S75WS -N系列媒体通信处理器

堆叠式多芯片产品（ MCP ）

256兆位（ 16M ×16位） CMOS 1.8伏只

同步读/写，突发模式闪存

128 MB（ 8M ×16位）内存类型4和

512 MB （ 32M ×16位）的数据闪存或1 Gb ORNAND闪存

数据表

初步

请注意，以读者：

这份文件表明国家目前的技术

规格对于本文所描述的飞索产品（S） 。该

本文件的初步情况表明，产品具有资质

已经完成，并且该最初的生产已经开始。因的相位

在制造过程中需要维护的效率和质量，这

文档可以通过后续因版本或修改修改

变化的技术规范。

公开号

S75WS-N_02

调整

A

修订

2

发行日期

2005年10月6日

P L I M I N A R

请注意在数据表牌号

Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步指示来提醒

产品信息在整个产品生命周期的读者或意图规范，在 -

cluding开发，认证，初期生产，满负荷生产。在所有的情况下，但是，

我们鼓励读者以验证它们是否有最新的信息，最终确定自己的DE-前

签收。 Spansion的数据表名称的下面说明在此呈现给高亮

点燃他们的存在和定义。

超前信息

事前信息认证表明Spansion公司正在开发一个或更有针对性

cific产品，但并没有承诺任何设计到生产。在doc-提供的信息

输稿带，该名称是可能发生变化，并且在某些情况下，开发产品上

可能会中止。因此， Spansion公司在推进信息放置在下列条件

化的内容：

“本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该

信息旨在帮助您评估该产品。本产品不CON-不要设计

tacting工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作

产品，恕不另行通知。 “

初步

预指定表示该产品的开发已取得进展，使得一

致力于生产已经发生。此指定涵盖在本产品的几个方面

UCT生命周期，包括产品合格，初始生产，并在随后的阶段

满负荷生产达到之前发生的制造工艺。更改技术

在初步号文件提出要规范，同时保持这些AS-预期

生产正在考虑pects 。飞索款规定Prelimi-下列条件

进制内容：

“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品（第）描述

在本文中。本文件的初步情况显示，产品合格已经完成，

而且最初的生产已经开始。由于在制造过程中，需要相

保持效率和质量，这个文件可以通过后续的版本或modifica-修改

由于系统蒸发散变化的技术规范“。

组合

有些数据表包含的产品具有不同的名称（组合提前在 -

形成初步或全部生产） 。这种类型的文件将区分这些产品

和它们的名称在必要时，通常在第一页，订货信息

页面，并与DC特性表和AC擦除和编程表页（表

注释） 。在第一页的免责声明是指读者在此页上的通知。

满负荷生产（在文件没有指定）

当产品已经生产了一段时间，使得不改变或仅标称

改变预期，初步指定从数据表中删除。公称

变化可以包括那些影响订货可用的部件号，如数量

另外的一个速度的选择，温度范围，包类型，或V或缺失

IO

范围内。变化

也包括那些需要澄清说明或纠正拼写错误或新断路器

RECT规范。 Spansion公司采用下列条件这一类的文件：

“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品（第）描述

在本文中。 Spansion公司认为该产品已经在足够的生产量，这样子

本文档的序贯版本预计不会改变。但是，印刷或者规格

更正或修改提供可能发生的有效组合。 “

有关这些文件名称的问题，可向当地的AMD或富士通

销售网络的CE 。

ii

S75WS -N系列媒体通信处理器

2005年S75WS - N_02_A2 10月6日，

S75WS -N系列媒体通信处理器

堆叠式多芯片产品（ MCP ）

256兆位（ 16M ×16位） CMOS 1.8伏只

同步读/写，突发模式闪存

128 MB（ 8M ×16位）内存类型4和

512 MB （ 32M ×16位）的数据闪存或1Gb的ORNAND闪存

数据表

初步

概述

该S75WS -N系列是堆叠式多芯片产品（ MCP ）封装产品线，由

：下列项目

一个或多个S29WS -N码的Flash

内存类型4

一个或多个S29WS - N个数据闪存，或者一个或多个S30MS -P ORNAND闪存

包括在本文档中的产品列于下表：

代码闪存

密度

256 MB

S75WS256NDF

S75WS256NEG

128 MB

内存

密度

256 MB

NOR闪存数据

密度

512 MB

ORNAND闪存数据

密度

1024 MB

设备

特色鲜明

MCP特点

1.7 V至1.95 V电源电压

高性能

- 54兆赫， 66兆赫， 80兆赫

套餐

- 9× 12毫米84球FBGA

- 11× 13毫米115球FBGA

工作温度

- 无线， -25 ° C至+ 85°C

公开号

S75WS-N_02

调整

A

修订

2

发行日期

2005年10月6日

P L I M I N A R

目录

S75WS -N系列MCP的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我

1

2

3

4

5

产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3

1.1 NOR闪存+ PSRAM + ORNAND闪存的MCP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3

订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

输入/输出说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

连接图/物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8

5.1特殊处理说明FBGA封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

5.2连接图 - NOR闪存& 1.8 V内存类型4基于引脚， 9 ×12毫米。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

5.3连接图 - ORNAND为基础的引脚， 11 ×13毫米。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

5.4物理尺寸 - FEA084 - 细间距球栅阵列9 ×12毫米。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.10

5.5物理尺寸 - FND115 - 细间距球栅阵列11 ×13毫米。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

MCP修订。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

表2.1

表2.2

表3.1

表3.2

MCP配置和有效组合。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

ORNAND配置和有效组合。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

NOR闪存和RAM的输入/输出说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

ORNAND闪存输入/输出说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

表

6

科幻居雷什

图4.1

图4.2

MCP框图......................................................................................................................... 6

ORNAND框图...................................................................................................................... 7

2

S75WS -N系列媒体通信处理器

2005年S75WS - N_02_A2 10月6日，

P L I M I N A R

1

产品选择指南

设备

模型

号码

LK

NK

MCP配置

CODE

FL灰

内存

（兆）

CODE

内存

数据存储密度密度

（兆）

（兆）

FL灰

DYB

PSRAM

数据闪存闪存PSRAM

上电

（ RAM类型4 ）

密度

速度速度

状态

供应商

（兆）

（兆赫） （兆赫）

（见

注）

54

54

0

1

0

1

0

1

4

9x12

包

84球

FBGA

(mm)

S75WS256NDF

LJ

NJ

LH

NH

WS256N

128

2xWS256N

256

128

512

66

66

80

80

b

注意：

0 （保护） ， 1 （未受保护的[默认状态] ）

1.1

NOR闪存+ PSRAM + ORNAND闪存的MCP

设备

模型

号码

UK

UJ

NOR闪存

密度

ORNAND闪存

密度

PSRAM

密度

MCP速度

54兆赫

66兆赫

512 MB

1024 MB

256 MB

80兆赫

54兆赫

66兆赫

80兆赫

1.8 V

PSRAM

类型4

x8

x16

11 ×13× 1.4毫米

供应商

ORNAND巴士

宽度

包

S75WS256NEG

UH

SK

SJ

SH

2005年10月6日S75WS ， N_02_A2

S75WS -N系列媒体通信处理器

3

S73WS -P基于MCP产品

1.8伏特，只有X16同步读/写，

突发模式闪存

在共享总线的移动SDRAM

S73WS -P基于MCP产品封面

数据表

（高级信息）

请注意，以读者：

这份文件指出关于Spansion公司目前的技术规格

本文描述的产品（S） 。本文描述的每一个产品可以被指定为超前信息，

初步或全面投产。看

请注意在数据表牌号

对于定义。

公开号

S73WS-P_00

调整

A

修订

0

发行日期

2006年3月16日

请注意在数据表牌号

Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步的名称，提醒读者

产品信息或意图规范整个产品生命周期，包括研发，

资质，初始生产，并全面投入生产。在所有的情况下，但是，我们鼓励读者以验证

他们有他们的定稿之前的设计的最新信息。 Spansion公司的数据下面的说明

表名称使用这里介绍要突出自己的存在和定义。

超前信息

事前信息认证表明Spansion公司正在开发一个或多个特定

产品，但并没有承诺任何设计到生产。呈现在文档中使用这些信息

指定有可能发生改变，并且在某些情况下，开发的产品可中止。 Spansion公司

因此， LLC则以在生产数据内容如下条件：

“本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。

该信息旨在帮助您评估该产品。本产品无不要设计

联系工厂。 Spansion公司保留随时更改或终止对这个作品的权利

恕不另行通知提出的产品“ 。

初步

预指定表示该产品的开发已取得进展，使得一个承诺

生产已经发生。该标识包含几个方面的产品生命周期，包括

产品合格，最初的生产，并且在发生的制造过程中的后续阶段

之前满负荷生产的实现。更改技术规格的初步介绍

文件应同时保持生产这些方面正在考虑的期望。 Spansion公司

放置后，初步含量满足以下条件：

“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范（ S）

本文中所描述。本文件的初步情况显示，产品合格已

完成，而且最初的生产已经开始。由于制造过程中的各个阶段那

需要维护的效率和质量，这个文件可以通过后续版本或修订

修改由于改变了技术规范。 “

组合

有些数据表包含的产品具有不同的名称的组合（超前信息，

初步或全部生产） 。这种类型的文件区分这些产品和它们的名称

在必要时，通常第一个页面时，订购信息页面，页面与DC

特性表和AC擦除和编程表（表中的说明） 。第一个免责声明

页面是指读者在此页上的通知。

满负荷生产（在文件没有指定）

当产品已经生产了一段时间，使得不改变或仅标称变化

预计，初步指定从数据表中删除。标称变化可能包括

那些影响订货可用的部件号，诸如速度的增加或删除的数量

选项，使用温度范围，封装类型，或V

IO

范围内。变化也可能包括那些需要澄清

说明或者纠正拼写错误或不正确的规范。 Spansion公司采用以下

条件，这一类材料：

“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范（ S）

本文中所描述。 Spansion公司认为该产品已足够生产量

例如，本文件的后续版本预计不会改变。然而，排印

或规范更正或修改提供可能发生的有效组合。 “

有关这些文件名称的问题，可向当地的AMD或富士通销售办事处。

ii

S73WS -P基于MCP产品

2006年S73WS - P_00_A0 3月16日，

S73WS -P基于MCP产品

1.8伏特，只有X16同步读/写，

突发模式闪存

在共享总线的移动SDRAM

数据表

（高级信息）

特点

为1.7至1.95V的电源电压

Flash访问时间： 80纳秒的NOR闪存

闪爆频率： 66兆赫， 80兆赫， 108兆赫

移动SDRAM的突发频率： 104兆赫（ SDR ）

包装：

- 9.0× 12.0毫米MCP

工作温度

- -25 ° C至+ 85°C （无线）

该S73WS系列是堆叠封装的产品线，包括：

一个NOR闪存芯片

在共享总线的一个移动SDRAM芯片

包括在本文档中的产品列于下表中。

DRAM密度

设备

S29WS256P

128Mb

S73WS256PD0 （MCP） （ SDR）的

注意：

对于OPNS的完整列表，请联系当地的销售代表或参阅订购信息有效组合表。

有关详细规格，请参阅单独的数据表。

文件

S29WS-P

128 Mb移动SDR - DRAM类型5

出版物识别码（ PID）的

S29WS-P_00

SDRAM_08

公开号

S73WS-P_00

调整

A

修订

0

发行日期

2006年3月16日

本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。不设计

本产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作，恕不另行通知。

数据

片

（A DVA NCE

我NF处或马TI ）

1.

产品选择指南

设备

S73WS512PD0HF64V

NOR闪存

密度

512 MB

NOR闪存

速度

66兆赫

DRAM

密度

128 MB

DRAM的速度

104兆赫（ SDR）的

DRAM供应商

5型

包

MCP

9× 12毫米

2. MCP框图

2.1

NOR闪存+ DRAM的MCP

A0-Amax

A0-Amax

F- RDY

RDY

DQ15-DQ0

DQ15-DQ0

F- CLK

F- AVD ＃

F- CE ＃

F- OE ＃

F- RST ＃

F- ACC

F- WP ＃

F- WE＃

CLK

AVD ＃

CE＃

OE ＃

RESET＃

加

WP ＃

WE＃

WS -P

NOR闪存

内存

VSS

VSSQ

F- VSS

F- VSSQ

VCC

VCCQ

F- VCC

F- VCCQ

D- RAS ＃

D- CAS ＃

D-BA0

D-BA1

D- CKE

D- WE＃

D- CE ＃

D- VCC

D- VCC

Q

RAS ＃

CAS ＃

BA0

BA1

CKE

WE＃

CE＃

A0-Amax

VCC

VCCQ

CLK

D- CLK

SDR

DRAM

内存

LDQM

UDQM

DQ15-DQ0

VSS

VSSQ

D-DM0

D-DM1

D- VSS

D- VSSQ

2

S73WS -P基于MCP产品

2006年S73WS - P_00_A0 3月16日，

D A TA

中文ê （E T）

（一台DV ANC ê

在FO RM在离子）

3.连接图

3.1

512 MB NOR闪存具有128MB SDR -DRAM

137球细间距球栅阵列

（顶视图，球朝下）

1

A

D- CKE

B

2

3

4

5

6

7

8

9

10

传说

D- CLK

俄罗斯足协

俄罗斯足协

D- VSS D- VCC

俄罗斯足协

俄罗斯足协

D- VSS

D- CE ＃

SHARED

D- RAS ＃ D- WE＃

C

俄罗斯足协

D

俄罗斯足协

E

D- VCCQ

F

D- VSSQ

G

俄罗斯足协

H

俄罗斯足协

J

俄罗斯足协

K

俄罗斯足协

L

俄罗斯足协

M

俄罗斯足协

N

俄罗斯足协

P

俄罗斯足协

D- VSS

D-BA0

俄罗斯足协

俄罗斯足协

DNU

F- CE ＃

A0

A1

A2

A3

F- WP ＃

F- AVD ＃

俄罗斯足协

俄罗斯足协

D- VSSQ D- VCCQ

俄罗斯足协

俄罗斯足协

俄罗斯足协

D- CAS ＃

不要使用

VSS

F- CLK

俄罗斯足协

F- VCC

俄罗斯足协

俄罗斯足协

俄罗斯足协

俄罗斯足协

NOR闪存只有

A7

D- DM0 F- ACC

WE＃

A8

A11

俄罗斯足协

俄罗斯足协

只有DRAM

A6

D- DM1 F- RST ＃

DNU

A19

A12

A15

D- VCCQ

留作将来使用

A5

A18

F- RDY

A20

A9

A13

A21

D- VSSQ

A4

A17

A23

A10

A14

A22

俄罗斯足协

VSS

DQ1

DQ6

A24

A16

俄罗斯足协

OE ＃

DQ9

DQ3

DQ4

DQ13

DQ15

DNU

俄罗斯足协

DQ0

DQ10

F- VCC

俄罗斯足协

DQ12

DQ7

VSS

俄罗斯足协

DQ8

DQ2

DQ11

俄罗斯足协

DQ5

DQ14

俄罗斯足协

俄罗斯足协

俄罗斯足协

VSS

F- VCC

俄罗斯足协

DNU

F- VCCQ

DNU

俄罗斯足协

俄罗斯足协

俄罗斯足协

D- VSSQ D- VCCQ

俄罗斯足协

俄罗斯足协

D-BA1

俄罗斯足协

俄罗斯足协

俄罗斯足协

D- VSS D- VCC

俄罗斯足协

俄罗斯足协

DNU

俄罗斯足协

注意：

DDR-只有信号是在SDR中的DRAM为基础的解决方案的情况下RFUs 。

3.1.0.1

特殊处理说明FBGA封装

特殊处理所需的闪存产品， FBGA封装。

如果暴露在超声波清洗方法FBGA封装的快闪存储器装置可能会损坏。该

如果封装体暴露于温度高于包和/或数据的完整性可能受到损害

150℃下进行较长时间。

2006年S73WS - P_00_A0 3月16日，

S73WS -P基于MCP产品

3