UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
S8550
低电压高
电流小信号PNP
晶体管
描述
在UTC
S8550
是一款低电压高电流小信号PNP
晶体管，专为B类推挽音频放大器和
一般用途的应用。
PNP硅晶体管
特点
*集电极电流高达700mA
*集电极 - 发射极电压高达20 V
*为了配合S8050 UTC
*无卤
无铅：
S8550L
无卤： S8550G
订购信息
正常
S8550-x-T92-B
S8550-x-T92-K
订购数量
无铅
S8550L-x-T92-B
S8550L-x-T92-K
无卤
S8550G-x-T92-B
S8550G-x-T92-K
包
TO-92
TO-92
引脚分配
1
2
3
E
B
C
E
B
C
填料
磁带盒
体积
www.unisonic.com.tw
2009 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R201-014.B
S8550
PNP硅晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
符号
评级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
-30
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
-20
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
-5
V
集电极电流
I
C
-700
mA
集电极耗散（ TA = 25 ° C）
P
C
1
W
结温
T
J
150
°C
储存温度
T
英镑
-65 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(
TA = 25 ℃，除非另有规定。 ）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
h
FE3
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE
f
T
COB
测试条件
I
C
= -100μA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -100μA ，我
C
=0
V
CB
= -30V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -1V ，我
C
=-1mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-150mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-500mA
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA
I
C
= 500毫安，我
B
=-50mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-10mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-50mA
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
民
-30
-20
-5
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
nA
-1
-100
100
120
40
110
400
-0.5
-1.2
-1.0
100
9.0
V
V
V
兆赫
pF
中hFE2分类
秩
范围
C
120-200
D
160-300
E
280-400
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 4
QW-R201-014.B
S8550
典型特征
静态特性
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0
I
B
=-3.0mA
I
B
=-2.5mA
I
B
=-2.0mA
I
B
=-1.5mA
I
B
=-1.0mA
I
B
=-0.5mA
直流电流增益，H
FE
10
2
10
3
PNP硅晶体管
直流电流增益
集电极电流，I
C
（MA ）
V
CE
=-1V
10
1
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
(V)
基射极电压上
10
0
-10
-1
-10
0
-10
1
-10
2
集电极电流，I
C
（MA ）
饱和电压
-10
3
-10
2
集电极电流，I
C
（MA ）
-10
4
I
C
=10xI
B
-10
1
饱和电压（毫伏）
V
CE
=-1V
-10
3
V
BE （ SAT ）
-10
0
-10
2
V
CE （ SAT ）
-10
1
-10
-1
-10
-1
0
-1.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
基射极电压，V
BEO
(V)
电流增益带宽积
-10
0
-10
1
-10
2
集电极电流，I
C
（MA ）
-10
3
10
3
电流增益带宽积，女
T
（兆赫）
10
3
集电极输出电容
f=1MHz
I
E
=0
电容C
OB
（PF ）
3
V
CE
=-10V
10
2
10
2
10
1
10
1
10
0
-10
0
-10
-10
集电极电流，I
C
（MA ）
1
2
-10
10
0
-10
0
-10
1
-10
2
-10
3
集电极 - 基极电压，V
CBO
(V)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 4
QW-R201-014.B
S8550
PNP硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 4
QW-R201-014.B
S8550
晶体管（ PNP ）
TO-92
特点
功耗
P
CM
： 0.625 W（环境温度Tamb = 25℃）
集电极电流
A
I
CM
:
-
0.5
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
-
40 V
1 2 3
1.发射器
2.基
3.收集
电动
CHARACTERISTICS（Tamb=25℃
（
℃
符号
电压
电压
V（ BR ）
CBO
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
H
FE（1）
除非另有规定编）
）
TEST
条件
I
E
=0
I
B
=0
I
C
=0
I
E
=0
I
B
=0
I
C
=0
85
50
民
典型值
最大
单位
V
V
V
参数
集电极 - 基
击穿
IC 。
-
100
μA
,
IC 。
-
0.1毫安，
I
E
=
-
100
μ
A，
V
CB
=
-
40
V
CE
=
-
20
V
EB
=
-
3
V
CE
=
-
1 V,
V
CE
=
-
1 V,
V,
V,
V，
-
40
-
25
-
5
集电极 - 发射极击穿
发射极 - 基
击穿
当前
当前
当前
电压
集电极截止
集电极截止
辐射源
截止
-
0.1
-
0.2
-
0.1
300
μ
A
μ
A
μ
A
I
C
= 50毫安
I
C
= 500毫安
DC
当前
增益（注）
H
FE（2）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和
基射极电压
电压
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
BE
I
C
=
-
500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
=
-
500毫安，我
B
= 50毫安
I
E
=
-
100mA
V
CE
=
-
6 V,
I
C
=
-
20mA
150
-
0.6
V
V
V
-
1.2
-
1.4
过渡
频率
f
T
兆赫
f =
30MHz
分类h及
FE(1)
秩
范围
B
85-160
C
120-200
D
160-300
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
主页：
http://www.wingshing.com
联系电话： （ 852 ） 2341 9276传真： （ 852 ） 2797 8153
电子信箱： wsccltd@hkstar.com
APD
硅APD阵列
S8550
4×8元素的APD阵列具有低噪声和增强短波长的灵敏度
S8550是APD （雪崩光电二极管）阵列设计的短波探测，具有低噪音，低终端电容。 S8550
还提供了统一的增益和每个元素之间的小串扰。
特点
应用
l
高灵敏度和低噪声在短波长区
l
低容量终端
l
优化的蓝色光检测
l
统一的增益和低之间的串扰变化
每个元素
l
在可见光范围内的低光级测光
l
探测器系统结合闪烁
s
通用等级
参数
单元尺寸
元件间距
包
窗口材料
等级
1.6 × 1.6 （ × 32元）
2.3
陶瓷的
环氧树脂
单位
mm
mm
-
-
s
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
符号
TOPR
TSTG
价值
-20至+60
-20至+80
单位
°C
°C
s
电气和光学特性（Ta = 25 ° C）
参数
光谱响应范围
峰值灵敏度波长
量子效率
击穿电压
暗电流
终端电容
收益
符号
条件
λ
M=50
λp
QE
λ=420
nm
V
BR
I
D
每1元素时，M = 50
每1元素时，M = 50，
Ct
F = 10千赫
M
分钟。
-
-
60
-
-
-
-
典型值。
320 1000
600
70
400
10
10
50
马克斯。
-
-
-
500
50
-
-
单位
nm
nm
%
V
nA
pF
-
1
硅APD阵列
s
量子效率与波长
100
（典型值TA = 25℃）
S8550
s
增益与反向电压
1000
（典型值TA = 25℃，
λ=420
纳米）
量子效率（％）
80
100
60
40
10
20
0
200
收益
400
600
800
1000
1200
1
0
100
200
300
400
波长（nm ）
KAPDB0059EA
反向电压
(V)
KAPDB0063EA
s
外形尺寸（单位：毫米）
19.50
2.30
ARRAY 2
0.9
1.27
15.24
0.45
2.30 2.60 2.30
A4 B4 C4 D4 E4 F4 G4 H4
11.20
A2 B2 C2 D2 E2 F2 G2 H2
A1 B1 C1 D1 E1 F1 G1 H1
c
b
a
光敏
表面
13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1
活动区域
1.6× 1.6（阳极）
ARRAY 1
索引标记
(0.5)
1.00
1.27
15.24
引脚号元素号引脚号元素号引脚号元素号引脚号元素号
1a
阴极1
6b
D1
3d
C3
1f
A4
B1
3a
8b
E1
11d
G3
3f
B4
C2
5a
10b
F1
13d
H4
5f
D3
D2
7a
12b
G2
2e
B3
7f
E3
E2
9a
1c
A1
4e
C4
9f
F3
G1
11a
3c
B2
6e
D4
11f
G4
H1
13a
11c
F2
8e
E4
13F阴极2
A2
2b
13c
H2
10e
F4
C1
4b
1d
A3
12e
H3
阴极1 ：阴极阵列1
阴极2 ：阴极阵列2
KAPDA0023EB
2.6
提供的信息滨松被认为是可靠的。但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。
规格若有变更，恕不另行通知。没有专利权授予任何本文所描述的电路。 2006滨松光子学株式会社
滨松光子学株式会社，固态处
1126-1市野町，东区市， 435-8558日本，电话： （ 81 ） 53-434-3311 ，传真： （ 81 ） 53-434-5184 ， www.hamamatsu.com
美国：滨松公司： 360山麓路，邮政信箱6910 ，布里奇沃特， NJ 08807-0910 ， USA ，电话： （ 1 ） 908-231-0960 ，传真： （ 1 ） 908-231-1218
德国：滨松光子德国公司： Arzbergerstr 。 10 ， D- 82211的Herrsching很Ammersee的，德国，电话： （ 49 ） 08152-3750 ，传真： （ 49 ） 08152-2658
法国：滨松光子法国SARL ： 19 ，杜街Sule酒店Trapu ，杜公园红磨坊德马西， 91882 Cedex的马西，法国，电话： 33-（ 1 ） 69 53 71 00 ，传真： 33-（ 1 ） 69 53 71 10
英国：滨松光子英国有限公司： 2霍华德法院， Tewin路10号，韦林花园城，赫特福德郡AL7 1BW ，英国，电话： （ 44 ） 1707-294888 ，传真： （ 44 ） 1707-325777
北欧：滨松光子诺登AB ： Smidesvgen 12 ， SE- 171 41索尔纳，瑞典，电话： （ 46 ） 8-509-031-00 ，传真： （ 46 ） 8-509-031-01
意大利：滨松光子ITALIA SRL ：斯特拉达德拉莫亚， 1 / E ， 20020阿莱赛（米兰） ，意大利，电话： （ 39 ） 02-935-81-733 ，传真： （ 39 ） 02-935-81-741
1.27
7.62
A3 B3 C3 D3 E3 F3 G3 H3
f
e
d
2
猫。第KAPD1009E02
2006年6月DN
UTC S8550
PNP外延硅晶体管
低压大电流
小信号PNP
晶体管
描述
在UTC S8550是一款低电压高电流小
信号PNP晶体管，专为B类推挽
音频放大器和通用应用。
1
特点
*集电极电流高达700mA
*集电极 - 发射极电压高达20 V
*为了配合S8050 UTC
TO-92
1 ：发射器
2 ：基本
3 ：收藏家
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极耗散（ TA = 25℃
)
集电极电流
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Pc
Ic
T
j
T
英镑
价值
-30
-20
-5
1
-700
150
-65 ~ +150
单位
V
V
V
W
mA
°C
°C
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益（注）
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
的hFE
1
hFE2
hFE3
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
BE
f
T
COB
测试条件
Ic=-100A,I
E
=0
Ic=-1mA,I
B
=0
I
E
=-100A,Ic=0
V
CB
=-30V,I
E
=0
V
EB
=-5V,Ic=0
V
CE
=-1V,Ic=-1mA
V
CE
= - 1V ， IC = -150毫安
V
CE
=-1V,Ic=-500mA
Ic=-500mA,I
B
=-50mA
Ic=500mA,I
B
=-50mA
V
CE
=-1V,Ic=-10mA
V
CE
=-10V,Ic=-50mA
V
CB
=10V,I
E
=0
f=1MHz
民
-30
-20
-5
典型值
最大
单位
V
V
V
A
nA
-1
-100
100
120
40
110
400
-0.5
-1.2
-1.0
100
9.0
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
V
V
V
兆赫
pF
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
1
QW-R201-014,A
UTC S8550
秩
范围
PNP外延硅晶体管
C
120-200
D
160-300
E
280-400
中hFE2分类
典型性能特性
图1静态特性
0.5
图2直流电流增益
3
10
2
10
在图3的电压基射极
I
B
=3.0mA
I
B
=2.5mA
I
B
=2.0mA
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
V
CE
=1V
H
FE
，直流电流增益
0.4
V
CE
=1V
1
10
2
10
0.3
I
B
=1.5mA
0.2
I
B
=1.0mA
I
B
=0.5mA
1
10
0
10
0.1
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
集电极 - 发射极电压（ V）
IC ，集电极电流（毫安）
基极 - 发射极电压（V）的
图4饱和电压
4
10
3
10
图5电流增益带宽
产品
3
10
图6集电极输出
电容
COB，电容（pF ）
Ic=10*I
B
电流增益带宽
产品中，f
T
（兆赫）
饱和电压（MV ）
V
CE
=10V
2
10
3
10
V
BE
（SAT）
2
10
f=1MHz
I
E
=0
2
10
1
10
1
10
V
CE
（SAT）
1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
集电极 - 基极电压（ V）
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
2
QW-R201-014,A
S8550
PNP通用晶体管
P B
铅（Pb ） - 免费
TO-92
1.电子MIT T E
2. B A SE
3. COL L E CTOR
1
2
3
绝对最大额定值（TA = 25℃ ）
等级
收藏家-E米伊特尔电压
收藏家-B为E电压
ê米伊特尔-B为E电压
集电极电流
器件总派息s ipation牛逼
A
=2 5 C
油膏tem温度
S torage ， tem温度
符号
V CE
V CB
VE B○
IC
PD
Tj
TS TG
价值
-2 5
-4 0
-5 . 0
-5 0 0
0.625
150
-5 5 1 5 0
单位
VDC
VDC
VDC
米ADC
W
C
C
电气特性
特征
收藏家-E米伊特尔B reakdown电压（ IC = -0 。 1米ADC ， IB = 0 ）
收藏家-B为e B reakdown电压（ IC = -1 0 0 μAdc ， IE = 0 ）
ê米伊特尔-B为e B reakdown电压（ IE = -1 0 0 μAdc ， IC = 0 ）
集电极截止电流（ V CE = -2 0伏， IB = 0 ）
集电极截止电流（V CB = -4 0伏， IE = 0 ）
ê米伊特尔截止电流（ VEB = -3 。 0 V DC ， IC = 0 ）
符号
V（ B R ） CE
V（ B R ） CB
V（ B R ） E B
I CE 0
我CB
IE B○
民
-2 5
-4 0
-5 . 0
-
-
-
最大
-
-
-
-0 . 2
-0 . 1
-0 . 1
单位
VDC
VDC
VDC
uAdc
uAdc
uAdc
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
S8550
电气特性
（ TA = 25℃除非另有说明） （ Countinued ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = - 50 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
直流电流增益
（ IC = -500 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -500 MADC ， IB = -50 MADC ）
基射极饱和电压
（ IC = -500 MADC ， IB = -50 MADC ）
电流增益带宽积
（ IC = -20 MADC ， VCE = -6.0伏， F = 30MHz的）
的hFE
(1)
的hFE
(2)
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
fT
85
50
-
-
150
-
-
-
-
300
-
-0.6
-1.2
-
-
VDC
VDC
-
-
兆赫
HFE分类（ 1 ）
秩
范围
B
85-160
C
120-200
D
160-300
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
S8550
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
S8550
TO- 92外形尺寸
E
单位：mm
C
J
K
G
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
H
TO-92
民
最大
3.70
3.30
1.40
1.10
0.55
0.38
0.51
0.36
4.70
4.40
-
3.43
4.70
4.30
1.270TYP
2.44
2.64
14.10
14.50
B
L
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
D
A
S8 550
晶体管（ PNP ）
特点
免费为S8050
集电极电流：I
C
=0.5A
标记：
2TY
1.基地
2.辐射源
3.收集
SOT-23
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
参数
价值
-40
-25
-5
-0.5
0.3
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
CE
= -1V ，我
C
= -500mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
V
CE
= -6V ，我
C
= -20mA
150
50
-0.6
-1.2
V
V
兆赫
TEST
条件
I
E
=0
民
-40
-25
-5
-0.1
-0.1
120
400
最大
单位
V
V
V
I
C
= -100
μ
A,
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -100
μ
A，I
C
=0
V
CB
= -40V ，我
E
=0
V
EB
= -3V ，我
C
=0
V
CE
= -1V ，我
C
= -50mA
μ
A
μ
A
f
T
h
FE(1)
L
120-200
f=
30MHz
分类
秩
范围
H
200-350
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
SOT- 23塑封装晶体管
SOT-23
S8550
晶体管（ PNP ）
1.基地
2.辐射源
3.收集
特点
免费为S8050
集电极电流：I
C
=0.5A
标记：
2TY
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
参数
价值
-40
-25
-5
-0.5
0.3
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
CE
= -1V ，我
C
= -500mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
V
CE
= -6V ，我
C
= -20mA
150
50
-0.6
-1.2
V
V
兆赫
TEST
条件
I
E
=0
民
-40
-25
-5
-0.1
-0.1
-0.1
120
400
最大
单位
V
V
V
I
C
= -100
μ
A,
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -100
μ
A，I
C
=0
V
CB
= -40V ，我
E
=0
V
CE
= -20V ，我
B
=0
V
EB
= -3V ，我
C
=0
V
CE
= -1V ，我
C
= -50mA
μ
A
μ
A
μ
A
f
T
h
FE(1)
L
120-200
f=
30MHz
H
分类
秩
范围
200-350
SOT- 23塑封装晶体管
SOT-23
S8550
晶体管（ PNP ）
1.基地
2.辐射源
3.收集
特点
免费为S8050
集电极电流：I
C
=0.5A
标记：
2TY
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
参数
价值
-40
-25
-5
-0.5
0.3
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
CE
= -1V ，我
C
= -500mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
V
CE
= -6V ，我
C
= -20mA
150
50
-0.6
-1.2
V
V
兆赫
TEST
条件
I
E
=0
民
-40
-25
-5
-0.1
-0.1
-0.1
120
400
最大
单位
V
V
V
I
C
= -100
μ
A,
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -100
μ
A，I
C
=0
V
CB
= -40V ，我
E
=0
V
CE
= -20V ，我
B
=0
V
EB
= -3V ，我
C
=0
V
CE
= -1V ，我
C
= -50mA
μ
A
μ
A
μ
A
f
T
h
FE(1)
L
120-200
f=
30MHz
H
分类
秩
范围
200-350
S8550
PNP硅
公司Bauelemente
符合RoHS产品
塑料封装晶体管
特点
免费为S8050
集电极电流： IC = 0.5A
的" - C"后缀指定卤素&无铅
SOT-23
3
集热器
BASE
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
民
2.800
1.200
0.890
0.370
1.780
0.013
0.085
0.450
0.890
2.100
0.450
最大
3.040
1.400
1.110
0.500
2.040
0.100
0.177
0.600
1.020
2.500
0.600
1
2
辐射源
A
L
3
顶视图
1
2
B·S
标记： 2TY
V
G
C
D
H
K
J
单位：mm外形尺寸
最大额定值（T
A
= 25°C除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温
储存温度
参数
价值
-40
-25
-5
-0.5
0.3
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
O
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
H
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
http://www.SeCoSGmbH.com
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
H
FE(1)
TEST
条件
民
-40
-25
-5
典型值
最大
单位
V
V
V
I
C
= -100
μ
A，I
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
=-100
μ
A，I
C
=0
V
CB
=-40 V ,
V
CB
=-20V ,
V
EB
= -3V ,
V
CE
=-1V,
V
CE
=-1V,
I
E
=0
I
E
=0
I
C
=0
I
C
= -50mA
I
C
= -500mA
-0.1
-0.1
-0.1
120
50
-0.6
-1.2
150
350
μ
A
μ
A
μ
A
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
I
C
= -500毫安，我
B
= -50mA
I
C
= -500毫安，我
B
= -50mA
V
CE
=-6V,
I
C
=
-20mA
V
V
兆赫
f=
30MHz
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2007年修订版A
第1页
2
QQ：2880707522 复制
