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S71GL064A基于MCP的
堆叠式多芯片产品( MCP )闪存和RAM
64兆位(4M ×16位) CMOS 3.0伏只页面模式闪存
内存和16/8兆位( 1M / 512K ×16位)
伪静态RAM /静态RAM
ADVANCE
信息
请注意,以读者:
进展情况的信息表明,该
文档包含正在开发一个或多个产品信息
在Spansion公司。该信息旨在帮助您评估该产品。
本产品无需联系厂家不要设计。 Spansion公司
保留对本建议的产品修改权利或停止工作
恕不另行通知。
公开号
S71GL064A_00
调整
A
修订
2
发行日期
2005年2月8日
此页有意留为空白。
S71GL064A基于MCP的
堆叠式多芯片产品( MCP )闪存和
内存64兆比特(4M ×16位) CMOS 3.0伏只页面
模式闪存和16/8兆位( 1M / 512K ×16位)
伪静态RAM /静态RAM
数据表
ADVANCE
信息
特色鲜明
MCP特点
2.7至3.1伏的电源电压
高性能
- 100 ns访问时间( 100 ns的闪存, 70纳秒PSRAM /
SRAM )
- 25 ns的页读取时间
套餐
- 7 ×9× 1.2毫米56球FBGA ( TLC056 )
工作温度
- -25 ° C至+ 85°C
= -40 ° C至+ 85°C
概述
该S71GL064A产品系列包括S29GL064闪存与PSRAM和SRAM
组合定义为:
闪存密度
64Mb
PSRAM / SRAM
密度
8Mb
16Mb
S71GL064A80/S71GL064A08
S71GL064AA0/S71GL064A0A
公开号
S71GL064A_00
调整
A
修订
2
发行日期
2005年2月8日
该文件规定对本文所述的Spansion公司产品(S )目前的技术规范。本文中所描述的每个产品可被指定为AD-
万斯信息,初步或全面投产。请参阅定义的一节“上的数据表牌号的通知” 。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
请注意在数据表牌号
Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步指示来提醒
产品信息在整个产品生命周期的读者或意图规范,在 -
cluding开发,认证,初期生产,满负荷生产。在所有的情况下,但是,
我们鼓励读者以验证它们是否有最新的信息,最终确定自己的DE-前
签收。 Spansion的数据表名称的下面说明在此呈现给高亮
点燃他们的存在和定义。
超前信息
事前信息认证表明Spansion公司正在开发一个或更有针对性
cific产品,但并没有承诺任何设计到生产。在doc-提供的信息
输稿带,该名称是可能发生变化,并且在某些情况下,开发产品上
可能会中止。因此, Spansion公司在推进信息放置在下列条件
化的内容:
“本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该
信息旨在帮助您评估该产品。本产品不CON-不要设计
tacting工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。 “
初步
预指定表示该产品的开发已取得进展,使得一
致力于生产已经发生。此指定涵盖在本产品的几个方面
UCT生命周期,包括产品合格,初始生产,并在随后的阶段
满负荷生产达到之前发生的制造工艺。更改技术
在初步号文件提出要规范,同时保持这些AS-预期
生产正在考虑pects 。飞索款规定Prelimi-下列条件
进制内容:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。本文件的初步情况显示,产品合格已经完成,
而且最初的生产已经开始。由于在制造过程中,需要相
保持效率和质量,这个文件可以通过后续的版本或modifica-修改
由于系统蒸发散变化的技术规范“。
组合
有些数据表包含的产品具有不同的名称(组合提前在 -
形成初步或全部生产) 。这种类型的文件将区分这些产品
和它们的名称在必要时,通常在第一页,订货信息
页面,并与DC特性表和AC擦除和编程表页(表
注释) 。在第一页的免责声明是指读者在此页上的通知。
满负荷生产(在文件没有指定)
当产品已经生产了一段时间,使得不改变或仅标称
改变预期,初步指定从数据表中删除。公称
变化可以包括那些影响订货可用的部件号,如数量
另外的一个速度的选择,温度范围,包类型,或V或缺失
IO
范围内。变化
也包括那些需要澄清说明或纠正拼写错误或新断路器
RECT规范。 Spansion公司采用下列条件这一类的文件:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。 Spansion公司认为该产品已经在足够的生产量,这样子
本文档的序贯版本预计不会改变。但是,印刷或者规格
更正或修改提供可能发生的有效组合。 “
有关这些文件名称的问题,可向当地的AMD或富士通
销售网络的CE 。
2
S71GL064A基于MCP的
S71GL064A_00_A2 2005年2月8日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
产品选择指南
64兆闪存
设备型号# (注)
S71GL064A80-0K
S71GL064A80-0P
S71GL064A08-0B
S71GL064A08-0F
S71GL064AA0-0K
S71GL064AA0-0P
S71GL064AA0-0U
S71GL064AA0-0Z
S71GL064A0A-0B
S71GL064A0A-0F
16M的SRAM
100
16M的PSRAM
pSRAM7
闪存存取时间(纳秒)
( P) SRAM密度
8M的PSRAM
( P) SRAM的访问时间(纳秒)
( P) SRAM型
pSRAM1
8M的SRAM
SRAM1
70
pSRAM1
TLC056
SRAM1
注意:
请参阅有效组合表型号#描述。
2005年2月8日S71GL064A_00_A2
S71GL064A基于MCP的
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S71GL064A基于MCP的
堆叠式多芯片产品( MCP )闪存和RAM
64兆位(4M ×16位) CMOS 3.0伏只页面模式闪存
内存和16/8兆位( 1M / 512K ×16位)
伪静态RAM /静态RAM
ADVANCE
信息
请注意,以读者:
进展情况的信息表明,该
文档包含正在开发一个或多个产品信息
在Spansion公司。该信息旨在帮助您评估该产品。
本产品无需联系厂家不要设计。 Spansion公司
保留对本建议的产品修改权利或停止工作
恕不另行通知。
公开号
S71GL064A_00
调整
A
修订
2
发行日期
2005年2月8日
此页有意留为空白。
S71GL064A基于MCP的
堆叠式多芯片产品( MCP )闪存和
内存64兆比特(4M ×16位) CMOS 3.0伏只页面
模式闪存和16/8兆位( 1M / 512K ×16位)
伪静态RAM /静态RAM
数据表
ADVANCE
信息
特色鲜明
MCP特点
2.7至3.1伏的电源电压
高性能
- 100 ns访问时间( 100 ns的闪存, 70纳秒PSRAM /
SRAM )
- 25 ns的页读取时间
套餐
- 7 ×9× 1.2毫米56球FBGA ( TLC056 )
工作温度
- -25 ° C至+ 85°C
= -40 ° C至+ 85°C
概述
该S71GL064A产品系列包括S29GL064闪存与PSRAM和SRAM
组合定义为:
闪存密度
64Mb
PSRAM / SRAM
密度
8Mb
16Mb
S71GL064A80/S71GL064A08
S71GL064AA0/S71GL064A0A
公开号
S71GL064A_00
调整
A
修订
2
发行日期
2005年2月8日
该文件规定对本文所述的Spansion公司产品(S )目前的技术规范。本文中所描述的每个产品可被指定为AD-
万斯信息,初步或全面投产。请参阅定义的一节“上的数据表牌号的通知” 。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
请注意在数据表牌号
Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步指示来提醒
产品信息在整个产品生命周期的读者或意图规范,在 -
cluding开发,认证,初期生产,满负荷生产。在所有的情况下,但是,
我们鼓励读者以验证它们是否有最新的信息,最终确定自己的DE-前
签收。 Spansion的数据表名称的下面说明在此呈现给高亮
点燃他们的存在和定义。
超前信息
事前信息认证表明Spansion公司正在开发一个或更有针对性
cific产品,但并没有承诺任何设计到生产。在doc-提供的信息
输稿带,该名称是可能发生变化,并且在某些情况下,开发产品上
可能会中止。因此, Spansion公司在推进信息放置在下列条件
化的内容:
“本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该
信息旨在帮助您评估该产品。本产品不CON-不要设计
tacting工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。 “
初步
预指定表示该产品的开发已取得进展,使得一
致力于生产已经发生。此指定涵盖在本产品的几个方面
UCT生命周期,包括产品合格,初始生产,并在随后的阶段
满负荷生产达到之前发生的制造工艺。更改技术
在初步号文件提出要规范,同时保持这些AS-预期
生产正在考虑pects 。飞索款规定Prelimi-下列条件
进制内容:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。本文件的初步情况显示,产品合格已经完成,
而且最初的生产已经开始。由于在制造过程中,需要相
保持效率和质量,这个文件可以通过后续的版本或modifica-修改
由于系统蒸发散变化的技术规范“。
组合
有些数据表包含的产品具有不同的名称(组合提前在 -
形成初步或全部生产) 。这种类型的文件将区分这些产品
和它们的名称在必要时,通常在第一页,订货信息
页面,并与DC特性表和AC擦除和编程表页(表
注释) 。在第一页的免责声明是指读者在此页上的通知。
满负荷生产(在文件没有指定)
当产品已经生产了一段时间,使得不改变或仅标称
改变预期,初步指定从数据表中删除。公称
变化可以包括那些影响订货可用的部件号,如数量
另外的一个速度的选择,温度范围,包类型,或V或缺失
IO
范围内。变化
也包括那些需要澄清说明或纠正拼写错误或新断路器
RECT规范。 Spansion公司采用下列条件这一类的文件:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。 Spansion公司认为该产品已经在足够的生产量,这样子
本文档的序贯版本预计不会改变。但是,印刷或者规格
更正或修改提供可能发生的有效组合。 “
有关这些文件名称的问题,可向当地的AMD或富士通
销售网络的CE 。
2
S71GL064A基于MCP的
S71GL064A_00_A2 2005年2月8日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
产品选择指南
64兆闪存
设备型号# (注)
S71GL064A80-0K
S71GL064A80-0P
S71GL064A08-0B
S71GL064A08-0F
S71GL064AA0-0K
S71GL064AA0-0P
S71GL064AA0-0U
S71GL064AA0-0Z
S71GL064A0A-0B
S71GL064A0A-0F
16M的SRAM
100
16M的PSRAM
pSRAM7
闪存存取时间(纳秒)
( P) SRAM密度
8M的PSRAM
( P) SRAM的访问时间(纳秒)
( P) SRAM型
pSRAM1
8M的SRAM
SRAM1
70
pSRAM1
TLC056
SRAM1
注意:
请参阅有效组合表型号#描述。
2005年2月8日S71GL064A_00_A2
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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