S852T/S852TW
威世德律风根
硅NPN平面RF晶体管
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
对于低噪声和高增益宽带放大器在
集电极电流为0.2 mA至5毫安。
特点
D
低电源电压
D
低电流消耗
D
50
W
在945 MHz的输入阻抗
1
D
低噪声系数
D
高功率增益
1
13 581
94 9280
13 652
13 570
2
3
2
3
S852T标记: 852
1 =收藏家, 2 =基地3 =发射器
S852TW标记: W52
塑料外壳( SOT 323 )
1 =收藏家, 2 =基地3 =发射器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
12
6
2
8
30
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
125
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板交界处的环境( 25×20× 1.5) mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thJA
价值
450
单位
K / W
文档编号85052
第3版, 20 -JAN- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
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