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S70GL256M00
256兆位(8M ×32位/ 16的M× 16位)
的MirrorBit 3.0伏只统一部门快闪记忆体
与通用I / O 控制
S70GL256M00封面
数据表
(退休产品)
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计,
S29GL256N取代S70GL256M ,是厂家推荐的迁移路径,此设备。
请参阅S29GL256N数据的规格和订购信息。可用性这
文档保留仅供参考,历史的目的。
请注意,以读者:
这份文件指出关于Spansion公司目前的技术规格
本文描述的产品(S) 。本文件的初步情况显示,产品合格了
已经完成,并且该最初的生产已经开始。由于制造过程中的各个阶段那
需要维护的效率和质量,这个文件可以通过后续版本或修订
修改由于改变了技术规范。
公开号
S70GL256M00_00
调整
A
修订
1
发行日期
2006年10月31日
AT A
S熙吨
请注意在数据表牌号
Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步的名称,提醒读者
产品信息或意图规范整个产品生命周期,包括研发,
资质,初始生产,并全面投入生产。在所有的情况下,但是,我们鼓励读者以验证
他们有他们的定稿之前的设计的最新信息。 Spansion公司的数据下面的说明
表名称使用这里介绍要突出自己的存在和定义。
超前信息
的超前信息指定表示Spansion公司正在开发的一个或多个特定
产品,但并没有承诺任何设计到生产。呈现在文档中使用这些信息
指定有可能发生改变,并且在某些情况下,开发的产品可中止。 Spansion公司
因此,公司应放置超前信息内容如下条件:
“本文件包含有关正在开发Spansion公司的一个或多个产品信息
该信息旨在帮助您评估该产品。本产品无不要设计
联系工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。 “
初步
预指定表示该产品的开发已取得进展,使得一个承诺
生产已经发生。该标识包含几个方面的产品生命周期,包括
产品合格,最初的生产,并且在发生的制造过程中的后续阶段
之前满负荷生产的实现。更改技术规格的初步介绍
文件应同时保持生产这些方面正在考虑的期望。 Spansion公司
放置后,初步含量满足以下条件:
“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范( S)
本文中所描述。本文件的初步情况显示,产品合格已
完成,而且最初的生产已经开始。由于制造过程中的各个阶段那
需要维护的效率和质量,这个文件可以通过后续版本或修订
修改由于改变了技术规范。 “
组合
有些数据表包含的产品具有不同的名称的组合(超前信息,
初步或全部生产) 。这种类型的文件区分这些产品和它们的名称
在必要时,通常第一个页面时,订购信息页面,页面与DC
特性表和AC擦除和编程表(表中的说明) 。第一个免责声明
页面是指读者在此页上的通知。
满负荷生产(在文件没有指定)
当产品已经生产了一段时间,使得不改变或仅标称变化
预计,初步指定从数据表中删除。标称变化可能包括
那些影响订货可用的部件号,诸如速度的增加或删除的数量
选项,使用温度范围,封装类型,或V
IO
范围内。变化也可能包括那些需要澄清
说明或者纠正拼写错误或不正确的规范。 Spansion公司采用以下
条件,这一类材料:
“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范( S)
本文中所描述。 Spansion公司认为该产品已足够生产量等
本文档的后续版本预计不会改变。但是,印刷或者
规格更正或修改提供可能发生的有效组合。 “
有关这些文件名称的问题,可向当地的销售办事处。
ii
S70GL256M00
2006年S70GL256M00_00_A1 10月31日,
数据表
S70GL256M00
256兆位(8M ×32位/ 16的M× 16位)的MirrorBit 3.0
伏只统一部门快闪记忆体与通用I / O
控制
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计, S29GL256N取代S70GL256M ,是厂家推荐的迁移路径
此设备。请参阅S29GL256N数据的规格和订购信息。可用性本文档的保留仅供参考,历史的目的。
特色鲜明
架构优势
单电源工作
- 3伏读取,擦除和编程操作
VersatileI / O
TM
控制
- 设备产生的数据的输出电压,并且能够忍耐
在CE #和DQ输入/输出数据的输入电压
如通过在V的电压来确定
IO
销;操作
从1.65到3.6 V
在0.23微米的MirrorBit工艺制造
技术
TM
- 15 μs的典型的写缓冲双编程
时间: 16双/ 32字写缓冲减少
总编程时间多字的更新
- 4 - 双/ 8字读取页面缓冲器
- 16双/ 32字写缓冲
低功耗( 3.0 V典型值, 5
兆赫)
- 25 mA典型有效的读电流
- 100毫安典型的擦除/编程电流
- 2 μA典型待机模式电流
封装选项
- 80 - ball加固BGA
软件&硬件功能
软件特点
- 程序暂停&简历:读取其他行业
编程操作完成之前
- 擦除挂起&简历:读/程序等
擦除操作之前,扇区结束
- 数据#轮询&触发位提供状态
- 解锁绕道程序命令的整体降低
编程时间
- CFI (通用闪存接口)兼容:允许主机
系统识别并容纳多个闪光灯
器件
硬件特性
- 部门组保护:硬件级别的方法
防止内业组写操作
- 临时机构撤消组: V
ID
-level方法
在锁定机构群体不断变化的代码
- WP # / ACC输入加速编程时间
(高施加电压时)更大的吞吐量
在系统的生产。保护第一个或最后一个扇区
不分类别组保护设置组
- 硬件复位输入( RESET # )复位装置
- 就绪/忙#输出( RY / BY # )检测程序或
擦除周期结束
SecSi (安全硅)扇形区域
- 128双/ 256字界永久性的,
通过安全鉴定
8双字/ 16字的随机电子序列
号,通过一个命令序列访问
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
灵活的部门架构
- 两百年56 32 Kdoubleword ( 64千字)
扇区
与JEDEC标准兼容
- 提供的引脚和软件兼容
单电源闪存,以及优越的疏忽
写保护
10万次擦写每个扇区的典型
20年的数据保存典型
性能特点
高性能
- 110 ns访问时间
- 30 ns的页读取时间
- 0.5秒典型扇区擦除时间
出版#
S70GL256M00_00
启:
A
修订:
1
发行日期:
2006年10月31日
D A T A
中文ê (E T)
概述
该S70GL256M00由两个128兆, 3.0伏
单电源闪存设备和是或 -
ganized为8,388,608双字或16777216
话。该装置具有一个32位宽的数据总线,可以
还通过使用作为一个16位宽的数据总线
WORD #的输入。该设备可以被编程
在主机系统或标准EPROM编程
聚体。
110或120 ns的存取时间是可用的。注意
每个访问时间具有特定的工作电压
范围(V
CC
),为在指定的
产品选择指南
订购信息
部分。该装置是
在80 - ball加固BGA封装。每一台装置
副设有独立的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。此外
A V
CC
输入,高电压
加速计划
( WP # / ACC )
输入提供了更短的编程时间
通过增加电流。该功能的目的是
系统在生产过程中有利于工厂的吞吐量,
但也可在该领域需要时可以使用。
该设备完全指令集兼容
JEDEC单电源闪存标准。
命令写入设备使用标准的
微处理器写时序。写周期也互
应受锁存器需要的亲地址和数据
编程和擦除操作。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
器件编程和擦除通过启动
命令序列。一旦一个程序或擦除操作
ATION已经开始时,主机系统只需要轮询
DQ7和DQ15 (数据#查询)或DQ6和DQ14
(切换)
状态位
或监控
就绪/忙#
( RY / BY # )
输出,以确定是否操作
就完成了。为了方便用户进行编程,一个
解锁附例
模式减少了命令序列开销
只需要两个写周期,而不是编程数据
四。
VersatileI / O
(V
IO
)控制允许主机系
统设置的电压电平,该装置产生
和容忍的CE#控制输入和DQ I / O来
被断言在V相同的电压电平
IO
引脚。
是指为有效V的订购信息部分
IO
选项。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件部门
组保护功能将禁止这两个方案,并
在扇区基团的任何组合擦除操作
的存储器。这可以在系统或通过亲来实现
编程设备。
擦除暂停/删除恢复
功能允许
主机系统暂停在一个给定的擦除操作
扇区读取或写其他部门,然后
完成擦除操作。该
程序可持
挂起/恢复计划
功能可使主机系
统暂停在一个给定的扇区分配给一个程序的操作
阅读任何其他部门,然后完成程序
操作。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进度和复位器件,在这之后是再
准备好一个新的操作。在RESET #引脚可
绑在系统复位电路。系统复位会
因而也使器件复位,从而使主机系统
读取来自闪存设备引导固件。
该装置降低了功耗,在
待机模式
它检测到特定的电压电平,当
在CE #和RESET # ,或者当地址已经
稳定为指定的时间周期。
SecSi (安全硅)行业
提供
128双/ 256字区域代码或数据的
可以永久地保护。一旦这个部门是亲
tected ,行业内没有进一步的变化可能发生。
写保护( WP # / ACC )
功能保护
通过产生一个逻辑低电平的WP #第一个或最后一个扇区
引脚。
Spansion公司的MirrorBit
TM
闪存技术结合多年
闪存制造经验,以亲
达斯的质量,可靠性和成本的最高水平
有效性。该装置电擦除所有位
通过热空穴同时一个部门内协助
抹去。的数据是使用热电子编程IN-
被拒绝。
相关文档
有关的MirrorBit的精良的综合信息
UCTS ,包括移民信息,数据表, AP-
折叠术的注意事项,以及软件驱动程序,请参阅
www.amd.com
FL灰内存
产品信息
的MirrorBit
闪存信息
技术文件
心理状态。
下面是文件的部分列表
与之密切相关的产品:
的MirrorBit 闪存的写入缓冲区编程
和页面缓冲器读
落实镜面Spansion公司共同布局
位和英特尔StrataFlash闪存设备
从单字节迁移到三字节设备ID
2
S70GL256M00
2006年S70GL256M00_00_A1 10月31日,
D A T A
中文ê (E T)
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
特殊包装处理说明.................................... 6
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
x16模式................................................ .................................. 7
X32模式................................................ .................................. 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1.设备总线操作............................................ ........... 9
芯片擦除命令序列........................................... 32
扇区擦除命令序列........................................ 32
图7.擦除操作............................................. ................. 33
擦除暂停/删除恢复命令........................... 33
命令定义................................................ ............. 34
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
DQ7和DQ5 :数据#投票........................................... ....... 36
图8.数据#轮询算法........................................... ....... 36
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 37
DQ6和DQ14 :翻转位我........................................... ...... 37
图9.切换位算法............................................ ............ 38
字/字节配置.............................................. ............ 9
VersatileIO
TM
(V
IO
)控制................................................ ........ 9
对于读阵列数据要求................................... 10
页面模式读取............................................... ............................. 10
写命令/命令序列............................ 10
写缓冲器................................................ ..................................... 10
加快程序运行............................................... ....... 10
自选功能................................................ ....................... 10
DQ2和DQ10 :翻转位II ........................................... ..... 38
阅读切换位DQ6和DQ14 / DQ2和DQ10 ............ 38
DQ5和DQ13 :超出时序限制............................... 39
DQ3和DQ11 :扇区擦除定时器...................................... 39
DQ1 :写入到缓冲区中止.......................................... ........... 40
表12.写操作状态............................................ ....... 40
图10.最大负过冲波形.................... 41
图11.最大正向超调波形...................... 41
待机模式................................................ ........................ 10
自动休眠模式............................................... ............ 11
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 11
输出禁止模式............................................... ............... 11
表2扇区地址表............................................ ............ 12
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
图12.测试设置............................................. ........................ 43
表13.测试规范............................................. ............ 43
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
图13.输入波形和
测量级别................................................ ...................... 43
自选模式................................................ ..................... 18
表3.自动选择码, (高压法) ....................... 18
行业组保护和unprotection的............................. 19
表4.部门组保护/ unprotection的地址表..... 19
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
只读操作.............................................. .............. 44
图14.读操作时序............................................ ... 44
图15.页读时序............................................ .......... 45
写保护( WP # ) ............................................ .................... 20
临时机构集团撤消....................................... 20
图1.临时机构集团撤消操作................ 20
图2.在系统集团部门保护/撤消算法... 21
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 46
图16.复位时序............................................. .................. 46
SecSi (安全硅)部门闪存区.......... 22
表5. SecSi行业目录............................................ .......... 22
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 23
擦除和编程操作.............................................. 47
图17.编程操作时序.......................................... 48
图18.加速程序时序图.......................... 48
图19.芯片/扇区擦除操作时序.......................... 49
图20.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。 50
图21.触发位计时(在嵌入式算法) ...... 51
图22. DQ2与DQ6 ........................................... ...................... 51
硬件数据保护............................................... ....... 23
低VCC写禁止.............................................. ....................... 23
写脉冲“毛刺”保护............................................ ............ 23
逻辑禁止................................................ .................................. 23
上电写禁止............................................. ....................... 23
临时机构撤消............................................... ... 52
图23.临时机构集团撤消时序图... 52
图24.类别组保护和撤消时序图.. 53
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 23
读阵列数据............................................... ................. 27
复位命令................................................ ..................... 27
自选命令序列............................................ 27
进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 28
双/ Word程序命令序列................. 28
解锁绕道命令序列.............................................. 28
写缓冲区编程............................................... ................ 28
加快程序................................................ ...................... 29
图4.写缓冲器编程操作............................... 30
图5.程序操作............................................. ............. 31
备用CE #控制的擦除和编程操作..... 54
图25.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ ............................... 55
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。 56
引脚TSOP和BGA封装电容。 。 。 。 。 56
LSB080-80 - ball加固球栅阵列( BGA强化)
13 ×11毫米包装............................................. ................. 57
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
程序挂起/恢复程序命令序列... 31
图6.程序挂起/恢复计划............................... 32
2006年10月31日S70GL256M00_00_A1
S70GL256M00
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    S70GL256M00FFIIRB0
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    -
    终端采购配单精选

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    电话:18922805453
    联系人:连
    地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

    S70GL256M00FFIIRB0
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    终端采购配单精选

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