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S75PL -N的MirrorBit
ORNAND
MCPS
堆叠式多芯片产品( MCP )
S29PL -N : CMOS 3.0伏只同步读/写,
页模式闪存( NOR接口)
S30ML -P : ORNAND闪存( NAND接口)
3V PSRAM
数据表
(高级信息)
S75PL -N的MirrorBit
ORNAND
MCP的封面
请注意,以读者:
这份文件指出关于Spansion公司目前的技术规格
本文描述的产品(S) 。本文描述的每一个产品可以被指定为超前信息,
初步或全面投产。看
请注意在数据表牌号
对于定义。
公开号
S75PL-N_00
调整
01E
发行日期
2006年4月21日
数据
(A DVA NCE
我NF处或马TI )
请注意在数据表牌号
Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步的名称,提醒读者
产品信息或意图规范整个产品生命周期,包括研发,
资质,初始生产,并全面投入生产。在所有的情况下,但是,我们鼓励读者以验证
他们有他们的定稿之前的设计的最新信息。 Spansion公司的数据下面的说明
表名称使用这里介绍要突出自己的存在和定义。
超前信息
事前信息认证表明Spansion公司正在开发一个或多个特定
产品,但并没有承诺任何设计到生产。呈现在文档中使用这些信息
指定有可能发生改变,并且在某些情况下,开发的产品可中止。 Spansion公司
因此, LLC则以在生产数据内容如下条件:
“本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。
该信息旨在帮助您评估该产品。本产品无不要设计
联系工厂。 Spansion公司保留随时更改或终止对这个作品的权利
恕不另行通知提出的产品“ 。
初步
预指定表示该产品的开发已取得进展,使得一个承诺
生产已经发生。该标识包含几个方面的产品生命周期,包括
产品合格,最初的生产,并且在发生的制造过程中的后续阶段
之前满负荷生产的实现。更改技术规格的初步介绍
文件应同时保持生产这些方面正在考虑的期望。 Spansion公司
放置后,初步含量满足以下条件:
“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范( S)
本文中所描述。本文件的初步情况显示,产品合格已
完成,而且最初的生产已经开始。由于制造过程中的各个阶段那
需要维护的效率和质量,这个文件可以通过后续版本或修订
修改由于改变了技术规范。 “
组合
有些数据表包含的产品具有不同的名称的组合(超前信息,
初步或全部生产) 。这种类型的文件区分这些产品和它们的名称
在必要时,通常第一个页面时,订购信息页面,页面与DC
特性表和AC擦除和编程表(表中的说明) 。第一个免责声明
页面是指读者在此页上的通知。
满负荷生产(在文件没有指定)
当产品已经生产了一段时间,使得不改变或仅标称变化
预计,初步指定从数据表中删除。标称变化可能包括
那些影响订货可用的部件号,诸如速度的增加或删除的数量
选项,使用温度范围,封装类型,或V
IO
范围内。变化也可能包括那些需要澄清
说明或者纠正拼写错误或不正确的规范。 Spansion公司采用以下
条件,这一类材料:
“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范( S)
本文中所描述。 Spansion公司认为该产品已足够生产量
例如,本文件的后续版本预计不会改变。然而,排印
或规范更正或修改提供可能发生的有效组合。 “
有关这些文件名称的问题,可向当地的AMD或富士通销售办事处。
ii
S75PL -N的MirrorBit
ORNAND
MCPS
2006年4月21日S75PL , N_00-01E
S75PL -N的MirrorBit
ORNAND
MCPS
堆叠式多芯片产品( MCP )
S29PL -N : CMOS 3.0伏只同步读/写,
页模式闪存( NOR接口)
S30ML -P : ORNAND闪存( NAND接口)
3V PSRAM
数据表
(高级信息)
特点
速度
- PL -N : 70纳秒(初始接入, 30 ns的页面访问)
- ML -P : 30纳秒(页面访问)
- PSRAM : 70纳秒
107球细间距球栅阵列( FBGA )
- 根据9 ×12× 1.4毫米的ML512P MCP的
- 11 ×13× 1.4毫米的ML01GP基于MCP的
工作温度范围
- 温度为-25 ° C至+ 85 °C范围内
概述
本文件包含的信息为S75PL -N的MirrorBit MCP产品。 TheS75PL -N产品由以下部分组成
设备:
S29PL-N
S30ML-P
3 V PSRAM
闪存/内存组合表
PSRAM的密度
S29PL127N +
S30ML512P
S30ML01GP
32 MB
S75PL127NBF
64 MB
产品选择指南
设备
S75PL127NBF
PSRAM的密度
32 MB
PSRAM类型
PSRAM类型7
有关详细规格,请参阅单独的数据表:
文件
S29PL-N
S30ML-P
32M PSRAM类型7
出版物识别码( PID)的
S29PL-N_M0
S30ML-GP_00
pSRAM_29
公开号
S75PL-N_00
修订版01E
发行日期
2006年4月21日
本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。不设计
本产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作,恕不另行通知。
数据
(A DVA NCE
我NF处或马TI )
1.
S75PL
订购信息
订货编号由下一个有效的组合形成:
127
N
B
F
JF
W
GZ
0
包装类型
0 =盘
2 = 7 “卷带
3 = 13 “的磁带和卷轴
型号
指的是有效组合如下表所示
温度范围
W =无线( -25 ° C至+ 85°C )
包装类型和材料
JA = MCP BGA ,1.4毫米高,0.8 mm间距,铅(Pb ) - 免费标准的封装
JF = MCP BGA ,1.4毫米高,0.8 mm间距,铅(Pb ) - 免费包
ORNAND数据存储密度
F = S30ML512P
G = S30ML01GP
PSRAM的密度
B = 32 MB PSRAM
C = 64Mb的PSRAM
D = 128 Mb的PSRAM
工艺技术
N = 110纳米的MirrorBit 技术
闪存密度
256 = 256 MB
127 = 128 MB(单CE # )
器件系列
S75PL = 3.0伏只同步读/写,页模式闪存数据存储
ORNAND和PSRAM
2
S75PL -N的MirrorBit
ORNAND
MCPS
2006年S75PL - N_00_01E 4月21日,
D A TA
中文ê (E T)
(一台DV ANC ê
在FO RM在离子)
1.1
有效组合
有效组合列表配置计划在音量此设备支持。请咨询您当地
销售办事处,以确认具体的有效组合的可用性,并检查新发布
组合。
有效组合
基地订购
产品型号
(2)
S75PL127NBF
包装&
温度
JAW , JFW
模型
GZ
填料
TYPE
0, 2, 3
(1), (2)
PSRAM
TYPE
7类
PL -N
平板模式
存取时间
70纳秒
ML -P页
访问模式
时间
30纳秒
PSRAM
平板模式
存取时间
70纳秒
包名称
FMH107
9x12x1.4mm,
107球
注意事项:
1.
7 \\ SH ? LV VWDQGDUG ? 6SHFLI \\ RWKHU RSWLRQV DV UHTXLUHG ?
2. BGA封装标识遗漏领先的“ S”和包装类型的标志,从订购部件号。
3.跟工厂的可用性,因为任何类型的RAM可用列出的OPNS可能随时间变化。
2.框图( S29PL -N和PSRAM公交1 ,在公交2 S30ML -P )
A0-A20
A21-A22
A0-A20
A21-A22
RY / BY #
RY / BY #
DQ0-DQ15
DQ0-DQ15
S29PL127N
F- CE #
OE #
F- RST #
F- ACC / WP #
WE#
CE#
OE #
RESET#
ACC / WP #
WE#
VSS
VSS
VCC
VCCQ
F- VCC
A0-A20
DQ0-DQ15
R- CE #
CE#
OE #
磅#
UB #
WE#
R-CE2
R- LB #
R- UB #
R-CE2
32Mb
PSRAM
内存
VSS
VCC
VCCQ
R- VCC
I/O0-I/O7
I/O0-I/O7
N-二RY / BY #
RY / BY #
VCC
N-二VCC
N-二CLE
N-二CE #
N-二ALE
N-二RE #
N-二WP #
N-二WE#
N-二PRE
CLE
CE#
ALE
RE #
WP #
WE#
PRE
S30ML512P
X8 ORNAND
FP #
I/O0-I/O7
VSS
I/O0-I/O7
N-二VSS
2006年S75PL - N_00_01E 4月21日,
S75PL -N的MirrorBit
ORNAND
MCPS
3
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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