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TECCOR
品牌晶闸管
可控硅整流器器
SxX8xSx EV系列0.8A敏感SCR
描述
新器件系列提供了高静态dv / dt和低转
关(T
q
) SCR敏感带小模平面结构
可控硅结玻璃钝化,以确保长期的
可靠性和参数的稳定性。
特点
贴装封装
主要特点
符号
I
T( RMS )
V
DRM
/ V
RRM
I
价值
0.8
400至800
5-200
单位
A
V
μA
< 25微秒
q
)
能力> 10安培
( V
DRM
/ V
RRM
)
能力 - 高达800V
原理图符号
A
微处理器接口
应用
x
G
应用程序。
K
绝对最大额定值
符号
参数
TO-92
I
T( RMS )
通态电流(全正弦波)的RMS
SOT-89
SOT-223
TO-92
I
T( AV )
平均通态电流
SOT-89
SOT-223
TO-92
SOT-89
SOT-223
t
p
= 10毫秒
t
p
= 8.3毫秒
TO-92
SOT-89
SOT-223
t
p
= 10 μs
T
C
= 55°C
T
C
= 60°C
T
L
= 60°C
T
C
= 55°C
T
C
= 60°C
T
L
= 60°C
F = 50Hz的
F = 60Hz的
F = 50赫兹
F = 60赫兹
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
价值
0.8
0.8
0.8
0.51
0.51
0.51
8
10
0.32
0.41
50
1.0
0.1
-40至150
-40至125
单位
A
A
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A / μs的
A
W
°C
I
TSM
I
2
t
的di / dt
I
P
T
英镑
T
J
不重复浪涌峰值通态电流
(单周期,T
J
初始= 25 ° C)
I
2
为融合吨价
的通态电流I = 10毫安临界上升率
平均门功耗
存储结温范围
工作结温范围
www.littelfuse.com
2008 Littelfuse的
145
大功率晶闸管数据手册
SxX8xSx EV系列0.8A敏感SCR
TECCOR
品牌晶闸管
可控硅整流器器
电气特性
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
SxX8xxx
符号
描述
测试条件
V
D
= 6V
R
L
= 100 Ω
V
D
= 6V
R
L
= 100 Ω
I
保持电流
爆击率-OF-崛起
断态电压
R
= 10μA
= 1 KΩ
极限
分钟。
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
S1
0.5
5
S2
1
50
0.8
5
5
S
15
200
单位
μA
μA
V
V
mA
I
V
V
I
H
( dv / dt的)■
T
J
= 125°C
V
D
= V
DRM
/V
RRM
进出口。波形
R = 1kΩ的
T
J
= 25°C @ 600 V
R = 1kΩ的
I = 10毫安
PW = 15微秒
I
T
= 1.6A ( PK)
分钟。
75
V / μs的
t
q
t
gt
打开-O FF时间
马克斯。
30
25
25
μs
开启时间
马克斯。
2.0
2.0
2.0
μs
静态特性
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
符号
V
TM
I
DRM
描述
峰值通态电压
测试条件
I
TM
= 1.6A ( PK)
T
J
= 25°C @ V
D
= V
DRM
R = 1kΩ的
T
J
= 125°C @ VD = V
DRM
R = 1kΩ的
极限
马克斯。
马克斯。
马克斯。
价值
1.70
3
500
单位
V
μA
μA
断态电流,峰值重复
热阻
符号
描述
测试条件
TO-92
R
日(J -C )
结到外壳( AC)
I
T
= 0.8A
(RMS)1
SOT-223
SOT-89
TO-92
R
号(j -a)的
结到环境
I
T
= 0.8A
(RMS)1
SOT-223
SOT-89
1
价值
75
30
50
150
60
90
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
60Hz的交流电阻性负载条件下, 100%的导通。
SxX8xSx EV系列0.8A敏感SCR
146
大功率晶闸管数据手册
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2008 Littelfuse的
TECCOR
品牌晶闸管
可控硅整流器器
图1 :归直流门极触发电流对所有
象限 - 结温
2.0
图2 :归DC控股电流
- 结温
4.0
I
GT
I
GT
(T
J
= 25°C)
1.5
3.0
I
H
(T
J
= 25°C)
I
H
1.0
2.0
0.5
-40
-15
+25
+65
+105 +125
1.0
0.0
0.0
-55
-35
-15
+5
+25
+45
+65
+85
+105 +125
结温(T
J
) - °C
结温(T
J
) - °C
图3 :归直流栅极触发电压
- 结温
1.0
图4 :功耗(典型值)
VS. RMS通态电流
0.8
通态平均功耗[P
D( AV )
] - 沃茨
电流波形:正弦
负载:阻性或感性
导通角: 180
o
0.9
0.8
门极触发电压(V
GT
) - V
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
-40
-25
-10
+5
+20
+35
+50
+65
+80
+95 +110 +125
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
结温(T
J
) - °C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
RMS通态电流[I
T( RMS )
] - 安培
图5 :最大允许外壳温度
与通态电流
130
最大允许外壳温度(T
C
) - C
电流波形:正弦
负载:阻性或感性
导通角: 180
o
外壳温度:测量
在三维图中所示
120
110
100
90
TO-92
80
70
60
50
0.0
0.1
0.2
0.3
o
SOT- 223 & SOT- 89
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
RMS通态电流[I
T( RMS )
] - 安培
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SxX8xSx EV系列0.8A敏感SCR
TECCOR
品牌晶闸管
可控硅整流器器
图6 :浪涌峰值通态电流与周期数
峰值浪涌(不重复)通态电流
(I
牛逼S M
) - 安培。
20
电源频率: 60Hz的正弦
负载:阻性
RMS通态电流[I
T( RMS )
] :最大额定值时
特定网络C的温度
注意事项:
以下浪涌电流的时间间隔。
2.超载,不得重复进行,直到结
温度恢复到稳态额定值。
0. 8
10
9
8
7
6
5
4
3
2
AD
ev
IC (E S)
1
1
2
3
4
5
6 7 8 9 10
20
30
40
60 80 100
200
300 400 600
1000
浪涌电流持续时间 - 完整周期
焊接参数
再溢流条件
- 最低温度(T
秒(分钟)
)
前热火
- 最高温度(T
S( MAX)的
)
- 时间(最小至最大) (T
s
)
平均倾斜上升率(液相线温度)
(T
L
)峰
T
S( MAX)的
给T
L
- 升温速率
再溢流
- 温度(T
L
) (液相)
- 时间(最小至最大) (T
s
)
260
+0/-5
°C
5 ° C /秒
5 ° C /秒
217°C
150°C
200°C
峰值温度(T
P
)
在5 ℃,实际峰值的时间
温度(T
p
)
下降斜率
时间25 ° C到峰值温度(T
P
)
不超过
5 ° C /秒
最多8分钟。
280°C
SxX8xSx EV系列0.8A敏感SCR
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可控硅整流器器
身体特定网络阳离子
终端完成
100 %雾锡电镀。
UL认可的环氧会议FL可燃性
分类科幻阳离子94V- 0 。
铜合金
可靠性/环境试验
TEST
AC阻塞
说明和条件
MIL -STD - 750 , M- 1040 ,电导率一个应用
AC峰值电压@ 110℃ 1008小时
MIL -STD - 750 , M- 1051 ,
100次; -40 ° C至+ 150°C ; 15分钟
停留时间
EIA / JEDEC , JESD22- A101
1008小时; 320V - 直流: 85°C ; 85 %
相对湿度
MIL -STD - 750 , M- 1031 ,
1008小时; 150℃
1008小时; -40°C
MIL -STD - 750 , M- 1056
10个循环; 0 ℃至100 ℃; 5分钟dwell-
时间在各温度下10秒(最大)
温度之间传输的时间
EIA / JEDEC , JESD22- A102
168小时( 121 ℃下以2的自动取款机),并
100 %R / H
MIL- STD- 750方法2031
ANSI / J- STD- 002 ,类别3 ,试验A
MIL -STD - 750 , M- 2036电导率é
温度循环
铅材料
温度/
湿度
设计注意事项
仔细选择正确的设备的应用程序的
运行参数和环境将很长的路要走
设计实践中应限制的最大连续
当前通过主终端设备的75%
投资评级。其他的方式来确保长寿命的功率分立
半导体是适当的散热和选择
额定电压为最坏的情况下。过热,
过电压(包括的dv / dt ) ,和浪涌电流
半导体的主要杀手。正确的安装,
焊接和引线的形成也有助于保护
对组件损坏。
高温存储
低温度贮藏
热冲击
高压灭菌器
焊锡热
可焊性
引脚弯曲
尺寸 - TO- 92
英寸
尺寸
A
B
C
D
E
F
0.175
0.170
0.500
0.135
0.125
0.080
0.016
H
I
J
0.045
0.095
0.015
典型值
0.165
0.095
0.050
0.100
最大
0.205
0.210
0.165
0.105
0.021
0.055
0.105
0.020
4.450
4.320
12.700
3.430
3.180
2.040
0.407
1.150
2.420
0.380
典型值
4.190
2.400
1.270
2.540
最大
5.200
5.330
4.190
2.660
0.533
1.390
2.660
0.500
MILLIMETERS
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大功率晶闸管数据手册
SxX8xSx EV系列0.8A敏感SCR
TECCOR
品牌晶闸管
EV系列0.8安培敏感可控硅
SxX8xSx系列
描述
新器件系列提供了高静态dv / dt和低转
关(T
q
) SCR敏感带小模平面结构
设计。这是具体来说设计的GFCI (接地故障
断路器)和煤气点火申请。所有
可控硅结玻璃钝化,以确保长期的
可靠性和参数的稳定性。
特点
无卤
< 25微秒
贴装封装
主要特点
能力> 10安培
符号
I
T( RMS )
V
DRM
/ V
RRM
I
GT
价值
0.8
400至800
5-200
单位
A
V
μA
q
)
微处理器接口
( V
DRM
/ V
RRM
)
能力 - 高达800V
原理图符号
A
应用
该SxX8xSx EV系列具体来说设计
GFCI (接地故障断路器)和天然气点火
应用程序。
G
K
绝对最大额定值
符号
参数
TO-92
I
T( RMS )
通态电流(全正弦波)的RMS
SOT-89
SOT-223
TO-92
I
T( AV )
平均通态电流
SOT-89
SOT-223
TO-92
SOT-89
SOT-223
t
p
= 10毫秒
t
p
= 8.3毫秒
TO-92
SOT-89
SOT-223
t
p
= 10 μs
199
价值
T
C
= 55°C
T
C
= 60°C
T
L
= 60°C
T
C
= 55°C
T
C
= 60°C
T
L
= 60°C
F = 50Hz的
F = 60Hz的
F = 50赫兹
F = 60赫兹
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
0.8
0.8
0.8
0.51
0.51
0.51
8
10
0.32
0.41
50
1.0
0.1
-40至150
-40至125
单位
A
A
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A / μs的
A
W
°C
°C
I
TSM
I
2
t
不重复浪涌峰值通态电流
(单周期,T
J
初始= 25 ° C)
I
2
为融合吨价
的di / dt
I
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
J
SxX8xSx系列
通态电流I的临界上升率
G
= 10毫安
栅极峰值电流
平均门功耗
存储结温范围
工作结温范围
2013 Littelfuse的,公司
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
修订日期: 13年9月23日
TECCOR
品牌晶闸管
EV系列0.8安培敏感可控硅
电气特性
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
价值
符号
描述
测试条件
V
D
= 6V
R
L
= 100
:
V
D
= 6V
R
L
= 100
:
I
RG
= 10μA
R
GK
= 1 KΩ
初始电流= 20mA下
T
J
= 125°C
V
D
= V
DRM
/V
RRM
进出口。波形
R
GK
=1 k:
V
D
= V
DRM
R
GK
=1 k:
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C @ 600 V
R
GK
=1 k:
I
G
=10mA
PW = 15微秒
I
T
= 1.6A ( PK)
极限
分钟。
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
SxX8yS1
0.5
5
SxX8yS2
1
50
0.8
5
5
SxX8yS
15
200
单位
μA
μA
V
V
mA
I
GT
V
GT
V
GRM
I
H
直流门极触发电流
直流门极触发电压
峰值反向栅极电压
保持电流
( dv / dt的)■
爆击率-OF-崛起
断态电压
分钟。
75
V / μs的
V
GD
t
q
t
gt
门非触发电压
分钟。
0.2
V
打开-O FF时间
马克斯。
30
25
25
μs
开启时间
典型值
.
2.0
2.0
2.0
μs
注:X =电压, Y =包
静态特性
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
符号
V
TM
I
DRM
描述
峰值通态电压
测试条件
I
TM
= 1.6A ( PK)
T
J
= 25°C @ V
D
= V
DRM
R
GK
=1 k:
T
J
= 125°C @ VD = V
DRM
R
GK
=1 k:
极限
马克斯。
马克斯。
马克斯。
价值
1.70
3
500
单位
V
μA
μA
断态电流,峰值重复
热阻
符号
描述
测试条件
TO-92
R
日(J -C )
结到外壳( AC)
I
T
= 0.8A
(RMS)1
SOT-223
SOT-89
TO-92
R
号(j -a)的
结到环境
I
T
= 0.8A
(RMS)1
SOT-223
SOT-89
1
价值
75
30
50
150
60
90
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
60Hz的交流电阻性负载条件下, 100%的导通。
SxX8xSx系列
200
2013 Littelfuse的,公司
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
修订日期: 13年9月23日
TECCOR
品牌晶闸管
EV系列0.8安培敏感可控硅
图1 :归直流门极触发电流对所有
象限 - 结温
2.0
图2 :归DC控股电流
- 结温
4.0
I
GT
(T
J
= 25°C)
1.5
3.0
1.0
I
H
(T
J
= 25°C)
I
GT
I
H
-40
-15
+25
+65
+105
+125
2.0
0.5
1.0
0.0
0.0
-55
-35
-15
+5
+25
+45
+65
+85
+105
+125
结温(T
J
) - °C
结温(T
J
) - °C
图3 :归直流栅极触发电压
- 结温
1.0
0.9
图4 :功耗(典型值)
VS. RMS通态电流
0.8
通态平均功耗
[P
D( AV )
] - 沃茨
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
门极触发电压(V
GT
) - V
电流波形:正弦
负载:阻性或感性
导通角: 180
o
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
-40
-25
-10
+5
+20
+35
+50
+65
+80
+95
+110
+125
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
结温(T
J
) - °C
RMS通态电流[I
T( RMS )
] - 安培
图5 :最大允许外壳温度
与通态电流
130
最大允许外壳温度
(T
C
) -
o
C
120
110
电流波形:正弦
负载:阻性或感性
导通角: 180
o
外壳温度:测量
在三维图中所示
100
90
TO-92
80
70
60
50
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
SOT- 223 & SOT- 89
0.5
0.6
0.7
0.8
RMS通态电流[I
T( RMS )
] - 安培
SxX8xSx系列
201
2013 Littelfuse的,公司
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
修订日期: 13年9月23日
TECCOR
品牌晶闸管
EV系列0.8安培敏感可控硅
图6 :浪涌峰值通态电流与周期数
20
峰值浪涌(不重复)通态
电流(I
牛逼S M
) - 安培。
10
9
8
7
6
5
4
3
电源频率: 60Hz的正弦
负载:阻性
RMS通态电流[I
T( RMS )
] :最大额定值时
特定网络C的温度
注意事项:
1.门控制可以在立即丢失
以下浪涌电流的时间间隔。
2.超载,不得重复进行,直到结
温度恢复到稳态额定值。
0.8
2
AD
EVI
CES
1
1
2
3
4
5
6 7 8 9 10
20
30 40
60 80 100
200
300 400 600
1000
浪涌电流持续时间 - 完整周期
焊接参数
再溢流条件
T
P
温度
- 最低温度(T
秒(分钟)
)
前热火
- 最高温度(T
S( MAX)的
)
- 时间(最小至最大) (T
s
)
平均倾斜上升率(液相线温度)
(T
L
)峰
T
S( MAX)的
给T
L
- 升温速率
再溢流
- 温度(T
L
) (液相)
- 时间(最小至最大) (T
s
)
260
+0/-5
°C
5 ° C /秒
5 ° C /秒
217°C
25
时间到峰值温度
t
P
斜升
150°C
200°C
T
L
T
S( MAX)的
预热
t
L
斜坡-DO
减速
T
秒(分钟)
t
S
时间
峰值温度(T
P
)
在5 ℃,实际峰值的时间
温度(T
p
)
下降斜率
时间25 ° C到峰值温度(T
P
)
不超过
5 ° C /秒
最多8分钟。
280°C
SxX8xSx系列
202
2013 Littelfuse的,公司
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
修订日期: 13年9月23日
TECCOR
品牌晶闸管
EV系列0.8安培敏感可控硅
身体特定网络阳离子
终端完成
100 %雾锡电镀。
UL认可的环氧会议FL可燃性
分类科幻阳离子94V- 0 。
可靠性/环境试验
TEST
AC阻塞
说明和条件
MIL -STD - 750 , M- 1040 ,电导率一个应用
AC峰值电压@ 110℃ 1008小时
MIL -STD - 750 , M- 1051 ,
100次; -40 ° C至+ 150°C ; 15分钟
停留时间
EIA / JEDEC , JESD22- A101
1008小时; 320V - 直流: 85°C ; 85 %
相对湿度
MIL -STD - 750 , M- 1031 ,
1008小时; 150℃
1008小时; -40°C
MIL -STD - 750 , M- 1056
10个循环; 0 ℃至100 ℃; 5分钟dwell-
时间在各温度下10秒(最大)
温度之间传输的时间
EIA / JEDEC , JESD22- A102
168小时( 121 ℃下以2的自动取款机),并
100 %R / H
MIL- STD- 750方法2031
ANSI / J- STD- 002 ,类别3 ,试验A
MIL -STD - 750 , M- 2036电导率é
机身材质
温度循环
铅材料
铜合金
温度/
湿度
设计注意事项
仔细选择正确的设备的应用程序的
运行参数和环境将很长的路要走
向延伸的所述晶闸管的运行寿命。良好
设计实践中应限制的最大连续
当前通过主终端设备的75%
投资评级。其他的方式来确保长寿命的功率分立
半导体是适当的散热和选择
额定电压为最坏的情况下。过热,
过电压(包括的dv / dt ) ,和浪涌电流
半导体的主要杀手。正确的安装,
焊接和引线的形成也有助于保护
对组件损坏。
高温存储
低温度贮藏
热冲击
高压灭菌器
焊锡热
可焊性
引脚弯曲
尺寸 - TO- 92
T
C
测量点
英寸
0.175
0.170
0.500
0.135
0.125
0.080
0.016
0.045
0.095
0.015
0.165
0.105
0.021
0.055
0.105
0.020
最大
0.205
0.210
MILLIMETERS
4.450
4.320
12.70
3.430
3.180
2.040
0.407
1.150
2.420
0.380
4.190
2.660
0.533
1.390
2.660
0.500
最大
5.200
5.330
A
A
B
B
C
座位
飞机
D
E
F
C
G
H
I
G
H
阴极
I
D
阳极
J
J
F
F
E
SxX8xSx系列
203
2013 Littelfuse的,公司
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
修订日期: 13年9月23日
EV系列0.8安培敏感可控硅
TECCOR
品牌晶闸管
SxX8xSx系列
描述
RoHS指令
新器件系列提供了高静态dv / dt和低转
关(T
q
) SCR敏感带小模平面结构
设计。这是具体来说设计的GFCI (接地故障
断路器)和煤气点火申请。所有
可控硅结玻璃钝化,以确保长期的
可靠性和参数的稳定性。
特点
符合RoHS标准,
无卤
通孔和表面
贴装封装
主要特点
符号
I
T( RMS )
V
DRM
/ V
RRM
I
GT
价值
0.8
400至800
5-200
单位
A
V
μA
高dv / dt噪声抗扰度
改进的关断时间(t
q
)
< 25微秒
直接敏感栅
微处理器接口
浪涌电流
能力> 10安培
阻断电压
( V
DRM
/ V
RRM
)
能力 - 高达800V
原理图符号
A
应用
该SxX8xSx EV系列具体来说设计
GFCI (接地故障断路器)和天然气点火
应用程序。
G
K
绝对最大额定值
符号
I
T( RMS )
通态电流(全正弦波)的RMS
参数
TO-92
SOT-89
SOT-223
TO-92
I
T( AV )
平均通态电流
SOT-89
SOT-223
TO-92
SOT-89
SOT-223
t
p
= 10毫秒
t
p
= 8.3毫秒
TO-92
SOT-89
SOT-223
t
p
= 10 μs
1
修订日期: 2012年9月5日下午4点52分
价值
T
C
= 55°C
T
C
= 60°C
T
L
= 60°C
T
C
= 55°C
T
C
= 60°C
T
L
= 60°C
F = 50Hz的
F = 60Hz的
F = 50赫兹
F = 60赫兹
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
0.8
0.8
0.8
0.51
0.51
0.51
8
10
0.32
0.41
50
1.0
0.1
-40至150
-40至125
单位
A
A
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A / μs的
A
W
°C
°C
I
TSM
I
2
t
的di / dt
I
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
J
SxX8xSx系列
不重复浪涌峰值通态电流
(单周期,T
J
初始= 25 ° C)
I
2
为融合吨价
通态电流I的临界上升率
G
= 10毫安
栅极峰值电流
平均门功耗
存储结温范围
工作结温范围
2012 Littelfuse的,公司
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
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EV系列0.8安培敏感可控硅
TECCOR
品牌晶闸管
电气特性
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
符号
描述
测试条件
V
D
= 6V
R
L
= 100 Ω
V
D
= 6V
R
L
= 100 Ω
I
RG
= 10μA
R
GK
= 1 K
初始电流= 20mA下
T
J
= 125°C
V
D
= V
DRM
/V
RRM
进出口。波形
R
GK
=1 kΩ
V
D
= V
DRM
R
GK
=1 kΩ
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C @ 600 V
R
GK
=1 kΩ
I
G
=10mA
PW = 15微秒
I
T
= 1.6A ( PK)
极限
分钟。
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
价值
SxX8yS1
0.5
5
SxX8yS2
1
50
0.8
5
5
SxX8yS
15
200
单位
μA
μA
V
V
mA
I
GT
V
GT
V
GRM
I
H
直流门极触发电流
直流门极触发电压
峰值反向栅极电压
保持电流
( dv / dt的)■
爆击率-OF-崛起
断态电压
分钟。
75
V / μs的
V
GD
t
q
t
gt
门非触发电压
打开-O FF时间
开启时间
分钟。
马克斯。
典型值
.
30
2.0
0.2
25
2.0
25
2.0
V
μs
μs
注:X =电压, Y =包
静态特性
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
符号
V
TM
I
DRM
描述
峰值通态电压
断态电流,峰值重复
测试条件
I
TM
= 1.6A ( PK)
T
J
= 25°C @ V
D
= V
DRM
R
GK
=1 kΩ
T
J
= 125°C @ VD = V
DRM
R
GK
=1 kΩ
极限
马克斯。
马克斯。
马克斯。
价值
1.70
3
500
单位
V
μA
μA
热阻
符号
描述
测试条件
TO-92
R
日(J -C )
结到外壳( AC)
I
T
= 0.8A
(RMS)1
SOT-223
SOT-89
TO-92
R
号(j -a)的
结到环境
I
T
= 0.8A
(RMS)1
SOT-223
SOT-89
1
价值
75
30
50
150
60
90
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
60Hz的交流电阻性负载条件下, 100%的导通。
SxX8xSx系列
2
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EV系列0.8安培敏感可控硅
TECCOR
品牌晶闸管
图1 :归直流门极触发电流对所有
象限 - 结温
2.0
图2 :归DC控股电流
- 结温
4.0
I
GT
(T
J
= 25°C)
1.5
3.0
1.0
I
H
(T
J
= 25°C)
I
GT
I
H
-40
-15
+25
+65
+105
+125
2.0
0.5
1.0
0.0
0.0
-55
-35
-15
+5
+25
+45
+65
+85
+105
+125
结温(T
J
) - °C
结温(T
J
) - °C
图3 :归直流栅极触发电压
- 结温
1.0
0.9
图4 :功耗(典型值)
VS. RMS通态电流
0.8
通态平均功耗
[P
D( AV )
] - 沃茨
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
门极触发电压(V
GT
) - V
电流波形:正弦
负载:阻性或感性
导通角: 180
o
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
-40
-25
-10
+5
+20
+35
+50
+65
+80
+95
+110
+125
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
结温(T
J
) - °C
RMS通态电流[I
T( RMS )
] - 安培
图5 :最大允许外壳温度
与通态电流
130
最大允许外壳温度
(T
C
) -
o
C
120
110
电流波形:正弦
负载:阻性或感性
导通角: 180
o
外壳温度:测量
在三维图中所示
SOT- 223 & SOT- 89
100
90
TO-92
80
70
60
50
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
RMS通态电流[I
T( RMS )
] - 安培
SxX8xSx系列
3
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品牌晶闸管
图6 :浪涌峰值通态电流与周期数
20
峰值浪涌(不重复)通态
电流(I
牛逼S M
) - 安培。
10
9
8
7
6
5
4
3
电源频率: 60Hz的正弦
负载:阻性
RMS通态电流[I
T( RMS )
] :最大额定值时
特定网络C的温度
注意事项:
1.门控制可以在立即丢失
以下浪涌电流的时间间隔。
2.超载,不得重复进行,直到结
温度恢复到稳态额定值。
0.8
2
AD
EVI
CES
1
1
2
3
4
5 6 7 8 9 10
20
30 40
60 80 100
200
300 400 600
1000
浪涌电流持续时间 - 完整周期
焊接参数
再溢流条件
- 最低温度(T
秒(分钟)
)
前热火
- 最高温度(T
S( MAX)的
)
- 时间(最小至最大) (T
s
)
平均倾斜上升率(液相线温度)
(T
L
)峰
T
S( MAX)的
给T
L
- 升温速率
回流
- 温度(T
L
) (液相)
- 时间(最小至最大) (T
s
)
铅 - 免费装配
T
P
温度
t
P
斜升
150°C
200°C
60 - 180秒
5 ° C /秒
5 ° C /秒
217°C
60 - 150秒
260
+0/-5
T
L
T
S( MAX)的
t
L
预热
斜坡-DO
减速
T
秒(分钟)
t
S
时间到峰值温度
25
时间
峰值温度(T
P
)
在5 ℃,实际峰值的时间
温度(T
p
)
下降斜率
时间25 ° C到峰值温度(T
P
)
不超过
°C
20 - 40秒
5 ° C /秒
最多8分钟。
280°C
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4
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品牌晶闸管
物理规格
终端完成
机身材质
铅材料
100 %雾锡电镀。
UL认证的环氧树脂阻燃会议
分类科幻阳离子94V- 0 。
铜合金
可靠性/环境试验
TEST
AC阻塞
温度循环
温度/
湿度
规格和条件
MIL -STD - 750 , M- 1040 ,电导率一个应用
AC峰值电压@ 110℃ 1008小时
MIL -STD - 750 , M- 1051 ,
100次; -40 ° C至+ 150°C ; 15分钟
停留时间
EIA / JEDEC , JESD22- A101
1008小时; 320V - 直流: 85°C ; 85 %
相对湿度
MIL -STD - 750 , M- 1031 ,
1008小时; 150℃
1008小时; -40°C
MIL -STD - 750 , M- 1056
10个循环; 0 ℃至100 ℃; 5分钟dwell-
时间在各温度下10秒(最大)
温度之间传输的时间
EIA / JEDEC , JESD22- A102
168小时( 121 ℃下以2的自动取款机),并
100 %R / H
MIL- STD- 750方法2031
ANSI / J- STD- 002 ,类别3 ,试验A
MIL -STD - 750 , M- 2036电导率é
设计注意事项
仔细选择正确的设备的应用程序的
运行参数和环境将很长的路要走
向延伸的所述晶闸管的运行寿命。良好
设计实践中应限制的最大连续
当前通过主终端设备的75%
投资评级。其他的方式来确保长寿命的功率分立
半导体是适当的散热和选择
额定电压为最坏的情况下。过热,
过电压(包括的dv / dt ) ,和浪涌电流
半导体的主要杀手。正确的安装,
焊接和引线的形成也有助于保护
对组件损坏。
高温存储
低温度贮藏
热冲击
高压灭菌器
焊锡热
可焊性
引脚弯曲
尺寸 - TO- 92
T
C
测量点
英寸
0.175
0.170
0.500
0.135
0.125
0.080
0.016
0.045
0.095
0.015
0.165
0.105
0.021
0.055
0.105
0.020
最大
0.205
0.210
MILLIMETERS
4.450
4.320
12.70
3.430
3.180
2.040
0.407
1.150
2.420
0.380
4.190
2.660
0.533
1.390
2.660
0.500
最大
5.200
5.330
A
A
B
B
C
座位
飞机
D
E
F
G
H
I
J
C
G
阴极
H
I
D
阳极
J
F
F
E
SxX8xSx系列
5
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