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S71GL016A基于MCP的
堆叠式多芯片产品( MCP )
快闪存储器和RAM
16兆位( 1M ×16位) CMOS 3.0伏只
页模式闪存
4兆位( 256K ×16位) PSRAM
数据表
(高级信息)
S71GL016A基于MCP的封面
请注意,以读者:
这份文件指出关于Spansion公司目前的技术规格
本文描述的产品(S) 。本文描述的每一个产品可以被指定为超前信息,
初步或全面投产。看
请注意在数据表牌号
对于定义。
公开号
S71GL016A_00
调整
A
修订
1
发行日期
2006年6月20日
数据
(A dvan CE
我NFO R上MA TI )
请注意在数据表牌号
Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步的名称,提醒读者
产品信息或意图规范整个产品生命周期,包括研发,
资质,初始生产,并全面投入生产。在所有的情况下,但是,我们鼓励读者以验证
他们有他们的定稿之前的设计的最新信息。 Spansion公司的数据下面的说明
表名称使用这里介绍要突出自己的存在和定义。
超前信息
事前信息认证表明Spansion公司正在开发一个或多个特定
产品,但并没有承诺任何设计到生产。呈现在文档中使用这些信息
指定有可能发生改变,并且在某些情况下,开发的产品可中止。 Spansion公司
因此, LLC则以在生产数据内容如下条件:
“本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。
该信息旨在帮助您评估该产品。本产品无不要设计
联系工厂。 Spansion公司保留随时更改或终止对这个作品的权利
恕不另行通知提出的产品“ 。
初步
预指定表示该产品的开发已取得进展,使得一个承诺
生产已经发生。该标识包含几个方面的产品生命周期,包括
产品合格,最初的生产,并且在发生的制造过程中的后续阶段
之前满负荷生产的实现。更改技术规格的初步介绍
文件应同时保持生产这些方面正在考虑的期望。 Spansion公司
放置后,初步含量满足以下条件:
“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范( S)
本文中所描述。本文件的初步情况显示,产品合格已
完成,而且最初的生产已经开始。由于制造过程中的各个阶段那
需要维护的效率和质量,这个文件可以通过后续版本或修订
修改由于改变了技术规范。 “
组合
有些数据表包含的产品具有不同的名称的组合(超前信息,
初步或全部生产) 。这种类型的文件区分这些产品和它们的名称
在必要时,通常第一个页面时,订购信息页面,页面与DC
特性表和AC擦除和编程表(表中的说明) 。第一个免责声明
页面是指读者在此页上的通知。
满负荷生产(在文件没有指定)
当产品已经生产了一段时间,使得不改变或仅标称变化
预计,初步指定从数据表中删除。标称变化可能包括
那些影响订货可用的部件号,诸如速度的增加或删除的数量
选项,使用温度范围,封装类型,或V
IO
范围内。变化也可能包括那些需要澄清
说明或者纠正拼写错误或不正确的规范。 Spansion公司采用以下
条件,这一类材料:
“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范( S)
本文中所描述。 Spansion公司认为该产品已足够生产量
例如,本文件的后续版本预计不会改变。然而,排印
或规范更正或修改提供可能发生的有效组合。 “
有关这些文件名称的问题,可向当地的AMD或富士通销售办事处。
ii
S71GL016A基于MCP的
2006年S71GL016A_00_A1 6月20日,
S71GL016A基于MCP的
堆叠式多芯片产品( MCP )闪存和
内存
16兆位( 1M ×16位) CMOS 3.0伏只页面模式闪存
内存
4兆位( 256K ×16位) PSRAM
数据表
(高级信息)
特点
2.7 V至3.1 V电源电压
高性能
- 为100 ns (纳秒100闪存, 70 ns的PSRAM / SRAM )
套餐
- 7 ×9× 1.2毫米56球FBGA
工作温度
- -25 ° C至+ 85°C
概述
该S71GL系列是堆叠式多芯片产品( MCP )封装产品线,包括:
一S29GL016A闪存存储器芯片
PSRAM
包括在本文档中的产品列于下表:
闪存密度
16Mb
PSRAM的密度
4Mb
S71GL016A40
有关详细规格,请参阅单独的数据表。
.
文件
S29GL-A
PSRAM类型4
出版物识别码( PID)的
S29GL-A_00
psram_18
公开号
S71GL016A_00
调整
A
修订
1
发行日期
2006年6月20日
本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。不设计
本产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作,恕不另行通知。
数据
(A dvan CE
我NFO R上MA TI )
1.
产品选择指南
设备型号#
S71GL016A40-1J
100
S71GL016A40-3J
4米PSRAM
70
类型4
TLC056
闪存存取时间(纳秒)
PSRAM的密度
PSRAM的访问时间(纳秒)
PSRAM类型
2. MCP框图
V
CC
f
V
CC
CE#
WP # / ACC
RESET#
仅闪烁地址
共享地址
OE #
WE#
V
SS
RY / BY #
FL灰
V
CCS
DQ
15
到DQ
0
V
CC
PSRAM / SRAM
IO
15
0-10
0
CE# s
UB # s
LB # s
CE2
CE#
UB #
磅#
CE2
2
S71GL016A基于MCP的
2006年S71GL016A_00_A1 6月20日,
DA TA
秒H EE吨
(广告VA NCE
我n对于米处离子)
3.
接线图
图3.1
56球细间距球栅阵列(顶视图,球朝下)
A2
A7
B1
A3
C1
A2
D1
A1
E1
A0
F1
CE1#f
G1
CE1#s
B2
A6
C2
A5
D2
A4
E2
VSS
F2
OE #
G2
DQ0
H2
DQ8
A3
磅#
B3
UB #
C3
A18
D3
A17
E3
DQ1
F3
DQ9
G3
DQ10
H3
DQ2
A4
WP / ACC
B4
RST #楼
C4
RY / BY #
A5
WE#
B5
CE2s
C5
俄罗斯足协
A6
A8
B6
A19
C6
A9
D6
A10
E6
DQ6
A7
A11
B7
A12
C7
A13
D7
A14
E7
俄罗斯足协
F7
DQ15
G7
DQ7
H7
DQ14
B8
传说
SHARED
A15
C8
俄罗斯足协
D8
俄罗斯足协
仅限于Flash
RAM ONLY
E8
A16
F8
俄罗斯足协
G8
VSS
F4
DQ3
G4
VCCF
H4
DQ11
F5
DQ4
G5
VCCS
H5
俄罗斯足协
F6
DQ13
G6
DQ12
H6
DQ5
预留的
未来使用
2006年6月20日S71GL016A_00_A1
S71GL016A基于MCP的
3
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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