S70GL -P的MirrorBit

TM

FL灰

S70GL02GP

2千兆， 3.0伏只页面模式闪存特色

90纳米的MirrorBit工艺技术

数据表

（高级信息）

S70GL -P的MirrorBit

TM

闪光封面

请注意，以读者：

本文件包含有关正在开发中的一个或多个产品信息

Spansion公司的信息旨在帮助您评估该产品。在做这个产品没有设计

无需联系工厂。 Spansion公司保留随时更改或终止对这个作品的权利

恕不另行通知建议的产品。

公开号

S70GL-P_00

调整

01

发行日期

2006年12月4日

数据

片

（ Advan CE

Infor的米TIO N ）

请注意在数据表牌号

Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步的名称，提醒读者

产品信息或意图规范整个产品生命周期，包括研发，

资质，初始生产，并全面投入生产。在所有的情况下，但是，我们鼓励读者以验证

他们有他们的定稿之前的设计的最新信息。 Spansion公司的数据下面的说明

表名称使用这里介绍要突出自己的存在和定义。

超前信息

的超前信息指定表示Spansion公司正在开发的一个或多个特定

产品，但并没有承诺任何设计到生产。呈现在文档中使用这些信息

指定有可能发生改变，并且在某些情况下，开发的产品可中止。 Spansion公司

因此，公司应放置超前信息内容如下条件：

“本文件包含有关正在开发Spansion公司的一个或多个产品信息

该信息旨在帮助您评估该产品。本产品无不要设计

联系工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作

产品，恕不另行通知。 “

初步

预指定表示该产品的开发已取得进展，使得一个承诺

生产已经发生。该标识包含几个方面的产品生命周期，包括

产品合格，最初的生产，并且在发生的制造过程中的后续阶段

之前满负荷生产的实现。更改技术规格的初步介绍

文件应同时保持生产这些方面正在考虑的期望。 Spansion公司

放置后，初步含量满足以下条件：

“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范（ S）

本文中所描述。本文件的初步情况显示，产品合格已

完成，而且最初的生产已经开始。由于制造过程中的各个阶段那

需要维护的效率和质量，这个文件可以通过后续版本或修订

修改由于改变了技术规范。 “

组合

有些数据表包含的产品具有不同的名称的组合（超前信息，

初步或全部生产） 。这种类型的文件区分这些产品和它们的名称

在必要时，通常第一个页面时，订购信息页面，页面与DC

特性表和AC擦除和编程表（表中的说明） 。第一个免责声明

页面是指读者在此页上的通知。

满负荷生产（在文件没有指定）

当产品已经生产了一段时间，使得不改变或仅标称变化

预计，初步指定从数据表中删除。标称变化可能包括

那些影响订货可用的部件号，诸如速度的增加或删除的数量

选项，使用温度范围，封装类型，或V

IO

范围内。变化也可能包括那些需要澄清

说明或者纠正拼写错误或不正确的规范。 Spansion公司采用以下

条件，这一类材料：

“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范（ S）

本文中所描述。 Spansion公司认为该产品已足够生产量等

本文档的后续版本预计不会改变。但是，印刷或者

规格更正或修改提供可能发生的有效组合。 “

有关这些文件名称的问题，可向当地的销售办事处。

ii

S70GL -P的MirrorBit

TM

FL灰

2006年S70GL - P_00_01 12月4日，

S70GL -P的MirrorBit

TM

快闪族

S70GL02GP

2千兆， 3.0伏只页面模式闪存特色

90纳米的MirrorBit工艺技术

数据表

（高级信息）

概述

Spansion公司S70GL02GP 2个千兆的MirrorBit 闪存设备制造90纳米制程技术。该装置

提供25 ns的快速页面存取时间为120 ns的相应随机存取时间。它具有一个写缓冲器的

允许最大为32字/ 64字节到在一个操作中被编程，从而导致更快的有效编程时间比

标准的编程算法。这使得设备的理想产品为当今的嵌入式应用要求

更高的密度，更好的性能和更低的功耗。

特色鲜明

两个1024兆位（ S29GL01GP ）在一个单一的64球Fortified-

BGA封装

（见出版物S29GL - P_00全

特定网络阳离子）

单3V读/编程/擦除（ 2.7-3.6 V）

增强VersatileI / O 控制

- 所有的输入电平（地址，控制和DQ的输入电平）和输出

通过电压V确定

IO

输入。 V

IO

范围为1.65至V

CC

提供套餐

- 64 - ball加固BGA

暂停和恢复的编程和擦除命令

操作

写操作状态位指示编程和擦除

操作完成

解锁绕道程序命令，以减少编程

时间

支持CFI （通用闪存接口）

高级行业持续和密码的方法

保护

WP ＃ / ACC输入

- 加速编程时间（当V

加

应用）更大

系统在生产过程中产量

- 保护每一个或最后一个扇区死，无论行业

保护设置

90纳米的MirrorBit工艺技术

8字/ 16字节的页面读取缓冲区

32字/ 64字节的写缓冲降低了总体规划

时间多字的更新

安全硅行业区域

- 128字/ 256字节扇区永久，安全识别

通过一个8字/ 16字节的随机电子序列号

- 可以编程并锁定在工厂或由客户

统一64Kword / 128K字节，部门架构

- S70GL02GP ：二零四八年行业

硬件复位输入（ RESET ＃ ）复位装置

就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）检测编程或擦除

周期结束

每个部门的典型100,000次擦除周期

20年的数据保存典型

性能特点

马克斯。读取访问时间（纳秒） *

2 GB

参数

随机存取时间（叔

加

)

页面访问时间（t

PACC

)

CE＃访问时间（t

CE

)

OE ＃访问时间（t

OE

)

V1

110

25

110

25

V2

120

25

120

25

V3

130

25

130

30

节目&擦除时间（典型值）

单字编程

有效的写缓冲器编程（V

CC

）每字

有效的写缓冲器编程（V

加

）每字

扇区擦除时间（ 64千字部门）

60 s

15 s

15 s

0.5 s

电流消耗（典型值）

随机访问读

8字的页面阅读

编程/擦除

待机

30毫安

1毫安

50毫安

1 A

*访问时间取决于V

CC

和V

IO

工作范围。看

订购

信息

页面了解更多详情。

V1: V

CC

= 3.0–3.6 V. V2: V

CC

= V

IO

= 2.7–3.6 V.

V3: V

IO

= 1.65–V

CC

, V

CC

= 3 V.

**联系销售代表的可用性。

公开号

S70GL-P_00

调整

01

发行日期

2006年12月4日

本文件包含有关正在开发中的一个或多个产品在Spansion公司的信息旨在帮助您评估该产品的信息。请不要在设计

该产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作，恕不另行通知。

数据

片

（ Advan CE

Infor的米TIO N ）

目录

概述

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

特色鲜明

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

性能特点

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

目录

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

图列表

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

表格清单

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

1.

2.

订购信息

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

1.1

推荐组合。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3

输入/输出说明&逻辑符号

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

2.1

特殊处理的说明BGA封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

2.2

LSE064-64 ball加固球栅阵列， 13 ×11毫米。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

存储器映射

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

自选

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

擦除和编程性能。

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

BGA封装电容

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

通用闪存接口。

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

修订概要

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

3.

4.

5.

6.

7.

8.

图列表

图2.1

图2.2

64 - ball加固球栅阵列。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

LSE064-64 - ball加固球栅阵列（ FBGA ） ， 13 ×11毫米。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.6

表格清单

表2.1

表3.1

表4.1

表5.1

表7.1

表7.2

表7.3

表7.4

输入/输出说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.4

S70GL02GP部门&内存地址映射。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.7

在系统自动选择地址。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.7

擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.7

CFI查询标识字符串。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9

系统接口字符串。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.10

设备几何定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.10

主要的供应商特定的扩展查询。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.11

2

S70GL -P的MirrorBit

TM

快闪族

2006年S70GL - P_00_01 12月4日，

AT A

S熙吨

（ ADVA NCE

在对M通报BULLETIN ）

1.

订购信息

订货编号由下一个有效的组合形成：

10

F

A

I

01

0

包装类型

0 =纸盒（标准;见

（注1 ）

2 = 7 “卷带

3 = 13 “的磁带和卷轴

型号（V

IO

范围，保护，当WP ＃ = V

IL

)

01 = V

IO

= V

CC

= 2.7 3.6 V ，最高地址部门保护

02 = V

IO

= V

CC

= 2.7 3.6 V ，最低地址部门保护

V1 = V

IO

= 1.65 V

CC

, V

CC

= 2.7 3.6 V ，最高地址部门保护

V2 = V

IO

= 1.65 V

CC

, V

CC

= 2.7 3.6 V ，最低地址部门保护

R1 = V

IO

= V

CC

= 3.0 3.6 V ，最高地址部门保护

R2 = V

IO

= V

CC

= 3.0 3.6 V ，最低地址部门保护

温度范围

I =工业级（ -40

°

C至+ 85

°

C)

包装材料套装

A =铅

（注3）

F =无铅

套餐类型

F =强化剂球栅阵列，1.0 mm间距封装

速度选项

11 = 110纳秒

12 = 120纳秒

13 = 130纳秒

设备号/说明

S70GL02GP

3.0伏只， 2048兆位（ 256一M× 16位/ 512 M ×8位）页面模式闪存

90纳米的MirrorBit制造

TM

工艺技术

S70GL02GP

S70GL02GP有效组合

基本零件编号

速度快（纳秒）

11

S70GL02GP

12

13

笔记

1.类型0是标准配置。根据需要指定其他选项。

2. BGA封装标识遗漏领先的“ S70 ”，并从订购部件号包装型标志。

3.联系当地销售代表的可用性。

固定资产投资， FFI

（注3）

包装&

温度

型号

R1, R2

01

（注3） ，

02

V1

（注3） ，

V2

0, 2, 3

（注1 ）

LSE064 （加固BGA ）

（注2 ）

包型

包装说明

1.1

推荐组合

推荐组合列表配置计划中的音量此设备支持。请教

您当地的销售办事处，以确认具体的可用性建议组合和新的检查

发布组合。

2006年12月4日S70GL - P_00_01

S70GL -P的MirrorBit

TM

快闪族

3