飞利浦半导体
产品speci fi cation
80C51的8位微控制器
8K / 16K , 256 OTP ,我
2
C
87C652/87C654
引脚说明
引脚数
助记符
V
SS
V
CC
P0.0–0.7
DIP
20
40
39–32
LCC
22
44
43–36
QFP
16
38
37–30
TYPE
I
I
I / O
名称和功能
地面:
0V参考。
电源:
这是在电源电压为正常,空闲和掉电操作。
端口0 :
端口0是一个开漏双向I / O口。 P0口具有1秒写信给他们
浮起并可以用作高阻抗输入。 P0口还复低位
地址和数据总线时访问外部程序和数据存储器。在这
应用程序,它使用了强大的内部上拉发送1 。 P0口还输出代码
期间在87C654程序验证字节。期间需要外接上拉电阻
程序验证。
端口1 :
端口1是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口,除P1.6和P1.7
这是开漏。 P1口有写信给他们1秒被拉高由内部
引体向上,可以用来作为输入。作为输入,端口1引脚是外部拉低时将
因为内部上拉电阻的电流。 (见DC电气特性:我
IL
).
端口1也接收在程序存储器验证的低位地址字节。
复用功能包括:
SCL :
I
2
C总线串行端口时钟线。
SDA :
I
2
C总线串行端口的数据线。
端口2 :
端口2是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。 P2口有1秒
写入它们的拉高由内部上拉电阻,可以用来作为输入。作为输入,
这被外部拉低的,因为内部时将输出电流端口2引脚
引体向上。 (见DC电气特性:我
IL
) 。端口2发出的高位地址字节
在从外部程序存储器取,并在外部数据存储器访问
即使用16位地址( MOVX @ DPTR ) 。在这种应用中,它使用强大的内部
发射1秒,当拉。在使用8位的外部数据存储器的访问
地址( MOV @Ri ),端口2发出的P2的特殊功能寄存器的内容。
端口3 :
端口3是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。 P3口有1秒
写入它们的拉高由内部上拉电阻,可以用来作为输入。作为输入,
端口3引脚被外部拉低由于上拉的时将输出电流。
(见DC电气特性:我
IL
) 。端口3还提供了特殊功能的80C51
家庭,具体如下:
RXD( P3.0 ) :
串行输入端口
的TxD ( P3.1 ) :
串行输出端口
INT0 ( P3.2 ) :
外部中断
INT1 ( P3.3 ) :
外部中断
T0 ( P3.4 ) :
定时器0外部输入
T1 ( P3.5 ) :
定时器1外部输入
WR ( P3.6 ) :
外部数据存储器写选通
RD ( P3.7 ) :
外部数据存储器读选通
RESET :
高该引脚上的晶振工作时两个机器周期,复位
装置。内部扩散电阻到V
SS
允许仅使用一个外部上电复位
电容V
CC
.
地址锁存使能/编程脉冲:
输出脉冲用于锁存的低字节
在访问外部存储器地址。在正常操作中, ALE是在发射
的1/6的振荡器频率恒定的速率,并且可用于外部定时或时钟。
请注意,一个ALE脉冲在每次访问外部数据存储器跳过。该引脚
也用作编程输入脉冲(PROG)期间EPROM编程。
程序存储使能:
读选通外部程序存储器。当87C654是
从外部程序存储器执行代码时, PSEN被激活每一台机器的两倍
周期,所不同的是2的PSEN激活则在每次访问外部数据跳过
内存。 PSEN在从内部程序存储器取指没有被激活。
外部访问允许/编程电源电压:
EA必须从外部保持低电平来
使设备来从外部程序存储器位置0000H和1FFFH码
为87C652和3FFFH为87C654 。如果EA保持高电平时,器件内部执行
程序存储器,除非程序计数器中包含的地址不是3FFFH更大。这
脚还接收了12.75 V编程电压(V
PP
)在EPROM编程。
晶体1 :
输入到振荡器反相放大器和输入到内部时钟发生器
电路。
P1.0–P1.7
1–8
2–9
40–44,
1–3
I / O
P1.6
P1.7
P2.0–P2.7
7
8
21–28
8
9
24–31
2
3
18–25
I / O
I / O
I / O
P3.0–P3.7
10–17
11,
13–19
5,
7–13
I / O
10
11
12
13
14
15
16
17
RST
9
11
13
14
15
16
17
18
19
10
5
7
8
9
10
11
12
13
4
I
O
I
I
I
I
O
O
I
ALE / PROG
30
33
27
I / O
PSEN
29
32
26
O
EA / V
PP
31
35
29
I
XTAL1
19
21
15
I
XTAL2
18
20
14
O
水晶2 :
输出振荡器反相放大器器。
注意:
为了避免在上电“闩锁效应”,在任何时候对任何引脚上的电压不能大于V高
CC
+ 0.5 V或V
SS
- 0.5 V ,分别。
1999年7月23日
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