S71GS256 / 128N基础的MCP

堆叠式多芯片产品（ MCP ）

一百二十八分之二百五十六兆位（ 16 / 8M ×16位） CMOS 3.0伏V

CC

和

1.8 V V

IO

的MirrorBit

TM

统一的部门页面模式闪速

内存64/32兆位（ 4 / 2M ×16位） 1.8V PSRAM

数据表

ADVANCE

信息

特色鲜明

MCP特点

■

电源电压

闪存

V

CC

： 2.7V至3.1V

V

IO

： 1.65V到1.95V

PSRAM

V

CC

： 1.7 V至1.95 V

高性能

■

110 ns访问时间

■

30 ns的页面读取时间

■

包：

- 8.0x11.6x1.2毫米FBGA （ TLA084 ）

■

工作温度

- -25 ° C至+ 85°C （无线）

概述

该S71GS系列是堆叠式多芯片产品（ MCP ）封装产品线

并且由

■

一个S29GL闪存死与1.8 V V

IO

■

1 1.8 V PSRAM （注）

注意：

在S71GS系列媒体通信处理器的PSRAM的突发模式功能是不可用

能。此MCP使用页面模式操作，其利用页面模式闪光

和页面模式功能设置PSRAM的。

公开号

S71GS256/128N_00

调整

A

修订

0

发行日期

2004年12月17日

本文件包含有关正在开发的产品在Spansion公司，有限责任公司的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。请不要在设计

该产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作，恕不另行通知。

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

产品选择指南

产品型号

全电压范围

V

CC

= 2.7 V至3.1 V（闪存）

V

IO

= 1.65 V至1.95 V（闪存）

V

CC

= 1.7 V至1.95 V（ PSRAM ）

S71GS256NC0

速度/电压选项

FL灰

110

110

30

30

PSRAM

70

70

25

25

马克斯。访问时间（纳秒）

马克斯。 CE＃访问时间（纳秒）

马克斯。页面访问时间（ tpacc ）

马克斯。 OE ＃访问时间（纳秒）

产品型号

全电压范围

V

CC

= 2.7 V至3.1 V（闪存）

V

IO

= 1.65 V至1.95 V（闪存）

V

CC

= 1.7 V至1.95 V（ PSRAM ）

S71GS128NB0

速度/电压选项

FL灰

110

110

30

30

PSRAM

70

70

25

25

马克斯。访问时间（纳秒）

马克斯。 CE＃访问时间（纳秒）

马克斯。页面访问时间（ tpacc ）

马克斯。 OE ＃访问时间（纳秒）

2

S71GS256 / 128N基础的MCP

S71GS256 / 128N_00_A0 2004年12月17日

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

S71GS256 / 128N基础的MCP

概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2

MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

输入/输出说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

低VCC写禁止.............................................. .................................. 61

写脉冲“毛刺”保护............................................ .................... 61

逻辑禁止................................................ .................................................. .. 61

上电写禁止............................................. ................................... 61

通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 61

表8. CFI查询标识字符串................................

表9.系统接口字符串..........................................

表10.设备几何定义...................................

表11.主要供应商特定的扩展查询................

62

63

64

65

命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 65

读阵列数据............................................... ............................................ 66

复位命令................................................ ................................................. 66

自选命令序列............................................... .................... 66

进入安全硅行业/退出安全硅

部门命令序列............................................... ............................. 67

Word程序命令序列.............................................. ............ 67

解锁绕道命令序列.............................................. .......... 68

写缓冲区编程............................................... .......................... 68

加快程序................................................ .................................... 69

图1.写缓冲区编程操作....................... 70

图2.程序运行............................................. .. 71

S29GLxxxN的MirrorBit

TM

快闪族

概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19

框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20

引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21

逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22

S29GL512N ....................................................................................................... 22

S29GL256N ...................................................................................................... 22

S29GL128N ...................................................................................................... 22

设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23

表1.设备总线操作........................................... 23

程序挂起/恢复程序命令序列..................... 71

图3.程序挂起/恢复程序........................ 72

VersatileIO

TM

(V

IO

）控制................................................ ............................. 23

对于读阵列数据要求............................................. ............ 23

页面模式读取............................................... .............................................. 24

写命令/命令序列............................................. ... 24

写缓冲器................................................ .................................................. 24 ..

加快程序运行............................................... ............... 24

自选功能................................................ ..................................... 25

待机模式.......................................................................................................25

自动休眠模式............................................... ....................................... 25

RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ............................. 25

输出禁止模式............................................... ........................................ 26

表2扇区地址表， S29GL512N ........................... 26

表3扇区地址表， S29GL256N ........................... 41

表4.扇区地址表， S29GL128N ........................... 48

芯片擦除命令序列.............................................. ..................... 72

扇区擦除命令序列.............................................. ................... 73

图4.擦除操作............................................. ...... 74

擦除暂停/删除恢复命令............................................ ...... 74

锁定寄存器命令集定义............................................. ....... 75

密码保护命令集定义...................................... 75

非易失性扇区保护命令集定义.................. 77

全球挥发性扇区保护冻结命令集...................... 77

挥发性扇区保护命令集............................................. ..... 78

安全硅行业进入命令............................................. ........ 79

安全硅行业退出命令............................................. ........... 79

命令定义................................................ ....................................... 80

表12. S29GL512N ， S29GL256N ， S29GL128N命令

定义， X16 ............................................... .................. 80

自选模式................................................ ................................................. 52

表5.自动选择码， （高压法） ................ 53

写操作状态............................................... .................................... 83

DQ7 ：数据＃投票............................................. .............................................. 83

图5.数据＃轮询算法........................................ 84

扇区保护................................................ ................................................ 53

持久扇区保护............................................... ........................ 53

密码扇区保护............................................... ......................... 53

WP ＃硬件保护.............................................. ........................... 53

选择一个扇区保护模式............................................. ............ 53

高级扇区保护............................................... ............................ 54

锁定注册........................................................................................................54

表6.锁定寄存器............................................. ........... 55

RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... .............................................. 84

DQ6 ：切换位I ............................................. .................................................. 85

图6.切换位算法............................................ 86

DQ2 ：触发位II ............................................. ................................................. 86

阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ......................... 87

DQ5 ：超过时序限制............................................. ........................... 87

DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. ................................... 87

DQ1 ：写入到缓冲区中止.......................................... ................................. 88

表13.写操作状态......................................... 88

持久扇区保护............................................... ............................ 55

动态保护位（ DYB ） ............................................ ....................... 55

持久保护位（ PPB ） ............................................ ...................... 56

持久保护位锁定（ PPB锁定位） ...................................... 56

表7.扇区保护计划..................................... 57

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 89

图7. ............................................... ........................... 89

图8.最大正

过冲波形................................................ .......... 89

持久保护模式锁定位............................................. .............. 57

密码扇区保护............................................... ............................ 58

密码和密码保护模式锁定位............................... 58

64位密码...................................................................................................59

持久保护位锁定（ PPB锁定位） ......................................... ..59

安全硅扇区闪存地区............................................ 59

写保护（ WP ＃ ） ............................................ ............................................ 61

硬件数据保护............................................... ............................... 61

工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 89

直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90

测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.91

图9.测试设置............................................. .............. 91

表14.测试规范............................................. ..91

关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 91

图10.输入波形和测量水平............ 91

交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 92

3

2004年12月17日S71GS256 / 128N_00_A0

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

只读操作， S29GL128N ， S29GL256N ， S29GL512N .......... 92

图11.读操作时序....................................... 93

图12.页读时序............................................ .. 93

输出阻抗（ BCR [5 ： 4] ） ：默认=输出采用全驱动

实力............................................................................................................120

表20.输出阻抗............................................. 120

硬件复位（ RESET ＃ ） ............................................ .................................. 94

图13.复位时序............................................. ........ 94

擦除和编程操作， S29GL128N ，

S29GL256N ， S29GL512N ............................................... .................................... 95

图14.编程操作时序.................................. 96

图15.加速程序时序图.................... 96

图16.芯片/扇区擦除操作时序..................... 97

图17.数据＃投票计时

（在嵌入式算法） ............................................ 98

图18.触发位计时（在嵌入式算法） .. 99

图19. DQ2与DQ6 ........................................... ........... 99

等待配置（ BCR [8] ） ：默认=等待一个转变

时钟在数据有效/无效............................................ ................... 120

等待极性（ BCR [10] ） ：默认=等待高电平有效............... 120

图33.等待配置（ BCR [ 8 ] = 0 ） ....................... 120

图34.等待配置（ BCR [8] = 1 ） ....................... 121

图35.等待配置过程中的突发行动.......... 121

延迟计数器（ BCR [ 13:11 ] ） ：默认=三个时钟延迟...... 121

表21.可变时延的配置代码................... 121

图36. Latency计数器（的变初始响应延时，没有找到相关Refresh（刷新）

碰撞） ................................................ ........................ 122

备用CE ＃控制的擦除和编程操作 -

S29GL128N ， S29GL256N ， S29GL512N ............................................. ........... 100

图20.备用CE ＃控制的写（擦除/

程序）操作时序.............................................. 101

工作模式（ BCR [15] ） ：默认=异步操作0.122

刷新配置寄存器............................................... ...................... 122

表22.刷新配置寄存器映射................ 123

部分阵列刷新（ RCR [ 2 ： 0 ] ） ：默认=全阵列刷新.... 123

表23. 128Mb的地址模式的PAR （ RCR [ 4] = 1 ） ....... 123

表24. 64Mb的地址模式的PAR （ RCR [ 4] = 1 ） ........ 124

表25. 32Mb的地址模式的PAR （ RCR [ 4] = 1 ） ........ 124

擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 102

引脚TSOP和BGA封装电容。 。 。 。 102

CellularRAM的2型

特色： 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 103

概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 103

图21.功能框图................................... 104

表15.信号说明............................................. 105

表16.总线的运行，异步模式.................... 106

表17.总线的运行，突发模式................................ 107

深度掉电（ RCR [4] ） ：默认= DPD禁用.................. 124

温度补偿刷新（ RCR [6 ： 5 ] ） ：默认= + 85°C OP-

关合作..............................................................................................................124

页面模式操作（ RCR [7] ） ：默认值=禁用........................ 124

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125

直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 126

表26.电气特性和操作条件。 126

表27.温度补偿刷新规格和

情况................................................. ...................... 127

表28.部分阵列刷新规格和条件。 127

表29.深层关机技术指标.......................... 127

功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 107

上电初始化.............................................. ...................................... 107

图22.上电初始化时序............................. 108

公交车的运营模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108

异步模式................................................ ........................................ 108

图23.读取操作（ ADV ＃低） ............................. 108

图24.写入工作（ ADV ＃低） ........................... 109

交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128

图37. AC输入/输出参考波形................. 128

图38.输出负载电路........................................... 128

表30.输出负载电路............................................ 128

表31.异步读周期时序要求129 ....

表32.突发读周期时序要求................ 130

表33.异步写周期时序要求... 131

表34.突发写周期时序要求............... 131

页面模式读取操作.............................................. .......................... 109

图25.页面模式读取操作（ ADV ＃低） ............. 110

突发模式工作............................................... ...................................... 110

图26.突发模式READ （ 4字突发） ........................ 111

图27.突发模式写（ 4字突发） ....................... 111

时序图................................................ ................................................ 132

图39.初始化期间........................................... 132

表35.初始化时序参数........................... 132

图40.异步读取.......................................... 133

表36.异步读时序参数................ 133

图41.异步读取使用ADV ＃ ........................ 135

表37.异步读时序参数使用ADV ＃ 135

图42.页面模式读取............................................ 137 ..

表38.异步读时序参数页模式

操作................................................. ...................... 137

图43.单接入突发读取操作变量

延迟................................................. ......................... 139

表39.突发读取时序参数 - 单接入，可变

延迟................................................. ......................... 139

图44. 4字突发读操作，可变延迟141

表40.突发读取时序参数- 4字突发....... 142

图45. 4字突发读操作（以LB ＃ / UB ＃ ） 。 143

表41.突发读取时序参数- 4字突发与LB ＃ /

瑞银................................................ ............................... 144

图46.读突发暂停......................................... 145

表42.突发读取时序参数 - 连拍暂停..... 145

图47.连续突发读取显示的输出延迟

BCR [8] = 0结束的，行条件................................. 146

表43.突发读取时序参数- BCR [ 8 ] = 0 ......... 146

图48. CE＃ -Controlled异步写入.................. 147

混合模式操作.............................................. ..................................... 112

等待操作................................................ ............................................... 112

图28.有线或等待配置.............................. 112

LB ＃ / UB ＃操作............................................ .............................................. 113

图29.刷新冲突在读操作.............. 113

图30.刷新冲突在写操作............ 114

低功耗工作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 114

待机模式操作............................................... ................................. 114

温度补偿刷新............................................... ............ 114

部分阵列刷新............................................... ......................................... 115

深度掉电操作............................................. ......................... 115

配置寄存器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 115

访问使用CRE ............................................... ............................................... 115

图31.配置寄存器写，异步模式跟着

通过读lowed ............................................... ................. 116

图32.配置寄存器写入，同步模式跟着

通过READ0 lowed ............................................... ................ 117

总线配置寄存器............................................... .............................. 117

表18.总线配置寄存器定义.................... 118

表19.序列和突发长度................................. 119

突发长度（ BCR [ 2 ： 0 ] ） ：默认=连续突发...................... 119

突发包裹（ BCR [3] ） ：默认= No裹..................................... ..... 119

4

S71GS256 / 128N_00_A0 2004年12月17日

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

表44.异步写入时序

参数-CE ＃ -Controlled ............................................ 0.147

图49. LB ＃ / UB ＃ -Controlled异步写入........... 149

表45.异步写入时序参数- LB ＃ / UB ＃ -

控制................................................. ...................... 149

图50. WE＃ -Controlled异步写入.................. 151

表46.异步写入时序参数-WE ＃ -

控制................................................. ...................... 151

图51.异步写入使用ADV ＃ ....................... 153

表47.异步写入时序

参数使用ADV ＃ .............................................. ...... 154

图52.突发写入操作...................................... 155

表48.突发写入时序参数........................... 156

图53.连续突发写入显示的输出延迟

BCR [8] = 0结束的，行条件................................. 157

表49.突发写入时序参数- BCR [ 8] = 0 ........ 157

图54.突发写其次是突发读.................. 158

表50.写时序参数 - 突发写其次是

突发读................................................ ..................... 158

表51.读时序参数 - 突发写其次是突发

阅读................................................. ............................. 158

图55.异步写入其次是突发读...... 159

表52.写时序参数 - 异步写入

其次是突发读.............................................. ...... 160

表53.读时序参数 - 异步写操作后紧跟

由突发读............................................... .................. 160

图56.异步写入（ ADV ＃低），其次是突发

阅读................................................. ............................. 161

表54.异步写入时序

参数-ADV ＃低............................................. ...... 161

表55.突发读取时序参数............................ 162

图57.突发读取其次是异步写入（ WE＃ -CON-

受控） ................................................ ........................... 163

表56.突发读取时序参数............................ 164

表57.异步写入时序

参数- WE＃控制............................................. 164

图58.突发读取其次是异步写入使用

ADV ＃ ................................................ ............................. 165

表58.突发读取时序参数............................ 166

表59.异步写入时序

参数使用ADV ＃ .............................................. ...... 166

图59.异步写入其次是异步READ-

ADV ＃低............................................... ....................... 167

表60.写时序参数-ADV ＃低................. 167

表61.读时序参数-ADV ＃低.................. 168

图60.异步写操作后紧跟

异步读取................................................ ......... 169

表62.写时序参数 - 异步写入

其次是异步读取........................................ 169

表63.读时序参数 - 异步写操作后紧跟

通过异步读取............................................... ...... 170

特色： 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 173

概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 173

图64.功能框图................................... 174

表65.引脚说明............................................. 174 ....

表66.总线的运行，异步模式................... 175

功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.176

上电初始化.............................................. ...................................... 176

图65.上电初始化时序............................ 176

公交车的运营模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 176

异步模式................................................ ........................................ 176

图66.读操作............................................. ... 177

图67.写操作............................................. 。 177

页面模式读取操作.............................................. .......................... 177

图68.页面模式读取操作................................ 178

LB ＃ / UB ＃操作............................................ .......................................... 178

低功耗操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 178

待机模式操作............................................... ................................ 178

温度补偿刷新............................................... ............ 178

部分阵列刷新............................................... ......................................... 179

深度掉电操作............................................. ........................ 179

配置寄存器操作............................................... ................ 179

图69.加载配置寄存器操作................. 180

表67.配置寄存器的位映射....................... 181

表68. 64Mb的地址模式的PAR （ CR [ 4] = 1 ） .......... 181

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 182

直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 183

表69.电气特性和操作条件。 183

表70.温度补偿刷新规格和

情况................................................. ...................... 183

表71.部分阵列刷新规格和条件。 184

表72.深层关机技术指标.......................... 184

表73.电容规格和条件............. 184

交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 184

图70. AC输入/输出参考波形................. 184

图71.输出负载电路........................................... 184

表74.输出负载电路............................................ 184

表75.读周期时序要求......................... 185

表76.写周期时序要求....................... 186

表77.装载配置寄存器时序要求.. 186

表78.深度掉电时序要求............... 186

表79.上电初始化时序参数............. 187

图72.上电初始化期间............................. 187

图73.负载配置寄存器时序..................... 187

表80.装载配置寄存器时序要求.. 187

图74.深层关机进入/退出的时机................... 188

表81.装载配置寄存器时序要求.. 188

图75.单个读操作（ WE＃ = V

IH

) ................... 188

表82.读时序参数.................................... 189

图76.页面模式读取操作（ WE＃ = V

IH

) ............. 189

表83.页面模式读取时序参数.................... 189

图77.写周期（WE ＃控制） ............................... 190

表84.写时序参数..................................... 190

图78.写时序参数（ CE ＃控制） ............... 191

表85.写时序参数（ CE ＃控制） ................ 191

图79.写周期（ LB ＃ / UB ＃控制） ....................... 192

表86.写时序参数（ LB ＃ / UB ＃控制） ...... 192

如何扩展时序影响的CellularRAM

操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 170

介绍........................................................................................................ 170

异步写入操作............................................... ................. 171

图61.扩展时序吨

CEM .............................................. 171

图62.扩展时序吨

TM ................................................ 171

表64.扩展周期影响的读写周期171

扩展写Timing-异步写入操作...... 171

图63.扩展WRITE工作................................ 172

页面模式读取操作.............................................. .......................... 172

突发模式操作.............................................. ...................................... 172

摘要.............................................................................................................. 172

如何扩展时序影响的CellularRAM

操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 193

介绍........................................................................................................193

操作当页面模式将被禁用............................................ ...... 193

操作当页模式启用............................................ ........ 193

图80.扩展时序吨

CEM ..............................................

图81.扩展时序吨

TM ................................................

193

193

CellularRAM-2A

2004年12月17日S71GS256 / 128N_00_A0

5