S72WS -N系列MCP / POP产品

1.8伏特，只有X16闪存和SDRAM的总线分割

256/512 Mb的同步读/写，突发模式闪存

512 MB NAND闪存

公交1 1024 MB NAND接口ORNAND闪存

512/256/128 MB（ 8M / 4M / 2M ×16位×4银行）手机上公交2 SDRAM

数据表

ADVANCE

信息

请注意，以读者：

这份文件指出目前的技术规格

关于本文所描述的飞索产品（S） 。每款产品描述

此处可指定为高级信息，初步或全部

生产。看

“通知在数据表牌号”

对于定义。

公开号

S72WS-N_00

调整

A

修订

8

发行日期

2006年6月1日

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

请注意在数据表牌号

Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步指示来提醒

产品信息在整个产品生命周期的读者或打算规格， includ-

荷兰国际集团开发，认证，初期生产，满负荷生产。在所有的情况下，但是，

我们鼓励读者以验证它们是否有最新的信息，最终确定自己的DE-前

签收。 Spansion的数据表名称的下面说明在此呈现给

彰显他们的存在和定义。

超前信息

事前信息认证表明Spansion公司正在开发一个或更有针对性

cific产品，但并没有承诺任何设计到生产。在提交信息

与此指定文件很可能会改变，并且在某些情况下，开发上在本产品

UCT可能会停止。因此， Spansion公司在提前放置在下列条件

信息内容：

“本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该

信息旨在帮助您评估该产品。本产品不CON-不要设计

tacting工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作

产品，恕不另行通知。 “

初步

预指定表示该产品的开发已取得进展，使得一

致力于生产已经发生。此指定涵盖了产品的几个方面

生命周期，包括产品合格，初始生产，并在后续阶段

满负荷生产达到之前发生的制造工艺。更改技术

在初步号文件提出要规范，同时保持这些AS-预期

生产正在考虑pects 。飞索放置于以下条件

初步内容：

“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品（第）描述

在本文中。本文件的初步情况显示，产品合格已经完成，

而且最初的生产已经开始。由于在制造过程中，需要相

保持效率和质量，这个文件可以通过后续的版本或modifica-修改

由于系统蒸发散变化的技术规范“。

组合

有些数据表包含的产品具有不同的名称（组合提前在 -

形成初步或全部生产） 。这种类型的文件将区分这些产品

和它们的名称在必要时，通常在第一页，订货信息

页面，并与直流特性表和AC擦除和编程表页（在

表附注） 。在第一页的免责声明是指读者在此页上的通知。

满负荷生产（在文件没有指定）

当产品已经生产了一段时间，使得不改变或仅标称

改变预期，初步指定从数据表中删除。公称

变化可以包括那些影响订货可用的部件号，如数量

另外的一个速度的选择，温度范围，包类型，或V或缺失

IO

范围内。变化

也包括那些需要澄清说明或纠正拼写错误或新断路器

RECT规范。 Spansion公司采用下列条件这一类的文件：

“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品（第）描述

在本文中。 Spansion公司认为该产品已经在足够的生产量，这样子

本文档的序贯版本预计不会改变。但是，印刷或者规格

更正或修改提供可能发生的有效组合。 “

有关这些文件名称的问题，可向当地的AMD或富士通

销售网络的CE 。

ii

S72WS -N系列MCP / POP产品

2006年S72WS - N_00_A8 6月1日，

S72WS -N系列MCP / POP产品

1.8伏特，只有X16闪存和SDRAM的总线分割

256/512 Mb的同步读/写，突发模式闪存

512 MB NAND闪存

公交1 1024 MB NAND接口ORNAND闪存

512/256/128 MB（ 8M / 4M / 2M ×16位×4银行）手机上公交2 SDRAM

数据表

ADVANCE

信息

特色鲜明

MCP特点

为1.7至1.95V的电源电压

高性能

Flash访问时间： 80纳秒的NOR闪存， 25纳秒的ORNAND闪存

闪爆频率： 54 MHz时， 66MHz的， 80MHz的

移动SDRAM的突发频率： 104兆赫， 133兆赫（ DDR ）

包装：

- 9.0× 12.0毫米MCP BGA

- 11.0 X 13.0毫米MCP BGA

- 15.0 X 15.0 X 1.2毫米MCP封装上封装（PoP ）

工作温度

- -25 ° C至+ 85°C （无线）

概述

该S72WS系列是堆叠式多芯片产品（ MCP ）封装产品线，包括：

一个或两个的NOR闪速存储器芯片

一个NAND接口ORNAND芯片

单独的总线，用于一个或多个移动SDRAM芯片

包括在本文档中的产品列于下表中。

设备

S72WS256ND0

S72WS256NDE

S72WS256NEE

S72WS512NFG

S72WS512NEG

S72WS512NEF

S72WS512NFF

X

X

X

X

X

X

X

X

X

X

X

X

X

X

X

NOR闪存的密度

512Mb

256Mb

X

128Mb

NAND闪存密度

1024Mb

512Mb

SDRAM密度

512Mb

256Mb

128Mb

X

X

注意：

对于POP OPNS的列表，请联系当地的销售代表或参阅

订货在 -

编队

有效组合表。

有关详细规格，请参阅单独的数据表。

文件

S29WS256N

S30MS01GP/512P

128MB移动SDRAM类型1

128MB移动SDRAM类型2

128MB移动DDR - DRAM类型5

256 MB移动SDRAM类型2

512 MB移动DDR - DRAM类型1

512 MB移动SDRAM类型4

512 MB NAND型1

512 MB移动DDR - DRAM类型5

512 MB移动DDR - DRAM类型2

出版物识别码（ PID）的

S29WS-N_00

S30MS-P_00

SDRAM_01

SDRAM_05

SDRAM_07

SDRAM_05

SDRAM_09

SDRAM_06

NAND_01

DRAM_04

DRAM_05

公开号

S72WS-N_00

调整

A

修订

8

发行日期

2006年6月1日

本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。别

在设计该产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作，恕不另行通知

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

目录

S72WS -N系列MCP / POP产品。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我

1

2

3

产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3

1.1 NOR闪存+ DRAM产品。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3

1.2 NOR闪存+ ORNAND闪存+ DRAM产品。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

2.1 NOR闪存+ ORNAND闪存+ DRAM产品。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

3.1 2× 256Mb的NOR闪存与256MB的SDRAM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

3.2 2× 256Mb的NOR闪存为128MB SDRAM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

3.3的256Mb NOR闪存为128MB SDR / DDR- DRAM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

3.4 512 MB NOR闪存与1024 -MB ORNAND对公交1和512或256 MB SDRAM上公交2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

3.4.1 X16 ORNAND为基础的MCP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

3.5的512Mb NOR闪存，1024 -MB ORNAND对公交1和512或256 MB的SDRAM上公交2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.10

3.5.1 X8 ORNAND为基础的MCP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.10

3.6的512Mb NOR闪存，512 MB的NAND总线上的1和512 MB SDRAM上公交2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

3.6.1 X16 ORNAND为基础的MCP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

3.6.2连接图15× 15包上封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

3.7前瞻图上分割总线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

3.8 NOR闪存和DRAM的输入/输出说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.14

3.8.1 ORNAND信号说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20

5.1 TLD137-137球细间距球栅阵列（ FBGA ） 12 ×9毫米包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20

5.2 FEA137-137球细间距球栅阵列（ FBGA ） 13 ×11毫米包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21

5.3 FVD137-137球细间距球栅阵列（ FBGA ） 11 ×13毫米包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22

5.4 BWA160-160球细间距球栅阵列（ FBGA ） 15 ×15毫米封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23

5.5 BWB160-160球细间距球栅阵列（ FBGA ） 15 ×15毫米封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24

5.6 BTA160-160球细间距球栅阵列（ FBGA ） 15 ×15毫米封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25

5.7 ALH160-160球细间距球栅阵列（ FBGA ） 15 ×15毫米封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26

MCP修订内容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27

4

5

6

2

S72WS -N系列MCP / POP产品

2006年S72WS - N_00_A8 6月1日，

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

1

1.1

产品选择指南

NOR闪存+ DRAM产品

设备型号＃

S72WS256ND0BAWB7

S72WS256ND0BAWBB

S72WS256NDEBAWU7

S72WS256NDEBAWUB

S72WS256NEEBAWU7

S72WS256NEEBAWUB

S72WS256ND0BFWB7

S72WS256ND0BFWBB

S72WS256NDEBFWU7

S72WS256NDEBFWUB

S72WS256NEEBFWU7

S72WS256NEEBFWUB

S72WS256ND0KFWD3

256 MB

S72WS256ND0BFW93

66兆赫

128

256 MB

256 MB

54兆赫

256

133兆赫

（ DDR ）

133兆赫

（ DDR ）

256 MB

—

54兆赫

256 MB

256 MB

54兆赫

256

128

128

104兆赫

104兆赫

FL灰

密度

（ CODE ）

256 MB

FL灰

密度

（ DATA）的

—

BURST

速度

（兆赫）

54兆赫

SDRAM

密度

128

128

104兆赫

SDRAM突发

速度（MHz ）

104兆赫

DRAM

供应商

1

2

1

2

1

2

1

2

1

2

1

2

5

扇形

无保护

扇形

无保护

15x15x1.25

9x12x1.2

扇形

无保护

9x12x1.4

扇形

无保护

9x12x1.2

扇形

无保护

9x12x1.4

DYB

扇形

无保护

包

9x12x1.2

2006年6月1日S72WS ， N_00_A8

S72WS -N系列MCP / POP产品

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