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S71WS -P基于MCP产品
1.8伏特,只有X16同步读/写,突发模式
闪存的CellularRAM
数据表
(高级信息)
S71WS -P基于MCP产品封面
请注意,以读者:
这份文件指出关于Spansion公司目前的技术规格
本文描述的产品(S) 。本文描述的每一个产品可以被指定为超前信息,
初步或全面投产。看
请注意在数据表牌号
对于定义。
公开号
S71WS-P_00
调整
A
修订
2
发行日期
2006年8月21日
DA TA
SH EET
(A dvan CE
火炭垫IO N)
请注意在数据表牌号
Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步的名称,提醒读者
产品信息或意图规范整个产品生命周期,包括研发,
资质,初始生产,并全面投入生产。在所有的情况下,但是,我们鼓励读者以验证
他们有他们的定稿之前的设计的最新信息。 Spansion公司的数据下面的说明
表名称使用这里介绍要突出自己的存在和定义。
超前信息
的超前信息指定表示Spansion公司正在开发的一个或多个特定
产品,但并没有承诺任何设计到生产。呈现在文档中使用这些信息
指定有可能发生改变,并且在某些情况下,开发的产品可中止。 Spansion公司
因此,公司应放置超前信息内容如下条件:
“本文件包含有关正在开发Spansion公司的一个或多个产品信息
公司
该信息旨在帮助您评估该产品。本产品无不要设计
联系工厂。 Spansion公司
公司
保留这个修改权利或停止工作
恕不另行通知提出的产品“ 。
初步
预指定表示该产品的开发已取得进展,使得一个承诺
生产已经发生。该标识包含几个方面的产品生命周期,包括
产品合格,最初的生产,并且在发生的制造过程中的后续阶段
之前满负荷生产的实现。更改技术规格的初步介绍
文件应同时保持生产这些方面正在考虑的期望。 Spansion公司
放置后,初步含量满足以下条件:
“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范( S)
本文中所描述。本文件的初步情况显示,产品合格已
完成,而且最初的生产已经开始。由于制造过程中的各个阶段那
需要维护的效率和质量,这个文件可以通过后续版本或修订
修改由于改变了技术规范。 “
组合
有些数据表包含的产品具有不同的名称的组合(超前信息,
初步或全部生产) 。这种类型的文件区分这些产品和它们的名称
在必要时,通常第一个页面时,订购信息页面,页面与DC
特性表和AC擦除和编程表(表中的说明) 。第一个免责声明
页面是指读者在此页上的通知。
满负荷生产(在文件没有指定)
当产品已经生产了一段时间,使得不改变或仅标称变化
预计,初步指定从数据表中删除。标称变化可能包括
那些影响订货可用的部件号,诸如速度的增加或删除的数量
选项,使用温度范围,封装类型,或V
IO
范围内。变化也可能包括那些需要澄清
说明或者纠正拼写错误或不正确的规范。 Spansion公司采用以下
条件,这一类材料:
“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范( S)
本文中所描述。 Spansion公司认为该产品已足够生产量等
本文档的后续版本预计不会改变。但是,印刷或者
规格更正或修改提供可能发生的有效组合。 “
有关这些文件名称的问题,可向当地的AMD或富士通销售办事处。
ii
S71WS -P基于MCP产品
2006年S71WS - P_00_A2 8月21日,
S71WS -P基于MCP产品
1.8伏特,只有X16同步读/写,突发模式
闪存的CellularRAM
数据表
(高级信息)
特点
为1.7至1.95V的电源电压
Flash访问时间: 80 ns的, 25纳秒
闪爆频率: 66兆赫, 80兆赫, 108兆赫
PSRAM访问时间: 70纳秒, 20纳秒
PSRAM突发频率: 66兆赫, 80兆赫, 104兆赫
包装:
- 8.0× 11.6毫米MCP
工作温度
- -25 ° C至+ 85°C (无线)
该S71WS系列是堆叠封装的产品线,包括:
一个或两个S29WS -P的NOR闪速存储器芯片
CellularRAM的模
包括在本文档中的产品列于下表中。
CellularRAM的密度(兆)
设备
S29WS512P
64 MB
S71WS512PC0
128 MB
S71WS512PD0
注意:
对于OPNS的完整列表,请联系当地的销售代表或参阅订购信息有效组合表。
有关详细规格,请参阅单独的数据表。
文件
S29WS-P
128M, CellularRAM的2型
64男CellularRAM的2型
出版物识别码( PID)的
S29WS-P_00
Cellram_04
Cellram_07
公开号
S71WS-P_00
调整
A
修订
2
发行日期
2006年8月21日
本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。不设计
本产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作,恕不另行通知。
DA TA
SH EET
(A dvan CE
火炭垫IO N)
1.
产品选择指南
设备
S71WS512PD0HF3
S71WS512PC0HF3
S71WS512PD0HF3
模型
HR
SV
HL
512
FL灰
密度(兆)
CellularRAM的闪光速度
密度(兆)
(兆赫)
128
64
128
80
104
66
108
104
TYPE 2
MCP
8× 11.6毫米
CellularRAM的
速度(MHz )
CellularRAM的
供应商
2. MCP框图
A0-Amax
AFLASH
A0-Amax
AFLASH
RDY
RDY
DQ0-DQ15
DQ0-DQ15
CLK
AVD #
F- CE #
OE #
F- RST #
F- ACC
F- WP #
F- WE#
CLK
AVD #
CE#
OE #
RESET#
WP #
WE#
WS -P
FL灰
内存
VSS
VSS
VCC
VCCQ
F- VCC
F- VCCQ
A0-Amax
WAIT #
DQ0-DQ15
R- CE #
CLK
AVD #
CE#
OE #
磅#
UB #
WE#
CRE
R- LB #
R- UB #
R- CRE
PSRAM
内存
VSS
VCC
VCCQ
R- VCC
R- VCCQ
2
S71WS -P基于MCP产品
2006年S71WS - P_00_A2 8月21日,
DA T A
嘘EE吨
( A D VA NCE
我NFO R上MA TI )
3.连接图
1
A
DNU
B
AVD #
C
F- WP #
D
A3
E
A2
F
A1
G
A0
H
F- CE #
J
R- CE #
K
俄罗斯足协
L
俄罗斯足协
M
DNU
DNU
俄罗斯足协
VSS
F- VCC
俄罗斯足协
俄罗斯足协
F- VCCQ
DNU
DQ8
DQ2
DQ11
俄罗斯足协
DQ5
DQ14
俄罗斯足协
DQ0
DQ10
F- VCC
R- VCC
DQ12
DQ7
VSS
OE #
DQ9
DQ3
DQ4
DQ13
DQ15
R- CRE
不要使用
VSS
DQ1
俄罗斯足协
俄罗斯足协
DQ6
A24
A16
A4
A17
俄罗斯足协
A23
A10
A14
A22
闪烁& PSRAM
只有共享
A5
A18
RDY
A20
A9
A13
A21
只有PSRAM
A6
R- UB #
F- RST #
俄罗斯足协
A19
A12
A15
NOR闪存只有
A7
R- LB #
F- ACC
WE#
A8
A11
俄罗斯足协
预留的
未来使用
VSS
CLK
俄罗斯足协
F- VCC
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
传说
DNU
2
3
4
5
6
7
8
9
10
MCP
S71WS512PD0
S71WS512PC0
仅闪烁地址
A24-A23
A24-A22
共享地址
A22-A0
A21-A0
3.1
特殊处理说明FBGA封装
特殊处理所需的闪存产品, FBGA封装。
如果暴露在超声波清洗方法FBGA封装的快闪存储器装置可能会损坏。该
如果封装体暴露于温度高于包和/或数据的完整性可能受到损害
150℃下进行较长时间。
3.2
前瞻Ballout为未来设计
请参考与Spansion产品应用笔记的设计,在可扩展的无线解决方案
(出版号: Design_Scalable_Wireless_A0_E ) 。请联系您当地的Spansion公司的销售代表
更多的细节。
2006年S71WS - P_00_A2 8月21日,
S71WS -P基于MCP产品
3
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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