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S71GLxxxNC0
堆叠式多芯片产品( MCP )
512/256/128兆比特( 32/16/8的M× 16位) CMOS 3.0伏只
的MirrorBit
TM
页模式闪存
64兆位( 4M ×16位) PSRAM
数据表
ADVANCE
信息
特色鲜明
MCP特点
2.7到3.1V电源电压
高性能
100 ns访问时间( S71GL128N , S71GL256N )
110 ns访问时间( S71GL512N )
25 ns的页面读取时间
包:
- 9.0× 12.0毫米X 1.2毫米FBGA ( TLD084 ) ( S71GL512N )
- 8.0× 11.6毫米X 1.2毫米FBGA ( TLA084 ) ( S71GL128N , S71GL256N )
工作温度
- -25 ° C至+ 85°C (无线)
概述
该S71GL系列是堆叠式多芯片产品( MCP )封装产品线
并且由
一个闪存存储器芯片
一个PSRAM
包括在本文档中的产品列于下表中。有关详细信息
他们的规格,请参阅个别成分数据表
对于进一步的细节。
闪存密度
512 MB
PSRAM的密度
64 MB
S71GL512NC0
256 MB
S71GL256NC0
128 MB
S71GL128NC0
公开号
S71GL512_256_128NC0_00
调整
A
修订
0
发行日期
2004年12月17日
本文件包含有关正在开发的产品在Spansion LLC的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。 Spansion公司
保留对本建议的产品更改或停止工作,恕不另行通知。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
S71GLxxxNC0
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
MCP框图(128MB的Flash + 64Mb的PSRAM ) ................................. 5
MCP框图( 256Mb的闪存+ PSRAM为64Mb ) ................................. 5
MCP框图(512MB的Flash + 64Mb的PSRAM ) ................................. 6
表7.扇区保护计划...................................... 58
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
512 MB的Flash + 64Mb的PSRAM引脚.......................................... ................... 7
256 MB的Flash + 64Mb的PSRAM引脚.......................................... .................. 8
128兆的Flash + 64Mb的PSRAM引脚.......................................... ................... 9
输入/输出说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
TLD084-84球细间距球栅阵列( FBGA ) 9.0× 12.0毫米X1.2
MCP兼容包............................................... ................................. 15
TLA084-84球细间距球栅阵列( FBGA ) 8.0× 11.6毫米X1.2
MCP兼容包............................................... ................................ 16
持久保护模式锁定位............................................. .............. 58
密码扇区保护............................................... ............................ 59
密码和密码保护模式锁定位............................... 59
64位密码.............................................. .................................................. ..60
持久保护位锁定( PPB锁定位) ......................................... 0.60
安全硅扇区闪存地区........................................... 60
写保护( WP # ) ............................................ ........................................... 62
硬件数据保护............................................... .............................. 62
低VCC写禁止.............................................. ................................. 62
写脉冲“毛刺”保护............................................ ................... 62
逻辑禁止................................................ .................................................. 。 62
上电写禁止............................................. .................................. 62
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 62
表8. CFI查询标识字符串................................
表9.系统接口字符串..........................................
表10.设备几何定义...................................
表11.主要供应商特定的扩展查询................
63
64
65
66
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 66
读阵列数据............................................... ............................................ 67
复位命令................................................ ................................................. 67
自选命令序列............................................... .................... 67
进入安全硅行业/退出安全硅
部门命令序列............................................... ............................. 68
Word程序命令序列.............................................. ............ 68
解锁绕道命令序列.............................................. .......... 69
写缓冲区编程............................................... .......................... 69
加快程序................................................ .................................... 70
图1.写缓冲区编程操作....................... 71
图2.程序运行............................................. .. 72
S29GLxxxN的MirrorBit
TM
快闪族
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.20
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
S29GL512N ........................................................................................................23
S29GL256N .......................................................................................................23
S29GL128N .......................................................................................................23
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.24
表1.设备总线操作........................................... 24
程序挂起/恢复程序命令序列.................... 72
图3.程序挂起/恢复程序........................ 73
VersatileIO
TM
(V
IO
)控制................................................ ............................ 24
对于读阵列数据要求............................................. ........... 24
页面模式读取............................................... ............................................... 25
写命令/命令序列............................................. .... 25
写缓冲器.....................................................................................................25
加快程序运行............................................... ................ 25
自选功能................................................ .................................... 26
待机模式...................................................................................................... 26
自动休眠模式............................................... ...................................... 26
RESET # :硬件复位引脚............................................ ............................ 26
输出禁止模式............................................... ......................................... 27
表2扇区地址表, S29GL512N ........................... 27
表3扇区地址表, S29GL256N ........................... 42
表4.扇区地址表, S29GL128N ........................... 49
芯片擦除命令序列.............................................. ...................... 73
扇区擦除命令序列.............................................. .................. 74
图4.擦除操作............................................. ...... 75
擦除暂停/删除恢复命令............................................ ...... 75
锁定寄存器命令集定义............................................. ....... 76
密码保护命令集定义...................................... 76
非易失性扇区保护命令集定义.................. 78
全球挥发性扇区保护冻结命令集...................... 78
挥发性扇区保护命令集............................................. ..... 79
安全硅行业进入命令............................................. ........ 80
安全硅行业退出命令............................................. ........... 80
命令定义................................................ ........................................ 81
表12. S29GL512N , S29GL256N , S29GL128N命令
定义, X16 ............................................... .................. 81
自选模式................................................ ................................................. 53
表5.自动选择码, (高压法) ................ 54
写操作状态............................................... .................................... 84
DQ7 :数据#投票............................................. .............................................. 84
图5.数据#轮询算法........................................ 85
扇区保护................................................ ................................................ 54
持久扇区保护............................................... ........................ 54
密码扇区保护............................................... ......................... 54
WP #硬件保护.............................................. ........................... 54
选择一个扇区保护模式............................................. ............ 54
高级扇区保护............................................... ............................ 55
锁定注册........................................................................................................55
表6.锁定寄存器............................................. ........... 56
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .............................................. 85
DQ6 :切换位I ............................................. .................................................. 86
图6.切换位算法............................................ 。 87
DQ2 :触发位II ............................................. ................................................. 87
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ......................... 88
DQ5 :超过时序限制............................................. ........................... 88
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. ................................... 88
DQ1 :写入到缓冲区中止.......................................... ................................. 89
表13.写操作状态......................................... 89
持久扇区保护............................................... ............................ 56
动态保护位( DYB ) ............................................ ....................... 56
持久保护位( PPB ) ............................................ ...................... 57
持久保护位锁定( PPB锁定位) ...................................... 57
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90
图7.最大负过冲波形................. 90
2
S71GL512_256_128NC0_00_A0二○○四年十二月十七日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
图8.最大正
过冲波形................................................ .......... 90
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 91
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.92
图9.测试设置............................................. .............. 92
表14.测试规范............................................. .. 92
推荐工作条件。 。 。 。 。 。 。 。
封装电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
107
107
108
109
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 92
图10.输入波形和测量水平............. 92
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 93
只读操作, S29GL128N , S29GL256N , S29GL512N ........... 93
图11.读操作时序....................................... 94
图12.页读时序............................................ .. 94
读操作................................................ ................................................. 109
写操作................................................ ................................................ 110
掉电参数............................................... .................................. 111
其他时序参数............................................... .................................. 111
AC测试条件............................................... ........................................... 112
AC测量输出负载电路............................................. ....... 112
图21. AC输出负载电路 - 16兆.......................... 112
图22. AC输出负载电路 - 32兆和64兆.......... 112
硬件复位( RESET # ) ............................................ ................................... 95
图13.复位时序............................................. ........ 95
时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113
读时序........................................................................................................ 113
图23.读时序# 1 (基本时序) ........................... 113
图24.读时序# 2 ( OE #地址访问................. 113
图25.读时序# 3 ( LB # / UB #字节访问) .............. 114
图26.读时序# CE1 #控制后4 (页面地址访问
为32M和64M接入专用) ........................................... 114
图27.读时序# 5 (随机和页面地址的访问
32M和64M只) ............................................. ............. 115
擦除和编程操作, S29GL128N ,
S29GL256N , S29GL512N ............................................... ................................... 96
图14.编程操作时序.................................. 97
图15.加速程序时序图.................... 97
图16.芯片/扇区擦除操作时序..................... 98
图17.数据#投票计时
(在嵌入式算法) ............................................ 99
图18.触发位计时(在嵌入式算法) 100
图19. DQ2与DQ6 ........................................... ......... 100
写时序.....................................................................................................115
图28.写时序# 1 (基本时序) ..........................
图29.写时序# 2 ( WE#控制) ..........................
图30.写时序# 3-1 ( WE# / # LB / UB #
字节写控制) .............................................. ............
图31.写时序# 3-3 ( WE# / # LB / UB #
字节写控制) .............................................. ............
图32.写时序# 3-4( WE# / # LB / UB #
字节写控制) .............................................. ............
图33.读/写时序#1-1 ( CE1 #控制) ..............
图34.读/写时序#1-2
( CE1 # / WE# / OE #控制) ....................................... .........
图35.读/写时序# 2 ( OE # , WE#控制) ........
图36.读/写时序# 3
( OE # , WE# , LB # , UB #控制) .................................... .....
图37.上电时序# 1 .........................................
图38.上电时序# 2 .........................................
图39.掉电进入和退出时机......................
后读或写图40.待机进入时机............
图41.掉电时序方案(对于32M / 64M只) 。
115
116
116
117
117
118
118
119
119
120
120
120
121
121
备用CE #控制的擦除和编程操作 -
S29GL128N , S29GL256N , S29GL512N ............................................. ............ 101
图20.备用CE #控制的写(擦除/
程序)操作时序.............................................. 102
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 103
引脚TSOP和BGA封装电容。 。 。 。 103
读/写时序.............................................. ............................................ 118
PSRAM类型7
特色: 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
掉电(对于32M , 64M只) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
104
104
105
105
掉电...................................................................................................... 105
掉电程序序列.............................................. ................... 106
地址键.......................................................................................................106
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 107
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 122
2004年12月17日S71GL512_256_128NC0_00_A0
3
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
产品选择指南
S71GL512NC0
访问时间在V
CC
= 2.7 - 3.1 V
马克斯。访问时间(纳秒)
马克斯。 CE#访问时间(纳秒)
马克斯。页面访问时间(纳秒)
马克斯。 OE #访问时间(纳秒)
110
110
25
25
FL灰
100
100
PSRAM
70
70
25
25
S71GL256NC0
访问时间在V
CC
= 2.7 - 3.1 V
马克斯。访问时间(纳秒)
马克斯。 CE#访问时间(纳秒)
马克斯。页面访问时间(纳秒)
马克斯。 OE #访问时间(纳秒)
100
100
25
25
FL灰
90
90
PSRAM
70
70
25
25
S71GL128NC0
访问时间在V
CC
= 2.7 - 3.1 V
马克斯。访问时间(纳秒)
马克斯。 CE#访问时间(纳秒)
马克斯。页面访问时间(纳秒)
马克斯。 OE #访问时间(纳秒)
100
100
25
25
FL灰
90
90
PSRAM
70
70
25
25
4
S71GL512_256_128NC0_00_A0二○○四年十二月十七日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
MCP框图(128MB的Flash + 64Mb的PSRAM )
VCCF
仅闪烁地址
共享地址
WP # / ACC
CE#F1
OE #
WE#
RESET#
1
22
VCC
VIO
DQ15到DQ0
WP # / ACC
CE#
OE #
WE#
RESET#
FL灰
16
DQ15到DQ0
RY / BY #
RY / BY #
VSS
VCCS
22
VCCQ
VCC
I / O15向I / O0
WE#
OE #
UB #
磅#
CE2s
CE1#s
PSRAM
VSSQ
16
UB # s
LB # s
CE2s
CE1#s
MCP框图( 256Mb的闪存+ PSRAM的64Mb )
VCCF
仅闪烁地址
共享地址
WP # / ACC
CE#F1
OE #
WE#
RESET#
2
22
VCC
VIO
DQ15到DQ0
WP # / ACC
CE#
OE #
WE#
RESET#
FL灰
16
DQ15到DQ0
RY / BY #
RY / BY #
VSS
VCCS
22
VCCQ
VCC
I / O15向I / O0
WE#
OE #
UB #
磅#
CE2s
CE1#s
PSRAM
VSSQ
16
UB # s
LB # s
CE2s
CE1#s
2004年12月17日S71GL512_256_128NC0_00_A0
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    S71GL256NC0
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
S71GL256NC0
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