128MB ： X4，X8 ， X16
SDRAM的3.3V
国际刑事法院工作条件和最高限额
:
VDD = 3.3V
±
10 ％V ，温度。
=
25°到70
°C
电源电流
工作电流：
主动模式下，突发= 1 ，读取或写入的tRC >的tRC
（MIN），一个存储体激活， CL = 3
掉电模式， CKE =低，
标准件
没有进行中的访问
自刷新件
CS ＃ = HIGH ， CKE = HIGH ，所有银行闲置
CS ＃ = HIGH ， CKE = HIGH，后激活的tRCD满足所有银行，
没有进行中的访问。
工作电流：
突发模式后， tRCD的满足，连拍， READ ，
WRITE ，所有银行活动的， CL = 3
自动刷新当前
tRC的>的tRC （ MIN ）
CL = 3
自动刷新当前
tRC=15.6us
CL = 3
自刷新电流
（仅适用于自刷新部分，一部分M）
符号
Icc1
Idd2
Idd2
Icc3
Icc4
Icc5
Icc6
Icc7
Idd8
-75A
165
9
3
75
75
165
265
50
3
-8A
140
9
3
60
50
145
245
50
3
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
笔记
1, 2, 3, 4
32
32
1, 2, 3, 4
1, 2, 3, 4
1, 2, 3, 4
1, 2, 3, 4
1, 2, 3, 4
笔记
1.所有电压参考VSS 。
100 2初始暂停
s
上电后是必需的，后面跟着两个自动刷新命令，器件正常工作之前，
为保证。 （ Vdd和VDDQ必须加电，同时Vss和VSSQ必须在相同的电位。）两个自动
刷新命令唤醒，应重复任何时间
t
REF刷新的要求超出。
3.电流Icc指标进行测试后，该设备已正确初始化。 TCK = 10ns的为-8和TCK = 7.5ns的-75A 。
PDF ： 09005aef807827f6 /来源： 09005aef807825bd
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SDRAM的3.3V
AC电气特性：
VDD = 3.3V
±
10 ％V ，温度。 = 25° 70 ℃下
AC特性
参数
从CLK （上升沿）访问时间CL = 3
从CLK （上升沿）访问时间CL = 2
地址保持时间
地址建立时间
CLK高电平宽度
CLK低电平宽度
时钟周期时间CL = 3
时钟周期时间CL = 2
CKE保持时间
CKE建立时间
CS ＃ ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ， DQM保持时间
CS ＃ ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ， DQM建立时间
数据保持时间
数据的建立时间
数据输出高阻抗时间
数据输出低阻抗时间
数据输出保持时间
主动到预充电命令期
自动刷新为ACTIVE命令期
ACTIVE读取或写入延迟
刷新周期（ 4096次）
预充电命令期
ACTIVE A银行向B银行指令周期
转换时间
写恢复时间
退出自刷新为ACTIVE命令
读/写命令到读/写命令
CKE到时钟禁用或掉电输入模式
CKE时钟使能或关闭电源退出设置
符号
TAC
TAC
TAH
TAS
总胆固醇
TCL
TCK
TCK
tCKH
第三文化孩子
tCMH
中药
TDH
TDS
太赫兹
TLZ
TOH
tRAS的
TRC
tRCD的
TREF
激进党
TRRD
tT
tWR的
TXSR
TCCD
tCKED
TPED
-75A
民
-75A
最大
5.4
不适用
-8A
民
-8A
最大
6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
TCK
TCK
TCK
TCK
笔记
0.8
1.5
2.5
2.5
7.5
不适用
0.8
1.5
0.8
1.5
0.8
1.5
9
1
2.7
44
60
22.5
22.5
15
0.3
20
8
1
1
1
1
2
3
3
10
1
2
1
2
1
2
9
2
3
50
80
30
30
20
0.3
20
8
1
1
1
4
16K
16K
64
64
2
2
3
1
2
2
AC电气特性：
VDD = 3.3V
±
10 ％V ，温度。 = 25° 70 ℃下
AC特性
参数
DQM输入数据延迟
WRITE命令来输入数据延迟
数据中，以激活命令W /自动预充电
数据进行预充电
最后的数据到预充电命令
加载模式寄存器命令，命令
数据输出，从预充电高阻
符号
tDQD
Tdwd
tDAL
tDPL
TRDL
超过tMRD
Troh
-75A
民
0
0
5
2
2
2
3
-75A
最大
-8
民
0
0
5
2
2
2
3
-8
最大
单位
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
笔记
1
1
3
2, 3
1
1
1
注意事项：
需要由JEDEC功能指定，并且不依赖于任何定时参数1.时钟。
2.定时实际上由第三文化孩子，指定为仅在最小周期率的基准时钟（多个）指定。
3.时序实际上是由指定为仅在最小循环速率的参考tWR的加tRP的时钟（多个）指定。
4.太赫兹限定在其中的输出达到开路状态的时间;它不是一个引用的Voh或卷。最后一个有效数据
临睡前高Z元素将满足TOH 。
5.基于TCK = 10ns的为-8和TCK = 7.5ns的-75a
PDF ： 09005aef807827f6 /来源： 09005aef807825bd
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SDRAM的3.3V
54引脚塑料TSOP （ 400万）
（包TK ）
注意：
1.以毫米为单位MAX / MIN或典型的全尺寸注意的地方。
2.包装宽度和长度不包括塑模突出;许模突起为0.25mm每边。
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国际刑事法院工作条件和最高限额
:
VDD = 3.3V
±
10 ％V ，温度。
=
25°到70
°C
电源电流
工作电流：
主动模式下，突发= 1 ，读取或写入的tRC >的tRC
（MIN），一个存储体激活， CL = 3
掉电模式， CKE =低，
标准件
没有进行中的访问
自刷新件
CS ＃ = HIGH ， CKE = HIGH ，所有银行闲置
CS ＃ = HIGH ， CKE = HIGH，后激活的tRCD满足所有银行，
没有进行中的访问。
工作电流：
突发模式后， tRCD的满足，连拍， READ ，
WRITE ，所有银行活动的， CL = 3
自动刷新当前
tRC的>的tRC （ MIN ）
CL = 3
自动刷新当前
tRC=15.6us
CL = 3
自刷新电流
（仅适用于自刷新部分，一部分M）
符号
Icc1
Idd2
Idd2
Icc3
Icc4
Icc5
Icc6
Icc7
Idd8
-75A
165
9
3
75
75
165
265
50
3
-8A
140
9
3
60
50
145
245
50
3
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
笔记
1, 2, 3, 4
32
32
1, 2, 3, 4
1, 2, 3, 4
1, 2, 3, 4
1, 2, 3, 4
1, 2, 3, 4
笔记
1.所有电压参考VSS 。
100 2初始暂停
s
上电后是必需的，后面跟着两个自动刷新命令，器件正常工作之前，
为保证。 （ Vdd和VDDQ必须加电，同时Vss和VSSQ必须在相同的电位。）两个自动
刷新命令唤醒，应重复任何时间
t
REF刷新的要求超出。
3.电流Icc指标进行测试后，该设备已正确初始化。 TCK = 10ns的为-8和TCK = 7.5ns的-75A 。
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SDRAM的3.3V
AC电气特性：
VDD = 3.3V
±
10 ％V ，温度。 = 25° 70 ℃下
AC特性
参数
从CLK （上升沿）访问时间CL = 3
从CLK （上升沿）访问时间CL = 2
地址保持时间
地址建立时间
CLK高电平宽度
CLK低电平宽度
时钟周期时间CL = 3
时钟周期时间CL = 2
CKE保持时间
CKE建立时间
CS ＃ ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ， DQM保持时间
CS ＃ ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ， DQM建立时间
数据保持时间
数据的建立时间
数据输出高阻抗时间
数据输出低阻抗时间
数据输出保持时间
主动到预充电命令期
自动刷新为ACTIVE命令期
ACTIVE读取或写入延迟
刷新周期（ 4096次）
预充电命令期
ACTIVE A银行向B银行指令周期
转换时间
写恢复时间
退出自刷新为ACTIVE命令
读/写命令到读/写命令
CKE到时钟禁用或掉电输入模式
CKE时钟使能或关闭电源退出设置
符号
TAC
TAC
TAH
TAS
总胆固醇
TCL
TCK
TCK
tCKH
第三文化孩子
tCMH
中药
TDH
TDS
太赫兹
TLZ
TOH
tRAS的
TRC
tRCD的
TREF
激进党
TRRD
tT
tWR的
TXSR
TCCD
tCKED
TPED
-75A
民
-75A
最大
5.4
不适用
-8A
民
-8A
最大
6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
TCK
TCK
TCK
TCK
笔记
0.8
1.5
2.5
2.5
7.5
不适用
0.8
1.5
0.8
1.5
0.8
1.5
9
1
2.7
44
60
22.5
22.5
15
0.3
20
8
1
1
1
1
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10
1
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1
2
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50
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30
30
20
0.3
20
8
1
1
1
4
16K
16K
64
64
2
2
3
1
2
2
AC电气特性：
VDD = 3.3V
±
10 ％V ，温度。 = 25° 70 ℃下
AC特性
参数
DQM输入数据延迟
WRITE命令来输入数据延迟
数据中，以激活命令W /自动预充电
数据进行预充电
最后的数据到预充电命令
加载模式寄存器命令，命令
数据输出，从预充电高阻
符号
tDQD
Tdwd
tDAL
tDPL
TRDL
超过tMRD
Troh
-75A
民
0
0
5
2
2
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3
-75A
最大
-8
民
0
0
5
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-8
最大
单位
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
笔记
1
1
3
2, 3
1
1
1
注意事项：
需要由JEDEC功能指定，并且不依赖于任何定时参数1.时钟。
2.定时实际上由第三文化孩子，指定为仅在最小周期率的基准时钟（多个）指定。
3.时序实际上是由指定为仅在最小循环速率的参考tWR的加tRP的时钟（多个）指定。
4.太赫兹限定在其中的输出达到开路状态的时间;它不是一个引用的Voh或卷。最后一个有效数据
临睡前高Z元素将满足TOH 。
5.基于TCK = 10ns的为-8和TCK = 7.5ns的-75a
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128MB ： X4，X8 ， X16
SDRAM的3.3V
54引脚塑料TSOP （ 400万）
（包TK ）
注意：
1.以毫米为单位MAX / MIN或典型的全尺寸注意的地方。
2.包装宽度和长度不包括塑模突出;许模突起为0.25mm每边。
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