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S852T/S852TW
威世德律风根
硅NPN平面RF晶体管
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
对于低噪声和高增益宽带放大器在
集电极电流为0.2 mA至5毫安。
特点
D
低电源电压
D
低电流消耗
D
50
W
在945 MHz的输入阻抗
1
D
低噪声系数
D
高功率增益
1
13 581
94 9280
13 652
13 570
2
3
2
3
S852T标记: 852
1 =收藏家, 2 =基地3 =发射器
S852TW标记: W52
塑料外壳( SOT 323 )
1 =收藏家, 2 =基地3 =发射器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
12
6
2
8
30
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
T
AMB
125
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板交界处的环境( 25×20× 1.5) mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thJA
价值
450
单位
K / W
文档编号85052
第3版, 20 -JAN- 99
www.vishay.de
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1 (7)
S852T/S852TW
威世德律风根
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
集电极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
直流正向电流传输比
测试条件
V
CE
= 12 V, V
BE
= 0
V
CB
= 8 V,I
E
= 0
V
EB
= 1 V,I
C
= 0
I
C
= 1毫安,我
B
= 0
I
C
= 5毫安,我
B
- 0.5毫安
V
CE
= 3 V,I
C
= 1毫安
符号最小值
I
CES
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
6
V
CESAT
h
FE
40
典型值
最大单位
100
m
A
100 nA的
1
m
A
V
0.4
V
150
0.1
90
AC电气特性
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
跃迁频率
q
y
集电极 - 基极电容
噪声系数
测试条件
V
CE
= 3 V,I
C
= 1毫安, F = 500 MHz的
V
CE
= 2 V,I
C
= 1.5毫安, F = 500 MHz的
V
CB
= 1 V , F = 1兆赫
Z
S
= Z
SOPT
, F = 450兆赫,V
CE
= 2 V,
I
C
- 0.5毫安
Z
S
= Z
SOPT
, F = 945兆赫,V
CE
= 3 V,
I
C
= 1毫安
Z
S
= Z
SOPT
, F = 945兆赫,V
CE
= 2 V,
I
C
= 1.5毫安
V
CE
= 2 V,I
C
= 0.5毫安, F = 450MHz的
V
CE
= 3 V,I
C
= 1毫安, F = 945 MHz的
V
CE
= 2 V,I
C
= 1.5毫安, F = 945 MHz的
V
CE
= 2 V , F = 500 MHz的
V
CE
= 3 V,I
C
= 1毫安, F = 945 MHz的
V
CE
= 2 V,I
C
= 1.5毫安, F = 945 MHz的
符号
f
T
f
T
C
cb
F
选择
F
选择
F
选择
G
pe
@F
选择
G
pe
@F
选择
G
pe
@F
选择
I
C
Re
(h11e)
Re
(h11e)
典型最大单位
4.7
GHz的
5.2
GHz的
0.25
pF
1.1
dB
1.8
2
11.5
10.5
12
3
50
50
dB
dB
dB
dB
dB
mA
电源克
收益
集电极电流对于f
T
最大
输入的实数部分
阻抗
W
W
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2 (7)
文档编号85052
第3版, 20 -JAN- 99
S852T/S852TW
威世德律风根
公共发射极S参数
Z
0
= 50
W,
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
S11
V
CE
/V
I
C
/ MA
F / MHz的
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
LIN
MAG
9.976
0.969
0.955
0.939
0.920
0.901
0.881
0.861
0.838
0.818
0.793
0.772
0.746
0.972
0.898
0.858
0.811
0.762
0.710
0.662
0.617
0.576
0.540
0.502
0.470
0.439
–3.8
–7.9
–11.7
–15.5
–18.9
–22.4
–25.8
–28.9
–32.3
–35.4
–38.8
–41.5
–45.1
–7.5
–14.5
–21.0
–27.0
–32.2
–36.8
–40.3
–43.8
–46.9
–50.0
–52.4
–54.8
–57.6
LIN
MAG
1.71
1.71
1.70
1.68
1.64
1.62
1.58
1.56
1.53
1.50
1.49
1.46
1.44
4.84
4.69
4.49
4.27
4.01
3.77
3.55
3.33
3.15
2.98
2.82
2.69
2.56
S21
174.9
168.9
163.3
157.7
151.9
147.2
142.2
137.6
133.1
129.4
125.1
121.3
117.2
170.9
161.7
153.1
145.1
137.8
131.3
125.3
120.0
115.1
110.7
106.5
102.8
99.0
LIN
MAG
0.015
0.029
0.044
0.058
0.070
0.082
0.093
0.104
0.114
0.121
0.130
0.138
0.148
0.016
0.031
0.045
0.057
0.067
0.077
0.085
0.093
0.099
0.106
0.113
0.118
0.123
S12
86.8
83.4
80.0
76.8
73.6
71.5
69.0
66.7
65.0
63.5
61.8
60.4
58.6
84.8
79.8
75.1
71.5
68.3
65.9
63.6
62.1
61.2
60.3
59.5
59.3
58.7
LIN
MAG
0.998
0.993
0.984
0.974
0.959
0.948
0.935
0.922
0.909
0.898
0.884
0.873
0.859
0.990
0.972
0.944
0.913
0.880
0.849
0.820
0.796
0.775
0.756
0.740
0.724
0.710
S22
–2.3
–4.7
–6.7
–8.7
–10.6
–12.4
–13.9
–15.5
–17.2
–18.6
–19.7
–21.3
–22.6
–3.9
–7.4
–10.6
–13.1
–15.3
–16.8
–17.8
–18.7
–19.5
–20.3
–20.8
–21.4
–21.7
0.5
2
1.5
文档编号85052
第3版, 20 -JAN- 99
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3 (7)
S852T/S852TW
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明)
C
cb
- 集电极基电容(pF )
0
13619
50
P
合计
- 总功率耗散( mW)的
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
5
V
CB
- 集电极基极电压( V)
13622
图1.总功耗对比
环境温度
7000
f
T
- 过渡频率(MHz )
f=500MHz
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
13620
图3.集电极基电容与
集电极 - 基极电压
3V
2V
V
CE
=1V
1
2
3
4
5
I
C
- 集电极电流(mA )
图2.过渡频率与集电极电流
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4 (7)
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S852T/S852TW
威世德律风根
V
CE
= 2 V,I
C
= 1.5毫安,Z
0
= 50
W
S
11
j
120°
j0.5
j2
500
150°
j0.2
j5
30°
S
12
90°
900
1300MHz
0
0.2
0.5
1
2
5
100
–j5
1
–j0.2
13 562
S
21
90°
120°
60°
150°
2
4
0
–j0.2
–150°
–30°
–120°
13 564
–60°
–90°
13 565
图5.正向传输系数
文档编号85052
第3版, 20 -JAN- 99
100
180°
1300MHz
900
500
–j0.5
–j
–j2
180°
100
0.04
0.08
–150°
–30°
–120°
13 563
–60°
–90°
图4.输入反射系数
图6.反向传输系数
S
22
j
j0.5
500
900
1300MHz
30°
j0.2
j5
j2
0.2
0.5
1
2
5
100
1
1300MHz
–j5
–j0.5
–j
–j2
图7.输出反射系数
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    S852
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:021-51872165/51872561
联系人:陈小姐 付先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
S852
VISHAY
20+
26000
SOT-23
全新原装 货期两周
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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