.galaxycn.com
3
BL
银河电子
NPN硅外延平面晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装
产品规格
S9013W
SOT-323
SOT-323
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
民
1.8
1.15
0.15
0.25
1.2
0.02
2.1
最大
2.2
1.35
0.35
0.40
1.4
0.1
2.3
1.0Typical
0.1Typical
尺寸：mm
包装信息
设备
S9013W
包
SOT-323
航运
3000/Tape&Reel
文件编号： BL / SSSTF011
Rev.A的
www.galaxycn.com
4
S9013W
公司Bauelemente
0.5A ， 40V
NPN塑料封装晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
高集电极电流
出色的线性度的hFE
A
L
3
SOT-323
3
分类h及
FE
产品等级
范围
标识代码
S9013W-L
120~200
S9013W-H
200~350
J3
F
顶视图
C B
1
2
2
S9013W-J
300~400
1
K
E
D
G
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
1.80
2.20
1.80
2.45
1.15
1.35
0.80
1.20
0.20
1.10
1.40
0.40
H
毫米
分钟。
马克斯。
0.100 REF 。
0.525 REF 。
0.08
0.25
-
-
0.650典型。
J
包装信息
包
SOT-323
MPQ
3K
负责人尺寸
7寸
1
BASE
集热器
3
REF 。
G
H
J
K
L
2
辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
交界处，贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
J
, T
英镑
评级
40
25
5
500
200
625
150, -55~150
单位
V
V
V
mA
mW
° /W
C
°
C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
分钟。
40
25
5
-
-
120
-
-
150
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
0.1
0.1
0.1
400
0.6
1.2
0.7
-
8
单位
V
V
V
A
A
A
V
V
V
兆赫
pF
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 40V ，我
E
=0
V
CE
= 20V ，我
B
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=50mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 10毫安，V
CE
=1V
V
CE
= 6V ，我
C
= 20mA时， F = 30MHz的
V
CB
= 6V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
15月- 2011版本A
第1页1
S901 3W
晶体管（ NPN ）
特点
高集电极电流
优秀
FE
线性
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
40
25
5
500
200
625
150
-55½+150
单位
V
V
V
mA
mW
℃/W
℃
℃
1.基地
2.辐射源
3.收集
SOT–323
电气特性（T
a
= 25 ℃除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
TEST
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 40V ，我
E
=0
V
CE
= 20V ，我
B
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=50mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
V
CE
= 1V ，我
C
=10mA
V
CE
=6V,I
C
= 20mA时， F = 30MHz的
V
CB
= 6V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
150
8
120
条件
民
40
25
5
100
100
100
400
0.6
1.2
0.7
V
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
I
C
= 100μA ，我
E
=0
分类
h
FE
秩
范围
记号
L
120–200
H
200–350
J3
J
300–400
１　
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
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推荐型号
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SMDJ150A
STPS30L60C_07
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    S9013W
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