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S868T
日前,Vishay
半导体
BIPMIC
- 级联硅双极放大器
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
为狭义和广义通用50增益模块
波段IF和RF放大器在商业和工业
应用程序。 50级可以直接级联
W
W
该放大器具有最少的外部电路,因而亲
人们提供一种简单,成本有效的方式来实现高一级
放大器阳离子。
特点
D
D
D
D
宽带放大
50
W
级联增益模块
高增益(19 dB的900兆赫)
低噪声系数(2.9 dB的900兆赫)
D
高输出电平
D
低成本表面贴装塑料封装
D
很少的外部元件
2
1
94 9279
13 579
3
4
S868T标记: 868
塑料外壳( SOT 143 )
1 = RF输出, 2 =接地,
3 = RF输入, 4 =接地
典型的偏置CON组fi guration
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
器件的电流
RF输入功率
总功耗
结温
存储温度范围
测试条件
符号
I
BIAS
P
in
P
合计
T
j
T
英镑
价值
55
20
275
150
-65到+150
单位
mA
DBM
mW
°
C
°
C
T
AMB
25
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板交界处的环境( 25×20× 1.5) mm的
3
镀35米铜
符号
R
thJA
价值
450
单位
K / W
m
文档编号85056
第3版, 20 -JAN- 99
www.vishay.com
1 (3)
S868T
日前,Vishay
半导体
AC电气特性
I
BIAS
= 45 mA时, F = 900兆赫,Z
0
= 50
参数
功率增益
3 dB带宽
输入VSWR
输出VSWR
噪声系数
互调失真
输出功率@ 1分贝增益压缩
器件电压
W
, T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
测试条件
符号
G
p
f
3dB
VSWR
VSWR
F
IM
3
P
–1dB
V
d
17
典型值
19
0.5
1.8:1
1.8:1
2.9
55
13
5
最大
单位
dB
GHz的
F = 0.12.5千兆赫
F = 0.12.5千兆赫
F = 900兆赫
22.5 mV的输入电压
dB
dB
DBM
V
S868T的mm尺寸
96 12240
www.vishay.com
2 (3)
文档编号85056
第3版, 20 -JAN- 99
S868T
日前,Vishay
半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统,以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注,以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990年)打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策,以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年,由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay -半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序时,
买方应赔偿日前,Vishay ,半导体的所有索赔,费用,损失,费用,所产生的直接或
间接的,人身损害,伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
文档编号85056
第3版, 20 -JAN- 99
www.vishay.com
3 (3)
S868T
日前,Vishay
半导体
BIPMIC
- 级联硅双极放大器
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
为狭义和广义通用50增益模块
波段IF和RF放大器在商业和工业
应用程序。 50级可以直接级联
W
W
该放大器具有最少的外部电路,因而亲
人们提供一种简单,成本有效的方式来实现高一级
放大器阳离子。
特点
D
D
D
D
宽带放大
50
W
级联增益模块
高增益(19 dB的900兆赫)
低噪声系数(2.9 dB的900兆赫)
D
高输出电平
D
低成本表面贴装塑料封装
D
很少的外部元件
2
1
94 9279
13 579
3
4
S868T标记: 868
塑料外壳( SOT 143 )
1 = RF输出, 2 =接地,
3 = RF输入, 4 =接地
典型的偏置CON组fi guration
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
器件的电流
RF输入功率
总功耗
结温
存储温度范围
测试条件
符号
I
BIAS
P
in
P
合计
T
j
T
英镑
价值
55
20
275
150
-65到+150
单位
mA
DBM
mW
°
C
°
C
T
AMB
25
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板交界处的环境( 25×20× 1.5) mm的
3
镀35米铜
符号
R
thJA
价值
450
单位
K / W
m
文档编号85056
第3版, 20 -JAN- 99
www.vishay.com
1 (3)
S868T
日前,Vishay
半导体
AC电气特性
I
BIAS
= 45 mA时, F = 900兆赫,Z
0
= 50
参数
功率增益
3 dB带宽
输入VSWR
输出VSWR
噪声系数
互调失真
输出功率@ 1分贝增益压缩
器件电压
W
, T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
测试条件
符号
G
p
f
3dB
VSWR
VSWR
F
IM
3
P
–1dB
V
d
17
典型值
19
0.5
1.8:1
1.8:1
2.9
55
13
5
最大
单位
dB
GHz的
F = 0.12.5千兆赫
F = 0.12.5千兆赫
F = 900兆赫
22.5 mV的输入电压
dB
dB
DBM
V
S868T的mm尺寸
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2 (3)
文档编号85056
第3版, 20 -JAN- 99
S868T
日前,Vishay
半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统,以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注,以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990年)打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策,以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年,由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay -半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序时,
买方应赔偿日前,Vishay ,半导体的所有索赔,费用,损失,费用,所产生的直接或
间接的,人身损害,伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
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日前,Vishay
半导体
BIPMIC
- 级联硅双极放大器
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
为狭义和广义通用50增益模块
波段IF和RF放大器在商业和工业
应用程序。 50级可以直接级联
W
W
该放大器具有最少的外部电路,因而亲
人们提供一种简单,成本有效的方式来实现高一级
放大器阳离子。
特点
D
D
D
D
宽带放大
50
W
级联增益模块
高增益(19 dB的900兆赫)
低噪声系数(2.9 dB的900兆赫)
D
高输出电平
D
低成本表面贴装塑料封装
D
很少的外部元件
2
1
94 9279
13 579
3
4
S868T标记: 868
塑料外壳( SOT 143 )
1 = RF输出, 2 =接地,
3 = RF输入, 4 =接地
典型的偏置CON组fi guration
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
器件的电流
RF输入功率
总功耗
结温
存储温度范围
测试条件
符号
I
BIAS
P
in
P
合计
T
j
T
英镑
价值
55
20
275
150
-65到+150
单位
mA
DBM
mW
°
C
°
C
T
AMB
25
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板交界处的环境( 25×20× 1.5) mm的
3
镀35米铜
符号
R
thJA
价值
450
单位
K / W
m
文档编号85056
第3版, 20 -JAN- 99
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1 (3)
S868T
日前,Vishay
半导体
AC电气特性
I
BIAS
= 45 mA时, F = 900兆赫,Z
0
= 50
参数
功率增益
3 dB带宽
输入VSWR
输出VSWR
噪声系数
互调失真
输出功率@ 1分贝增益压缩
器件电压
W
, T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
测试条件
符号
G
p
f
3dB
VSWR
VSWR
F
IM
3
P
–1dB
V
d
17
典型值
19
0.5
1.8:1
1.8:1
2.9
55
13
5
最大
单位
dB
GHz的
F = 0.12.5千兆赫
F = 0.12.5千兆赫
F = 900兆赫
22.5 mV的输入电压
dB
dB
DBM
V
S868T的mm尺寸
96 12240
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日前,Vishay
半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统,以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注,以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990年)打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策,以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年,由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay -半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序时,
买方应赔偿日前,Vishay ,半导体的所有索赔,费用,损失,费用,所产生的直接或
间接的,人身损害,伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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电话:0755-82524647
联系人:邝小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北路宝华大厦A座A813
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