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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第290页 > S71AL016D02BAWTF0
S71AL016D基于MCP的
堆叠式多芯片产品( MCP )闪存和
内存
16兆位(1的M× 16位)的CMOS 3.0伏只
闪存和2兆位( 128K ×16位),静态RAM /
伪静态RAM
特色鲜明
MCP特点
2.7至3.1伏的电源电压
高性能
= 70纳秒
套餐
- 7 ×9× 1.2毫米56球FBGA
工作温度
- -25 ° C至+ 85°C (无线)
ADVANCE
信息
概述
该S71AL系列是堆叠式多芯片产品( MCP )封装产品线
和由以下组成:
一S29AL闪存存储器芯片
PSRAM和SRAM
包括在本文档中的产品列于下表:
闪存密度
16Mb
SRAM密度
2Mb
S71AL016D02
公开号
S71AL016D_02_04_00
调整
A
修订
1
发行日期
2004年11月11日
P L I M I N A R
产品选择指南
16 MB闪存
设备型号#
S71AL016D02-TF
S71AL016D02-BF
S71AL016D02-T7
S71AL016D02-B7
闪存存取时间(纳秒)
70
70
70
70
SRAM密度
2M的SRAM
2M的SRAM
2M的SRAM
2M的SRAM
( P) SRAM的访问时间(纳秒)
70
70
70
70
SRAM型
SRAM2
SRAM2
SRAM1
SRAM1
TLC056
TLC056
TLC056
TLC056
2
S71AL016D基于MCP的
2004年S71AL016D_02_04_00_A1 11月11日,
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
目录
S71AL016D基于MCP的
特色鲜明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
MCP特点........................................................................................................ 1
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
DQ7 :数据#投票............................................. ............................................... 34
图5.数据#轮询算法........................................ 35
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.2
16 Mb的闪存.............................................. ............................................... 2
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.6
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8
有效组合。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
TLC056-56球细间距球栅阵列( FBGA )
9 ×7毫米包装............................................. .................................................. 10
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .............................................. 35
DQ6 :切换位I ............................................. .................................................. 36
DQ2 :触发位II ............................................. ................................................. 36
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ......................... 37
图6.切换位算法............................................ 38
DQ5 :超过时序限制............................................. ........................... 38
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. ................................... 39
表10.写操作状态......................................... 39
图7.最大负过冲波形................ 40
图8.最大正过冲波形.................. 40
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. .... 42
图10.典型I
CC1
与频率................................... 43
图11.测试设置............................................. ............ 44
表11.测试规范............................................. .. 44
图12.输入波形和测量水平............ 45
S29AL016D
概述12
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
表1. S29AL016D设备总线操作.......................... 15
读操作................................................ ................................................. 46
图13.读操作时序..................................... 46
字/字节配置.............................................. ................................... 15
对于读阵列数据要求............................................. ............. 15
写命令/命令序列............................................. .... 16
编程和擦除操作状态............................................. .............. 16
待机模式....................................................................................................... 16
自动休眠模式............................................... ........................................ 17
RESET # :硬件复位引脚............................................ .............................. 17
输出禁止模式............................................... .......................................... 17
表2扇区地址表(顶引导设备) ................. 18
表3扇区地址表(底部启动设备) ............ 19
硬件复位( RESET # ) ............................................ .................................. 47
图14. RESET #时序............................................ ..... 47
字/字节配置( BYTE # ) .......................................... ................. 48
图15. BYTE #时序进行读操作...................... 48
图16. BYTE #时序写操作..................... 49
擦除/编程操作.............................................. ................................ 50
图17.编程操作时序................................. 51
图18.芯片/扇区擦除操作时序.................... 52
图19.数据#投票计时(在嵌入式算法) ..
53
图20.触发位计时(在嵌入式算法) .. 53
图21. DQ2与DQ6擦除和擦除挂起操作。
54
图22.临时机构撤消/时序图......... 54
图23.部门保护/撤消时序图.............. 55
图24.备用CE #控制的写操作时序.. 57
自选模式................................................ ................................................ 20
表4. S29AL016D自动选择代码(高压法)。 20
扇区保护/ unprotection的.............................................. ..................... 20
临时机构撤消............................................... .......................... 21
图1.临时机构撤消操作.................... 21
图2.在系统部门保护/撤消算法........ 22
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 0.23
表5 。
表6 。
表7中。
表8 。
CFI查询标识字符串................................ 23
系统接口字符串......................................... 24
设备几何定义.................................... 24
主要的供应商特定的扩展查询................. 25
TSOP和BGA引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
2Mbit的1型SRAM
共同特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 59
功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60
电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60
这些参数在设备验证
表征和没有100 %测试。 。 。 。 。 。 60
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60
工作特性(在指定
温度范围) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61
时序测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 62
时序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 63
时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
图2.定时读取周期( CE # = OE # = V
IL
, WE# = CE2 =
V
IH
) ................................................................................. 64
图3.定时读周期的波形( WE# = V
IH
) .......... 64
图4.定时写周期的波形( WE#控制) ....... 65
图5.定时写周期的波形( CE1 #控制) ...... 65
图1.省电与页面模式( WE# = V
IH
) ........... 62
硬件数据保护............................................... ............................... 25
低V
CC
写禁止................................................ .................................. 25
写脉冲“毛刺”保护............................................ .................... 25
逻辑禁止................................................ .................................................. 26
上电写禁止............................................. .................................. 26
读阵列数据............................................... ............................................. 27
复位命令................................................ .................................................. 27
自选命令序列............................................... ..................... 27
字/字节编程命令序列............................................ .... 28
解锁绕道命令序列.............................................. .......... 28
图3.程序操作............................................. ... 29
芯片擦除命令序列.............................................. ..................... 29
扇区擦除命令序列.............................................. .................. 30
擦除暂停/删除恢复命令............................................ ........ 31
图4.擦除操作............................................. ....... 32
命令定义................................................ ........................................ 33
表9. S29AL016D命令定义........................... 33
2004年11月11日S71AL016D_02_04_00_A1
3
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
2Mbit的2型SRAM
共同特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 66
功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 66
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 66
经营范围................................................ .................................................. 67
产品组合................................................ ................................................ 67
电气特性................................................ .................................. 67
开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 71
图3.读周期1 (地址转换控制) ...........
图4.读周期2 ( OE #控制) ...............................
图5.写周期1 ( WE#控制) ..............................
( CE #控制)图6.写周期2 ..............................
图7.写周期3 ( WE#控制, OE #低) ..............
图8.写周期4 ( BHE # / BLE #控制, OE #低) .....
71
71
72
73
73
74
典型的DC和AC参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 74
图9.工作电流与电源电压..................... 74
图10.待机电流与电源电压...................... 74
图11.访问时间与电源电压............................ 75
电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68
交流测试负载和波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68
图1. AC测试负载和波形................................ 68
数据保持特性(在
经营范围) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68
图2.数据保存波形...................................... 69
真值表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75
表1.真值表............................................. .............. 75
开关特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
修订概要
4
2004年S71AL016D_02_04_00_A1 11月11日,
P L I M I N A R
MCP框图
V
CC
f
V
CC
CE #楼
RST #楼
1闪光
共享地址
OE #
WE#
V
SS
RY / BY #
A
19
-A
0
V
CCS
DQ
15
到DQ
0
V
CC
A
16
-A
0
PSRAM / SRAM
IO
15
0-10
0
CE1#s
UB #
磅#
CE2s
CE1#
UB #
磅#
CE2
2004年11月11日S71AL016D_02_04_00_A1
5
S71AL016D基于MCP的
堆叠式多芯片产品( MCP )闪存和
内存
16兆位(1的M× 16位)的CMOS 3.0伏只
闪存和2兆位( 128K ×16位),静态RAM /
伪静态RAM
特色鲜明
MCP特点
2.7至3.1伏的电源电压
高性能
= 70纳秒
套餐
- 7 ×9× 1.2毫米56球FBGA
工作温度
- -25 ° C至+ 85°C (无线)
ADVANCE
信息
概述
该S71AL系列是堆叠式多芯片产品( MCP )封装产品线
和由以下组成:
一S29AL闪存存储器芯片
PSRAM和SRAM
包括在本文档中的产品列于下表:
闪存密度
16Mb
SRAM密度
2Mb
S71AL016D02
公开号
S71AL016D_02_04_00
调整
A
修订
1
发行日期
2004年11月11日
P L I M I N A R
产品选择指南
16 MB闪存
设备型号#
S71AL016D02-TF
S71AL016D02-BF
S71AL016D02-T7
S71AL016D02-B7
闪存存取时间(纳秒)
70
70
70
70
SRAM密度
2M的SRAM
2M的SRAM
2M的SRAM
2M的SRAM
( P) SRAM的访问时间(纳秒)
70
70
70
70
SRAM型
SRAM2
SRAM2
SRAM1
SRAM1
TLC056
TLC056
TLC056
TLC056
2
S71AL016D基于MCP的
2004年S71AL016D_02_04_00_A1 11月11日,
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
目录
S71AL016D基于MCP的
特色鲜明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
MCP特点........................................................................................................ 1
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
DQ7 :数据#投票............................................. ............................................... 34
图5.数据#轮询算法........................................ 35
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.2
16 Mb的闪存.............................................. ............................................... 2
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.6
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8
有效组合。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
TLC056-56球细间距球栅阵列( FBGA )
9 ×7毫米包装............................................. .................................................. 10
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .............................................. 35
DQ6 :切换位I ............................................. .................................................. 36
DQ2 :触发位II ............................................. ................................................. 36
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ......................... 37
图6.切换位算法............................................ 38
DQ5 :超过时序限制............................................. ........................... 38
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. ................................... 39
表10.写操作状态......................................... 39
图7.最大负过冲波形................ 40
图8.最大正过冲波形.................. 40
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. .... 42
图10.典型I
CC1
与频率................................... 43
图11.测试设置............................................. ............ 44
表11.测试规范............................................. .. 44
图12.输入波形和测量水平............ 45
S29AL016D
概述12
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
表1. S29AL016D设备总线操作.......................... 15
读操作................................................ ................................................. 46
图13.读操作时序..................................... 46
字/字节配置.............................................. ................................... 15
对于读阵列数据要求............................................. ............. 15
写命令/命令序列............................................. .... 16
编程和擦除操作状态............................................. .............. 16
待机模式....................................................................................................... 16
自动休眠模式............................................... ........................................ 17
RESET # :硬件复位引脚............................................ .............................. 17
输出禁止模式............................................... .......................................... 17
表2扇区地址表(顶引导设备) ................. 18
表3扇区地址表(底部启动设备) ............ 19
硬件复位( RESET # ) ............................................ .................................. 47
图14. RESET #时序............................................ ..... 47
字/字节配置( BYTE # ) .......................................... ................. 48
图15. BYTE #时序进行读操作...................... 48
图16. BYTE #时序写操作..................... 49
擦除/编程操作.............................................. ................................ 50
图17.编程操作时序................................. 51
图18.芯片/扇区擦除操作时序.................... 52
图19.数据#投票计时(在嵌入式算法) ..
53
图20.触发位计时(在嵌入式算法) .. 53
图21. DQ2与DQ6擦除和擦除挂起操作。
54
图22.临时机构撤消/时序图......... 54
图23.部门保护/撤消时序图.............. 55
图24.备用CE #控制的写操作时序.. 57
自选模式................................................ ................................................ 20
表4. S29AL016D自动选择代码(高压法)。 20
扇区保护/ unprotection的.............................................. ..................... 20
临时机构撤消............................................... .......................... 21
图1.临时机构撤消操作.................... 21
图2.在系统部门保护/撤消算法........ 22
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 0.23
表5 。
表6 。
表7中。
表8 。
CFI查询标识字符串................................ 23
系统接口字符串......................................... 24
设备几何定义.................................... 24
主要的供应商特定的扩展查询................. 25
TSOP和BGA引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
2Mbit的1型SRAM
共同特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 59
功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60
电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60
这些参数在设备验证
表征和没有100 %测试。 。 。 。 。 。 60
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60
工作特性(在指定
温度范围) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61
时序测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 62
时序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 63
时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
图2.定时读取周期( CE # = OE # = V
IL
, WE# = CE2 =
V
IH
) ................................................................................. 64
图3.定时读周期的波形( WE# = V
IH
) .......... 64
图4.定时写周期的波形( WE#控制) ....... 65
图5.定时写周期的波形( CE1 #控制) ...... 65
图1.省电与页面模式( WE# = V
IH
) ........... 62
硬件数据保护............................................... ............................... 25
低V
CC
写禁止................................................ .................................. 25
写脉冲“毛刺”保护............................................ .................... 25
逻辑禁止................................................ .................................................. 26
上电写禁止............................................. .................................. 26
读阵列数据............................................... ............................................. 27
复位命令................................................ .................................................. 27
自选命令序列............................................... ..................... 27
字/字节编程命令序列............................................ .... 28
解锁绕道命令序列.............................................. .......... 28
图3.程序操作............................................. ... 29
芯片擦除命令序列.............................................. ..................... 29
扇区擦除命令序列.............................................. .................. 30
擦除暂停/删除恢复命令............................................ ........ 31
图4.擦除操作............................................. ....... 32
命令定义................................................ ........................................ 33
表9. S29AL016D命令定义........................... 33
2004年11月11日S71AL016D_02_04_00_A1
3
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
2Mbit的2型SRAM
共同特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 66
功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 66
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 66
经营范围................................................ .................................................. 67
产品组合................................................ ................................................ 67
电气特性................................................ .................................. 67
开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 71
图3.读周期1 (地址转换控制) ...........
图4.读周期2 ( OE #控制) ...............................
图5.写周期1 ( WE#控制) ..............................
( CE #控制)图6.写周期2 ..............................
图7.写周期3 ( WE#控制, OE #低) ..............
图8.写周期4 ( BHE # / BLE #控制, OE #低) .....
71
71
72
73
73
74
典型的DC和AC参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 74
图9.工作电流与电源电压..................... 74
图10.待机电流与电源电压...................... 74
图11.访问时间与电源电压............................ 75
电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68
交流测试负载和波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68
图1. AC测试负载和波形................................ 68
数据保持特性(在
经营范围) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68
图2.数据保存波形...................................... 69
真值表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75
表1.真值表............................................. .............. 75
开关特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
修订概要
4
2004年S71AL016D_02_04_00_A1 11月11日,
P L I M I N A R
MCP框图
V
CC
f
V
CC
CE #楼
RST #楼
1闪光
共享地址
OE #
WE#
V
SS
RY / BY #
A
19
-A
0
V
CCS
DQ
15
到DQ
0
V
CC
A
16
-A
0
PSRAM / SRAM
IO
15
0-10
0
CE1#s
UB #
磅#
CE2s
CE1#
UB #
磅#
CE2
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    S71AL016D02BAWTF0
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    -
    -
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
S71AL016D02BAWTF0
SPANSION
最新环保批次
25800
BGA
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
S71AL016D02BAWTF0
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