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S71WS-N
堆叠式多芯片产品( MCP )
1.8伏只同时读/写,
突发模式闪存的CellularRAM
数据表
(高级信息)
S71WS -N封面
请注意,以读者:
这份文件指出关于Spansion公司目前的技术规格
本文描述的产品(S) 。本文描述的每一个产品可以被指定为超前信息,
初步或全面投产。看
请注意在数据表牌号
对于定义。
公开号
S71WS-N_00
调整
A
修订
6
发行日期
2006年7月19日
数据
( Advan CE
Infor的米TIO N )
请注意在数据表牌号
Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步的名称,提醒读者
产品信息或意图规范整个产品生命周期,包括研发,
资质,初始生产,并全面投入生产。在所有的情况下,但是,我们鼓励读者以验证
他们有他们的定稿之前的设计的最新信息。 Spansion公司的数据下面的说明
表名称使用这里介绍要突出自己的存在和定义。
超前信息
的超前信息指定表示Spansion公司正在开发的一个或多个特定
产品,但并没有承诺任何设计到生产。呈现在文档中使用这些信息
指定有可能发生改变,并且在某些情况下,开发的产品可中止。 Spansion公司
因此,公司应放置超前信息内容如下条件:
“本文件包含有关正在开发Spansion公司的一个或多个产品信息
该信息旨在帮助您评估该产品。本产品无不要设计
联系工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。 “
初步
预指定表示该产品的开发已取得进展,使得一个承诺
生产已经发生。该标识包含几个方面的产品生命周期,包括
产品合格,最初的生产,并且在发生的制造过程中的后续阶段
之前满负荷生产的实现。更改技术规格的初步介绍
文件应同时保持生产这些方面正在考虑的期望。 Spansion公司
放置后,初步含量满足以下条件:
“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范( S)
本文中所描述。本文件的初步情况显示,产品合格已
完成,而且最初的生产已经开始。由于制造过程中的各个阶段那
需要维护的效率和质量,这个文件可以通过后续版本或修订
修改由于改变了技术规范。 “
组合
有些数据表包含的产品具有不同的名称的组合(超前信息,
初步或全部生产) 。这种类型的文件区分这些产品和它们的名称
在必要时,通常第一个页面时,订购信息页面,页面与DC
特性表和AC擦除和编程表(表中的说明) 。第一个免责声明
页面是指读者在此页上的通知。
满负荷生产(在文件没有指定)
当产品已经生产了一段时间,使得不改变或仅标称变化
预计,初步指定从数据表中删除。标称变化可能包括
那些影响订货可用的部件号,诸如速度的增加或删除的数量
选项,使用温度范围,封装类型,或V
IO
范围内。变化也可能包括那些需要澄清
说明或者纠正拼写错误或不正确的规范。 Spansion公司采用以下
条件,这一类材料:
“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范( S)
本文中所描述。 Spansion公司认为该产品已足够生产量等
本文档的后续版本预计不会改变。但是,印刷或者
规格更正或修改提供可能发生的有效组合。 “
有关这些文件名称的问题,可向当地的销售办事处。
ii
S71WS-N
S71WS - N_00_A6 2006年7月19日
S71WS-N
堆叠式多芯片产品( MCP )
1.8伏只同时读/写,
突发模式闪存的CellularRAM
数据表
(高级信息)
特点
1.7 V至1.95 V电源电压
连拍速度: 54兆赫, 66兆赫, 80兆赫
- 8× 11.6毫米, 9× 12毫米
工作温度
- 无线, -25 ° C至+ 85°C
概述
该S71WS -N系列是堆叠式多芯片产品( MCP )封装产品线,包括以下项目:
一个或多个闪速存储器芯片(用于S71WS512N , 2 S29WS256N设备使用)
CellularRAM的2型PSRAM
包括在本文档中的产品列于下表中。有关它们的规范的细节,请参考
个别成分技术资料了解更多详细信息。
PSRAM
闪存密度
S29WS128N
S29WS256N
S29WS512N
32 MB
S71WS128NB0
64 MB
S71WS128NC0
S71WS256NC0
S71WS512NC0
S71WS256ND0
S71WS512ND0
128 MB
有关详细规格,请参阅单独的数据表。
文件
S29WS-N
128M, CellularRAM的2型
32男CellularRAM的2型
64男CellularRAM的2型
出版物识别码( PID)的
S29WS-N_00
Cellram_04
Cellram_06
Cellram_07
公开号
S71WS-N_00
调整
A
修订
6
发行日期
2006年7月19日
本文件包含有关正在开发中的一个或多个产品在Spansion公司的信息旨在帮助您评估该产品的信息。请不要在设计
该产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作,恕不另行通知。
数据
( Advan CE
Infor的米TIO N )
1.
产品选择指南
模型
号码
AK
54
AP
AJ
S71WS128NB0
AN
AH
80
AM
AK
54
AP
AJ
S71WS128NC0
AN
AH
80
AM
AK
54
AP
AJ
S71WS256NC0
AN
AH
80
AM
WS256N
YK
54
YP
YJ
S71WS256ND0
YN
YH
80
YM
AK
54
AP
TJ
S71WS512NC0
TN
TH
80
TM
WS512N
EK
54
EP
EJ
S71WS512ND0
EN
EH
80
EM
注意:
0 (保护) , 1 (未受保护的[默认状态] )
80
1
128
66
66
1
0
54
1
0
2
9x12x1.4
0
80
1
64
66
66
1
11.6x8.0x1.4
0
2
54
1
0
2
80
1
0
2
11.6x8.0x1.2
128
66
66
1
0
54
1
0
2
9x12x1.2
0
80
1
64
66
66
1
0
2
54
1
0
2
11.6x8.0x1.2
80
1
0
2
WS128N
64
66
66
1
0
54
1
0
2
8.0X11.6X1.2
80
1
0
WS128N
32
66
66
1
0
54
1
0
2
8.0X11.6X1.2
PSRAM
密度
(兆)
FL灰
速度
(兆赫)
PSRAM
速度
(兆赫)
DYB
上电
状态
(见
注)
0
PSRAM
(蜂窝RAM )
供应商
(mm)
设备
FL灰
2
S71WS-N
S71WS - N_00_A6 2006年7月19日
AT A
S熙吨
( ADVA NCE
在对M通报BULLETIN )
2.
订购信息
顺序号是由以下的有效组合形成:
S71WS
256
N
C
0
BA
W
A
K
0
包装类型
0 =盘
2 = 7 “卷带
3 = 13 “的磁带和卷轴
内存供应商, DYB上电,速度组合
K = 2 = CellularRAM的2,0 , 54兆赫
P = 2 = CellularRAM的2,1, 54兆赫
J = 2 = CellularRAM的2,0 , 66兆赫
N = 2 = CellularRAM的2,1, 66兆赫
H = 2 = CellularRAM的2,0 , 80兆赫
M = 2 = CellularRAM的2,1, 80兆赫
包修改
A = 8x11.6x1.2毫米, 84球FBGA
T = 8x11.6x1.4毫米, 84球FBGA
E = 9x12x1.4毫米, 84球FBGA
Y = 9x12x1.2毫米, 84球FBGA
温度范围
W =无线( -25 ° C至+ 85°C )
套餐类型
BA =非常薄细间距BGA ,铅(Pb ) - 免费标准套餐
BF =非常薄细间距BGA ,铅(Pb ) - 免费套餐
芯片内容- 2
没有内容
PSRAM的密度
B = 32 MB
C = 64兆
D = 128兆
工艺技术
N = 110纳米的MirrorBit 技术
CODE闪存的密度
512 = 512 MB ( 2x256Mb )
256 = 256 MB
128 = 128兆
产品系列
S71WS =多芯片产品, 1.8伏只同时读/写突发
模式闪存+ PSRAM
2.1
有效组合
有效组合列表配置计划在音量此设备支持。请咨询您当地
销售办事处,以确认具体的有效组合的可用性,并检查新发布
组合。
表2.1
MCP配置和有效组合
有效组合
B
S71WS128N
C
C
S71WS256N
D
C
S71WS512N
D
包装标记注:
包装标识省略领先
S
从订购型号。
T
E
J,N , H,M
K,P ,J , N, H,M
0
BAW , BFW
Y
A
K,P ,J , N, H,M
K,P , H,M
A
A
K,P ,J , N, H,M
K,P ,J , N, H,M
A
K,P ,J , N, H,M
2006年7月19日S71WS , N_00_A6
S71WS-N
3
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    S71WS256NB0BAWTP0
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
S71WS256NB0BAWTP0
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