S71GL512NB0/S71GL256NB0/

S71GL128NB0

堆叠式多芯片产品（ MCP ）

512/256/128兆比特（ 32/16/8的M× 16位） CMOS 3.0伏只

的MirrorBit

TM

页模式闪存

32兆位（ 2M ×16位） PSRAM

ADVANCE

信息

特色鲜明

MCP特点

2.7到3.1V电源电压

高性能

90 ns访问时间（ S71GL128N ， S71GL256N ）

100 ns访问时间（ S71GL512N ）

25 ns的页面读取时间

包：

- 9.0× 12.0毫米X 1.2毫米FBGA （ TLD084 ） （ S71GL512N ）

- 8.0× 11.6毫米X 1.2毫米FBGA （ TLA084 ） （ S71GL128N ， S71GL256N ）

工作温度

- -25 ° C至+ 85°C （无线）

= -40 ° C至+ 85°C （工业级）

概述

该S71GL系列是堆叠式多芯片产品（ MCP ）封装产品线

并且由

一个闪存存储器芯片

一个PSRAM

包括在本文档中的产品列于下表中。有关详细信息

他们的规格，请参阅个别成分数据表

对于进一步的细节。

闪存密度

512 MB

128 MB

PSRAM的密度

64 MB

32 MB

16兆

S71GL512NB0

S71GL256NB0

S71GL128NB0

256 MB

128 MB

公开号

S71GL512_256_128NB0_00

调整

A

修订

1

发行日期

2004年12月7日

本文件包含有关正在开发的产品在Spansion LLC的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。 Spansion公司

保留对本建议的产品更改或停止工作，恕不另行通知。

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

S71GL512NB0/S71GL256NB0/S71GL128NB0

概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

MCP框图（128MB的Flash + 32Mb的PSRAM ） ................................. 5

MCP框图（ 256Mb的闪存+ 32MB的PSRAM ） ................................. 5

MCP框图（512MB的Flash + 32Mb的PSRAM ） ................................. 6

逻辑禁止................................................ .................................................. 45

上电写禁止............................................. .................................. 45

通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 45

表6. CFI查询标识字符串................................

表7.系统接口字符串..........................................

表8.设备几何定义.....................................

表9.主要供应商特定的扩展查询..................

47

47

48

49

连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

512 MB闪存+ 32 MB PSRAM引脚.......................................... ................... 7

256 MB闪存+ 32 MB PSRAM引脚.......................................... .................. 8

128兆闪存+ 32 MB PSRAM引脚.......................................... ................... 9

128兆闪存+ 32 MB PSRAM引脚（仅S71GL128NB0 ） .................. 10

命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49

读阵列数据............................................... ............................................ 50

复位命令................................................ ................................................. 50

自选命令序列............................................... .................... 50

进入安全硅行业/退出安全硅

部门命令序列............................................... .............................. 51

Word程序命令序列.............................................. ............. 51

解锁绕道命令序列.............................................. .......... 52

写缓冲区编程............................................... .......................... 52

加快程序................................................ ..................................... 53

图1.写缓冲区编程操作....................... 54

图2.程序运行............................................. .. 55

输入/输出说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

S29GLxxxN的MirrorBit

TM

快闪族

数据表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19

概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20

框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22

设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23

表1.设备总线操作........................................... 23

程序挂起/恢复程序命令序列.................... 55

图3.程序挂起/恢复程序........................ 56

芯片擦除命令序列.............................................. ..................... 56

扇区擦除命令序列.............................................. .................. 57

图4.擦除操作............................................. ...... 58

字/字节配置.............................................. .................................. 23

对于读阵列数据要求............................................. ............ 23

页面模式读取............................................... .............................................. 24

写命令/命令序列............................................. ... 24

写缓冲器................................................ .................................................. 24 ..

加快程序运行............................................... ................ 25

自选功能................................................ ..................................... 25

待机模式.......................................................................................................25

自动休眠模式............................................... ....................................... 25

RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ............................. 25

输出禁止模式............................................... ........................................ 26

表2扇区地址表， S29GL256N ........................... 26

表3扇区地址表， S29GL128N ........................... 33

擦除暂停/删除恢复命令............................................ ...... 58

锁定寄存器命令集定义............................................. ....... 59

密码保护命令集定义...................................... 59

非易失性扇区保护命令集定义................... 61

全球挥发性扇区保护冻结命令集....................... 61

挥发性扇区保护命令集............................................. ..... 62

安全硅行业进入命令............................................. ........ 62

安全硅行业退出命令............................................. ........... 63

命令定义................................................ ........................................ 64

表10. S29GL512N ， S29GL256N ， S29GL128N命令

定义， X16 ............................................... .................. 64

表11. S29GL512N ， S29GL256N ， S29GL128N命令

定义， X8 ............................................... .................... 67

扇区保护................................................ ................................................ 37

持久扇区保护............................................... ........................ 37

密码扇区保护............................................... ......................... 37

WP ＃硬件保护.............................................. ........................... 37

选择一个扇区保护模式............................................. ............ 37

高级扇区保护............................................... ............................ 38

锁定注册........................................................................................................38

表4.锁定寄存器............................................. ........... 39

写操作状态............................................... .................................... 69

DQ7 ：数据＃投票............................................. .............................................. 70

图5.数据＃轮询算法........................................ 71

RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... ............................................... 71

DQ6 ：切换位I ............................................. .................................................. 72

图6.切换位算法............................................ 73

持久扇区保护............................................... ............................ 39

动态保护位（ DYB ） ............................................ ....................... 39

持久保护位（ PPB ） ............................................ ..................... 40

持久保护位锁定（ PPB锁定位） ...................................... 41

表5.扇区保护计划..................................... 41

DQ2 ：触发位II ............................................. .................................................. 73

阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ......................... 74

DQ5 ：超过时序限制............................................. ........................... 74

DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. ................................... 75

DQ1 ：写入到缓冲区中止.......................................... ................................. 75

表12.写操作状态......................................... 76

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 76

图7.最大负过冲波形................. 77

图8.最大正

过冲波形................................................ .......... 77

持久保护模式锁定位............................................. .............. 41

密码扇区保护............................................... ............................ 42

密码和密码保护模式锁定位............................... 42

64位密码...................................................................................................43

持久保护位锁定（ PPB锁定位） ......................................... ..43

安全硅扇区闪存地区............................................ 43

写保护（ WP ＃ ） ............................................ ............................................ 45

硬件数据保护............................................... ............................... 45

低VCC写禁止.............................................. .................................. 45

写脉冲“毛刺”保护............................................ .................... 45

工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 77

直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 78

测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 79

图9.测试设置............................................. .............. 79

表13.测试规范............................................. ..79

关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 79

图10.输入波形和测量水平............ 79

交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80

2004 S71GL512_256_128NB0_00_A1 12月7日

2

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

只读操作， S29GL512N只有........................................... ....... 80

只读操作， S29GL256N只有........................................... ....... 81

只读操作， S29GL128N只有........................................... ....... 82

图11.读操作时序....................................... 83

图12.页读时序............................................ .. 83

硬件复位（ RESET ＃ ） ............................................ .................................. 84

图13.复位时序............................................. ........ 84

图28.模式寄存器............................................. ..... 122

图29.模式寄存器UpdateTimings （ UB ＃ ， LB ＃ ， OE ＃有别

CARE） ................................................ ............................. 122

图30.深度睡眠模式 - 进入/退出时序（对于64M ） ... 123

图31.深度睡眠模式 - 进入/退出时序

（对于32M和16M ） ............................................ ............... 123

擦除和编程操作， S29GL512N只有.................................. 85

擦除和编程操作， S29GL256N只有................................. 86

擦除和编程操作， S29GL128N只有.................................. 87

图14.编程操作时序.................................. 88

图15.加速程序时序图.................... 88

图16.芯片/扇区擦除操作时序..................... 89

图17.数据＃投票计时

（在嵌入式算法） ............................................ 90

图18.触发位计时（在嵌入式算法） .. 91

图19. DQ2与DQ6 ........................................... ........... 91

PSRAM类型7

特色： 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 127

引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 127

功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128

掉电......................................................................................................128

掉电程序序列.............................................. .................. 129

地址键........................................................................................................129

备用CE ＃控制的擦除和编程操作 -

S29GL512N只有................................................ ................................................ 92

备用CE ＃控制的擦除和编程操作 -

S29GL256N只有................................................ ................................................ 93

备用CE ＃控制的擦除和编程操作 -

S29GL128N只有................................................ ................................................ 94

图20.备用CE ＃控制的写入（擦除/编程）

操作时序................................................ .............. 95

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 130

封装电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 130

读操作................................................ ................................................. 132

交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.134

写操作................................................ ............................................... 134

掉电参数............................................... ................................ 135

其他时序参数............................................... ................................ 135

AC测试条件............................................... .......................................... 136

AC测量输出负载电路............................................. ........ 136

图32. AC输出负载电路...................................... 136

闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 95

擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 96

引脚TSOP和BGA封装电容。 。 。 。 。 96

时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 137

读时序....................................................................................................... 137

图33.读时序＃ 1 （ Baisc时间） ........................... 137

图34.读时序＃ 2 （ OE ＃地址访问................. 137

图35.读时序＃ 3 （ LB ＃ / UB ＃字节访问） .............. 138

图36.读时序＃ CE1 ＃控制后4 （页面地址访问

为32M和64M接入专用） ........................................... 138

图37.读时序＃ 5 （随机和页面地址的访问

32M和64M只） ............................................. ............. 139

PSRAM类型1

功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97

时序测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 103

输出负载电路............................................... ......................................... 104

图21.输出负载电路........................................... 104

写时序....................................................................................................139

图38.写时序＃ 1 （基本时序） ..........................

图39.写时序＃ 2 （ WE＃控制） ..........................

图40.写时序＃ 3-1

（ WE＃ / ＃ LB / UB ＃字节写入控制） ...................................

图41.写时序＃ 3-2

（ WE＃ / ＃ LB / UB ＃字节写入控制） ...................................

图42.写时序＃ 3-3

（ WE＃ / ＃ LB / UB ＃字节写入控制） ...................................

图43.写时序＃ 3-4

（ WE＃ / ＃ LB / UB ＃字节写入控制） ...................................

图44.读/写时序＃1-1 （ CE1 ＃控制） ..............

图45.读/写时序＃1-2

（ CE1 ＃ / WE＃ / OE ＃控制） ....................................... .........

图46.读/写时序＃ 2 （ OE ＃ ， WE＃控制） ........

图47.读/写时序＃ 3

（ OE ＃ ， WE＃ ， LB ＃ ， UB ＃控制） .................................... .....

图48.上电时序＃ 1 .........................................

图49.上电时序＃ 2 .........................................

图50.掉电进入和退出时机......................

后读或写图51.待机进入时机............

图52.掉电时序方案（对于32M / 64M只） 。

139

140

140

141

141

142

142

143

143

144

144

145

145

145

146

上电顺序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 104

交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 105

时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 116

读周期........................................................................................................... 116

图22.时序读周期（ CE ＃ = OE ＃ = V

IL

， WE＃ = ZZ ＃ =

V

IH

)................................................................................ 116

图23.时序读周期的波形

（ WE＃ = ZZ ＃ = V

IH

) ......................................................... 117

的页面模式读取周期图24.时序波形（ WE＃ = ZZ ＃

= V

IH

) ............................................................................ 118

图25.定时写周期的波形（ WE＃控制， ZZ ＃ =

V

IH

)................................................................................ 119

图26.定时写周期的波形（ CE ＃控制， ZZ ＃ =

V

IH

)................................................................................ 119

图27.时序的页面模式波形

写周期（ ZZ ＃ = V

IH

) ................................................... 120

读/写时序.............................................. ........................................... 142

写周期......................................................................................................... 119

部分阵列自刷新（PAR） ........................................... ........................ 120

温度补偿刷新（为64兆） ..................................... 121

深度睡眠模式............................................... ................................................ 121

降低内存大小（对于32M和16M ） ......................................... ......... 121

其他的模式寄存器设置（ 64M ） .......................................... .......... 121

修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 147

2004年12月7日S71GL512_256_128NB0_00_A1

3

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

产品选择指南

S71GL512NB0

访问时间在V

CC

= 2.7 - 3.1 V

马克斯。访问时间（纳秒）

马克斯。 CE＃访问时间（纳秒）

马克斯。页面访问时间（t

PACC

)

马克斯。 OE ＃访问时间（纳秒）

100

100

25

25

FL灰

105

105

PSRAM

65

65

25

25

S71GL256NB0

访问时间在V

CC

= 2.7 - 3.1 V

马克斯。访问时间（纳秒）

马克斯。 CE＃访问时间（纳秒）

马克斯。页面访问时间（t

PACC

)

马克斯。 OE ＃访问时间（纳秒）

90

90

25

25

FL灰

100

100

PSRAM

65

65

25

25

S71GL128NB0

访问时间在V

CC

= 2.7 - 3.1 V

马克斯。访问时间（纳秒）

马克斯。 CE＃访问时间（纳秒）

马克斯。页面访问时间（t

PACC

)

马克斯。 OE ＃访问时间（纳秒）

90

90

25

25

FL灰

100

100

PSRAM

65

65

25

25

4

2004 S71GL512_256_128NB0_00_A1 12月7日

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

MCP框图（128MB的Flash + 32Mb的PSRAM ）

VCCF

仅闪烁地址

共享地址

WP ＃ / ACC

CE#F1

OE ＃

WE＃

RESET＃

2

21

VCC

VID

DQ15到DQ0

WP ＃ / ACC

CE＃

OE ＃

WE＃

RESET＃

FL灰

16

DQ15到DQ0

RY / BY ＃

RY / BY ＃

VSS

VCCS

21

VCCQ

VCC

I / O15向I / O0

WE＃

OE ＃

UB ＃

磅＃

CE2s

CE1#s

PSRAM

VSSQ

16

UB ＃ s

LB ＃ s

CE2s

CE1#s

MCP框图（ 256Mb的闪存+ 32MB的PSRAM ）

VCCF

仅闪烁地址

共享地址

WP ＃ / ACC

CE#F1

OE ＃

WE＃

RESET＃

3

21

VCC

VID

DQ15到DQ0

WP ＃ / ACC

CE＃

OE ＃

WE＃

RESET＃

FL灰

16

DQ15到DQ0

RY / BY ＃

RY / BY ＃

VSS

VCCS

21

VCCQ

VCC

I / O15向I / O0

WE＃

OE ＃

UB ＃

磅＃

CE2s

CE1#s

PSRAM

VSSQ

16

UB ＃ s

LB ＃ s

CE2s

CE1#s

2004年12月7日S71GL512_256_128NB0_00_A1

5