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S70GL01GN00的MirrorBit 闪存

1024兆位，

3.0伏只页面模式闪存特色

110纳米的MirrorBit 工艺技术

数据表

ADVANCE

信息

请注意，以读者：

进展情况的信息表明，该

文档包含正在开发一个或多个产品信息

在Spansion公司。该信息旨在帮助您评估该产品。

本产品无需联系厂家不要设计。 Spansion公司

保留对本建议的产品修改权利或停止工作

恕不另行通知。

公开号

S70GL01GN00_00

调整

修订

发行日期

2005年6月1日

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

请注意在数据表牌号

Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步指示来提醒

产品信息在整个产品生命周期的读者或意图规范，在 -

cluding开发，认证，初期生产，满负荷生产。在所有的情况下，但是，

我们鼓励读者以验证它们是否有最新的信息，最终确定自己的DE-前

签收。 Spansion的数据表名称的下面说明在此呈现给高亮

点燃他们的存在和定义。

超前信息

事前信息认证表明Spansion公司正在开发一个或更有针对性

cific产品，但并没有承诺任何设计到生产。在doc-提供的信息

输稿带，该名称是可能发生变化，并且在某些情况下，开发产品上

可能会中止。因此， Spansion公司在推进信息放置在下列条件

化的内容：

“本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该

信息旨在帮助您评估该产品。本产品不CON-不要设计

tacting工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作

产品，恕不另行通知。 “

初步

预指定表示该产品的开发已取得进展，使得一

致力于生产已经发生。此指定涵盖在本产品的几个方面

UCT生命周期，包括产品合格，初始生产，并在随后的阶段

满负荷生产达到之前发生的制造工艺。更改技术

在初步号文件提出要规范，同时保持这些AS-预期

生产正在考虑pects 。飞索款规定Prelimi-下列条件

进制内容：

“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品（第）描述

在本文中。本文件的初步情况显示，产品合格已经完成，

而且最初的生产已经开始。由于在制造过程中，需要相

保持效率和质量，这个文件可以通过后续的版本或modifica-修改

由于系统蒸发散变化的技术规范“。

组合

有些数据表包含的产品具有不同的名称（组合提前在 -

形成初步或全部生产）。这种类型的文件将区分这些产品

和它们的名称在必要时，通常在第一页，订货信息

页面，并与DC特性表和AC擦除和编程表页（表

注释）。在第一页的免责声明是指读者在此页上的通知。

满负荷生产（在文件没有指定）

当产品已经生产了一段时间，使得不改变或仅标称

改变预期，初步指定从数据表中删除。公称

变化可以包括那些影响订货可用的部件号，如数量

另外的一个速度的选择，温度范围，包类型，或V或缺失

范围内。变化

也包括那些需要澄清说明或纠正拼写错误或新断路器

RECT规范。 Spansion公司采用下列条件这一类的文件：

“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品（第）描述

在本文中。 Spansion公司认为该产品已经在足够的生产量，这样子

本文档的序贯版本预计不会改变。但是，印刷或者规格

更正或修改提供可能发生的有效组合。 “

有关这些文件名称的问题，可向当地的AMD或富士通

销售网络的CE 。

S70GL01GN00的MirrorBit 闪存

2005 S70GL01GN00_00_A1 6月1日

S70GL01GN00的MirrorBit

FL灰

1024兆位，

3.0伏只页面模式闪存特色

110纳米的MirrorBit 工艺技术

数据表

ADVANCE

信息

特色鲜明

架构优势

两个512兆比特（ S29GL512N ）在一个单一的64球

强化- BGA封装

两个芯片使能引脚

- 两个CE＃引脚来控制选择的每个内部的

S29GL512N设备

单电源工作

- 3伏读取，擦除和编程操作

在110纳米的MirrorBit工艺制造

技术

安全硅行业区域

- 128字/ 256字节扇区永久的，安全的

通过一个8字/ 16字节的随机identi网络阳离子

电子序列号，通过一个可访问

命令序列

灵活的部门架构

- 每个内部S29GL512N设备有五个hundred-

12 64Kword （ 128K字节）部门

与JEDEC标准兼容

- 提供单引脚排列和软件的兼容性

电源闪光灯，和优越的意外写

保护

每个部门的典型100,000次擦除周期

20年的数据保存典型

- 16字/ 32字节的写缓冲整体减少

编程时间多字的更新

低功耗（ 3.0 V典型值， 5

兆赫）

- 40 mA典型有效的读电流;

- 80 mA典型的擦除/编程电流

- 1 μA典型待机模式电流

封装选项

- 64 - ball加固BGA

软件&硬件功能

软件特点

- 程序挂起和恢复：读取其他行业

编程操作完成之前

- 擦除挂起和恢复：读/程序等

擦除操作之前，扇区结束

- 数据＃投票和切换位提供状态

- 解锁绕道程序命令的整体降低

多字编程时间

- CFI （通用闪存接口）兼容：允许主机

系统识别并容纳多个闪光灯

器件

硬件特性

- 高级扇区保护

- WP ＃ / ACC输入加速编程时间

（高施加电压时）更大的吞吐量

在系统的生产。保护第一个或最后一个扇区

不管扇区保护设置

- 硬件复位输入（ RESET ＃）复位装置

- 就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃）检测程序或

擦除周期结束

性能特点

高性能

- 110纳秒（ S29GL512N ）

- 8字/ 16字节读出页缓冲器

- 25 ns的页读取时间

公开号

S70GL01GN00_00

调整

修订

发行日期

2005年6月1日

本文件包含有关正在开发的产品在Spansion LLC的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。 Spansion公司

保留对本建议的产品更改或停止工作，恕不另行通知。

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

概述

该S70GL01GN00是1024兆，单电源闪存设备或 -

ganized两个S29GL512N死在一个64 - ball加固- BGA封装。每

S29GL512N芯片是512兆，组织为33554432字或67108864个字节。

该器件具有一个16位宽的数据总线，也可以作为一个8位宽的

通过使用字节＃输入数据总线。该设备可以被编程或者在

主机系统或标准EPROM编程器。

存取时间快110纳秒可用。请注意，每个存取时间具有spe-

cific的工作电压范围（Ⅴ

）和一个I / O电压范围（Ⅴ

），作为指定

在

产品选择指南，第5页

和

订货信息，对

第9页。

该器件采用56引脚TSOP和64 - ball加固BGA封装

年龄。每台设备都有单独的芯片使能（ CE ＃或CE2 ＃），写使能（ WE＃）

和输出使能（ OE ＃）控制。

只有每个设备都需要

单3.0伏电源

用于读取和

写功能。除了为V

输入，高电压

加速计划

（ WP ＃ / ACC ）

输入通过提高电流提供了更短的编程时间

租。该功能的目的是系统中便于工厂产能

生产，但也可在该领域需要时可以使用。

这些器件完全指令集的兼容

JEDEC单

电源闪存标准。

命令使用写入设备

标准的微处理器写时序。写周期内部也锁存地址

和所需的编程数据和擦除操作。

该

扇区擦除架构

允许存储扇区被擦除和重现

编程，而不会影响其他部门的数据内容。该装置是完全

从工厂发货时被擦除。

器件编程和擦除是通过命令序列启动。

一旦编程或擦除操作开始时，主机系统只需要轮询DQ7

（数据＃查询）或DQ6 （切换）

状态位

或监控

就绪/忙＃（ RY /

BY ＃）

输出，以确定操作是否已经完成。为了方便亲

编程中，

解锁绕道

模式减少了命令序列开销

只需要两个写周期编程数据，而不是四个。

硬件数据保护

措施包括低V

探测器automat-

ically在电源转换禁止写操作。

持久性行业

保护

提供系统，指挥功能保护任意组合的

用在V单电源供电部门化

密码扇区保护

防止未经授权的写入和部门的任意组合擦除操作

通过用户定义的64位的密码。

该

擦除暂停/删除恢复

功能允许主机系统暂停

擦除操作中的一个给定扇区中读取或编程的任何其他扇区，然后

完成擦除操作。该

程序挂起/恢复计划

为特色的

TURE使主机系统暂停在一个给定的扇区分配给一个程序的操作

阅读任何其他部门，然后完成程序操作。

该

硬件RESET ＃引脚

终止正在进行的任何操作，并复位

装置，在这之后就准备好用于新的操作。在RESET ＃引脚可

绑在系统复位电路。系统复位将因此还重新设置设备，

使主机系统可以从闪存中读出引导固件

装置。

S70GL01GN00的MirrorBit

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2005 S70GL01GN00_00_A1 6月1日

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

该装置降低了功耗，在

待机模式

当它检测到

特定的电压电平上，CE＃和RESET＃，或当地址是稳定的

指定时间。

该

安全硅行业

提供了一个128字/ 256字节的区域代码或

可以永久地保护数据。一旦这个行业是受保护的，没有进一步

行业内的变化可能发生。

该

写保护（ WP ＃ / ACC ）

功能保护通过AS-的第一个或最后一个扇区

serting逻辑低的WP ＃引脚。

的MirrorBit闪存技术，结合多年的闪存制造expe-

磨练产生的质量，可靠性和成本效益最高的水平。

该设备通过电气热空穴同时擦除一个扇区内的所有位

协助擦除。的数据是使用热电子注入编程。

2005年6月1日S70GL01GN00_00_A1

S70GL01GN00的MirrorBit

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