江苏长电科技股份有限公司
WBFBP - 03B塑封装晶体管
S9012M
晶体管
WBFBP-03B
(1.2×1.2×0.5)
单位：mm
C
顶部
描述
PNP外延硅晶体管
特点
补充S9013M
优秀
FE
线性
应用
食收音机的功率150mW级输出放大器
B PUSH - PULL操作。
对于便携式设备（如手机， MP3 ，MD ， CD - ROM ，
DVD-ROM ，笔记本电脑等）
标记： 2T1
C
1.基地
2.辐射源
3.收集
B
C
后
E
E
B
2T1
Bé
最大额定值
T
A
=25
℃
除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温
储存温度
参数
价值
-40
-25
-5
-500
150
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
除非
TEST
否则
特定网络版）
民
-40
-25
-5
-0.1
-0.1
-0.1
120
400
-0.6
-1.2
150
5
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
条件
I
E
=0
I
C
= -100
μ
A,
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
=-100
μ
A，I
C
=0
V
CB
= -40 V，I
E
=0
V
CE
= -20V ，我
B
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -1V ，我
C
=-50mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
V
CE
=-6V,
I
C
= -20mA
μ
A
μ
A
μ
A
f
T
C
ob
f=
30MHz
V
CB
=
-10
V，I
E
=0,f=
1
兆赫
SYM BOL
A
A1
b
b1
b2
D
E
D2
E2
e
L
L1
L2
k
z
IM ê N s个IO N s个在并购illim è T E R 5
M IN 。
M AX 。
0 .4 5 0
0 .5 5 0
0 .0 1 0
0 .0 9 0
0 .1 7 0
0 .2 7 0
0 .2 7 0
0 .3 7 0
0 0.2 5 0 R é F。
1 .1 5 0
1 .2 5 0
1 .1 5 0
1 .2 5 0
0 0.4 7 0 R é F。
0 0.8 1 0 R F。
0 0.8 0 ; 0 T P 。
0 0.2 8 0 R é F。
0 0.2 3 0 R é F。
0 .1 5 0 R é F。
0 0.3 0 0 R é F。
0 0.0 9 0 R é F。
IM ê N s个IO N s个在建华（E S）
M IN 。
M AX 。
0 .0 1 8
0 .0 2 2
0 .0 0 0
0 .0 0 4
0 .0 0 7
0 .0 1 1
0 .0 1 1
0 .0 1 5
0 0.0 1 0 R F。
0 .0 4 5
0 .0 4 9
0 .0 4 5
0 .0 4 9
0 0.0 0 2 R é F。
0 0.0 3 2 R é F。
0 0.0 3 2 T P 。
0 0.0 1 1 R F。
0 0.0 0 9 R é F。
0 0.0 0 6 R é F。
0 0.0 1 2 R é F。
0 0.0 0 4 R é F。
江苏长电科技股份有限公司
WBFBP - 03B塑封装晶体管
S9012M
晶体管
WBFBP-03B
(1.2×1.2×0.5)
单位：mm
C
顶部
描述
PNP外延硅晶体管
特点
补充S9013M
优秀
FE
线性
应用
食收音机的功率150mW级输出放大器
B PUSH - PULL操作。
对于便携式设备（如手机， MP3 ，MD ， CD - ROM ，
DVD-ROM ，笔记本电脑等）
标记： 2T1
C
1.基地
2.辐射源
3.收集
B
C
后
E
E
B
2T1
Bé
最大额定值
T
A
=25
℃
除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温
储存温度
参数
价值
-40
-25
-5
-500
150
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
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V
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（SAT）
V
BE
（SAT）
除非
TEST
否则
特定网络版）
民
-40
-25
-5
-0.1
-0.1
-0.1
120
400
-0.6
-1.2
150
5
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
条件
I
E
=0
I
C
= -100
μ
A,
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
=-100
μ
A，I
C
=0
V
CB
= -40 V，I
E
=0
V
CE
= -20V ，我
B
=0
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EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -1V ，我
C
=-50mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
I
C
= -500mA ，我
B
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V
CE
=-6V,
I
C
= -20mA
μ
A
μ
A
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f=
30MHz
V
CB
=
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SYM BOL
A
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IM ê N s个IO N s个在并购illim è T E R 5
M IN 。
M AX 。
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1 .1 5 0
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0 0.0 9 0 R é F。
IM ê N s个IO N s个在建华（E S）
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M AX 。
0 .0 1 8
0 .0 2 2
0 .0 0 0
0 .0 0 4
0 .0 0 7
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0 .0 1 5
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0 .0 4 9
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0 0.0 0 4 R é F。
QQ：2880707522 复制
