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半导体
S6503P
功率因数收藏家
描述
它是适应于操作的间断模式，该S6503P是高级PFC（功率因数
校正）控制器的高密度开关电源和电子镇流器系统。
在内部启动电路的体积庞大的外部部件被消除，虽然它是取入
独立的升压转换器的操作。是什么，而不是外部组件越多，中，低
通滤波器安装在内部电流检测模块。误差放大器的内部钳位和
乘法器的输出提高反过来又对超调特性以及电流限制。的特点之一是
能够防止异常情况，开灯&过电压。
特点
非常精确的可调输出过压保护（动态&静态OVP功能）
超低启动电流
低工作电源电流
内部启动定时器
功率因数Maximizer的&总谐波失真极小电路
完整的宽工作电压范围
反馈开路保护
最小开机定时器
电流检测滤波器片上
禁用功能
的程度非常小的外部元件数量的高速响应时间
应用
开关模式电源（ SMPS ）
电子镇流器
订购信息
型号
S6503P
记号
S6503P
封装代码
DIP - 8
包装外形
KSD-I1E004-000
1
S6503P
框图
引脚说明
No
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
INV
COMP
MULT
CS
ZCD
GND
OUT
VCC
I / O
I
O
I
I
I
-
O
-
描述
误差放大器的反相输入
误差放大器的输出
乘法器输入
电流检测输入
零电流检测
地
图腾柱输出
电源电压
KSD-I1E004-000
2
S6503P
绝对最大额定值
特征
最大电源电压
输出峰值电流
模拟输入&输出（引脚1,2,3,4,5 ）
ZCD输入最大电流
功耗
工作结温
储存温度
符号
V
CCmax
I
PEAK
V
INMAX
I
ZCD
P
DMAX
T
j
T
英镑
价值
27
±500
-0.3 ~ 7
±10
600
-35 ~ 150
-55 ~ 150
单位
V
V
½
℃
℃
电气特性
（大= -25 ℃至125℃ ，
V
CC
= 14V ，除非另有规定）。
特征
V
CC
导通阈值
V
CC
关断阈值
滞后电压
启动电流
静态电流
工作电源电流
工作电流OVP
工作电流关闭
误差放大器部分
输入电压
线路调整
输入偏置电流
开环增益
增益带宽
输出源电流
输出灌电流
上钳位电压
低钳位电压
反馈开路保护
阈值电压
符号
V
CC （ON）的
V
CC （OFF）的
HYS
I
ST
I
Q
I
CC
I
CC- OVP
I
CC_DIS
测试条件
V
CC
增加
V
CC
减少
分钟。
11
8.7
2
典型值。
12
9.5
2.5
40
4
5
2
2
MAX 。 UNIT
13
10.3
3
70
6
8
4
4
V
V
V
电源电压&当前章节
在导通论
无开关
C
L
= 1nF的，女
sw
=50KHz
V
INV
=2.7V
V
ZCD
<150mV
20
1
2
0.5
0.5
V
INV
dV
INV
I
INV
Av
GB
I
来源
I
SINK
V
上
V
低
V
fo
Ta=25℃
V
CC
=12 ~27V
2.465
-
-0.5
60
-
2.5
0.1
-0.1
80
1
-4
5
5.6
2.25
200
2.535
5
0.5
-
-
-
-
-
-
250
V
V
V
V
COMP
=4V,V
INV
=2.4V
V
COMP
=4V,V
INV
=2.6V
I
O
=-100uA,V
INV
=2.4V
I
O
=为100uA ，V
INV
=2.6V
V
INV
减少
-2
3
-
-
150
KSD-I1E004-000
3
S6503P
电气特性（续）
（大= -25 ℃至125℃ ，
V
CC
= 14V ，除非另有规定）。
特征
乘数节
线性工作电压
输出最大坡度
Mltiplier增益
电流检测（ CS ）第
参考钳位电压
输入偏置电流
延迟输出
符号
测试条件
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
VMULT
dV
CS
/ DV
MULT
K
V
MULT
= 0.5 ~ 0.9V,
V
COMP
=上夹
TA = 25 ℃ ，V
MULT
=1V
V
COMP
=3.5V
2.8
1.3
0.5
3.2
1.5
0.65
-
1.7
0.75
V
V/V
1/V
V
CS
I
CS
T
D（ H-L ）
V
MULT
=2.5V,
V
COMP
=上钳
V
CS
= 0 ~ 1.6V
1.65
-0.5
-
1.75
-0.1
200
1.85
0.5
-
V
零电流检测（ ZCD ）第
输入阈值电压
滞后电压
上钳位电压
低钳位电压
输入偏置电流
源出电流
灌电流
禁止输入电压
禁用后的复位电流
重新启动定时器科
重启时间延迟
t
RST
70
130
300
V
ZCD
HY （ ZCD ）
V
CLAMP （H
)
V
CLAMP （L
)
I
ZCD
I
SOURCE （ ZCD ）
I
SINK （ ZCD ）
V
DIS
I
DIS
V
ZCD
减少
5脚= 0V
I
ZCD
= 3毫安
I
ZCD
= -3mA
V
ZCD
= 1 ~ 3V
V
ZCD
增加
1.8
-
48
0.3
-
-3
3
150
-30
2.1
0.5
5.4
0.6
1
-
-
200
-80
2.4
-
6
-
-
-
-
250
-
V
V
V
V
KSD-I1E004-000
4
S6503P
电气特性（续）
（大= -25 ℃至125℃ ，
的Vcc = 14V ，除非另有规定）。
特征
输出部分
输出高电压
最大电压
输出低电压
输出电压
UVLO激活
最小导通时间
输出上升时间
输出下降时间
符号
测试条件
I
O
=-10mA
I
O
=-100mA
V
CC
= 20V ，我
o
=-1mA
I
O
=10mA
I
O
=100mA
I
O
=1mA
分钟。
10.5
10
11
-
-
-
-
典型值。
11.5
11
13
0.1
1.2
-
150
50
50
MAX 。 UNIT
12.5
12
15
1
2.5
1
1
-
-
V
V
V
V
V
V
V
OH
V
OMAX
V
OL
V
O（ UV）
T
开（分钟）
t
r
t
f
C
L
= 1nF的
C
L
= 1nF的
-
-
过电压保护（ OVP ）第
动态OVP电流
动态OVP电流
迟滞
静态OVP阈值电压
I
OVP
I
OVP （ HYS ）
V
OVP
V
INV
= 2.7V
35
-
2.1
40
30
2.25
45
-
2.4
V
KSD-I1E004-000
5
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