光电二极管
硅光电二极管阵列
S7978
5×5元件阵列X射线检测器
特点
应用
l
高可靠性的光电二极管陶瓷闪烁体
高透视灵敏度：比CWO闪烁体高1.8倍
少余辉： <0.1 ％ / 3毫秒， <0.01 ％ / 30毫秒
无潮解
l
5×5的元件的光电二极管阵列
l
通道的数量可以增加通过连接
几个S7978在一起。
l
X射线分析， X射线检测
s
绝对最大额定值（Ta = 25
°C)
参数
反向电压
工作温度
储存温度
符号
V
R
马克斯。
TOPR
TSTG
价值
5
-10至+60
-20至+70
单位
V
°C
°C
s
电气和光学特性（Ta = 25
°C,
每1元件，而不闪烁体）
参数
光谱响应范围
峰值灵敏度波长
照片灵敏度
暗电流
终端电容
符号
λ
λp
S
I
D
Ct
条件
树脂
λ=500
纳米树脂
V
R
-10毫伏
V
R
= 5 V ， F = 10千赫
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
220 1000
720
0.36
0.1
30
马克斯。
-
-
-
10
50
单位
nm
m
/ W
pA
pF
s
透视灵敏度（参考值，每1元，管电流为1.0毫安，铝过滤器： T = 6mm时，距离= 830毫米）
X射线管电压
120千伏
注）取决于设备和测量条件。
典型值。
2.1
单位
nA
1
硅光电二极管阵列
s
外形尺寸（单位：毫米）
19.78 ± 0.15
B面
1 2
芯片
11.39
E1 D1 C1 B1 A1
E2 D2 C2 B2 A2
E3 D3 C3 B3 A3
E4 D4 C4 B4 A4
E5 D5 C5 B5 A5
1314
活动区域
1.28 × 1.28
P 1.778 × 4 = 7.112
15.24 ± 0.1
1314
1.0
1.27
A面
1 2
S7978
P 1.778 × 4 = 7.112
闪烁体
8.79
P 1.27 × 6 = 7.62
CNN 。一
1.27
3.25
闪烁体
9.19
2.1 ± 0.4
CNN 。 B
PRECI -DIP
852-10-014-10-001
3.0 ± 0.2
B面
A面
引脚号元素号引脚号元素号
1
1
阴极
阴极
2
2
e1
盾
3
3
d1
b1
4
4
c1
a1
5
5
e2
b2
6
6
d2
a2
7
7
c2
a3
8
8
e3
b3
9
9
d3
b4
10
10
c3
c4
11
11
e4
c5
12
12
d4
a4
13
13
d5
b5
14
14
e5
a5
KSPDA0146EA
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1.6 ± 0.2
1.95 ± 0.2
8.89
-0.15
+0
2
猫。第KSPD1052E02
扬0.2004 DN
QQ：2881677436 复制
