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TECCOR
品牌晶闸管
可控硅整流器器
Sx02xS EV系列1.5安培敏感SCR
描述
新1.5Amp敏感栅可控硅系列提供高静
的dv / dt通过小型模具的平面低关断时间( TQ )
施工图设计。所有SCR的路口是玻璃 -
钝化,以确保长期的可靠性和参数
稳定。
特点
贴装封装
能力> 15安培
价值
1.5
400至600
200
单位
A
V
μA
时间( TQ ) < 35微秒。
微处理器接口
主要特点
符号
I
T( RMS )
V
DRM
/ V
RRM
I
GT
(V
DRM
/ V
RRM
)
能力 - 高达600V
原理图符号
A
应用
该Sx02xS EV系列具体来说专为天然气
需要高脉冲浪涌电流引燃的应用
能力。
G
K
绝对最大额定值
符号
I
T( RMS )
I
T( AV )
RMS通态电流
(全正弦波)
平均通态电流
不重复浪涌峰值通态电流
(单周期,T
J
初始= 25 ° C)
参数
TO-92
SOT-223
TO-92
SOT-223
TO-92
SOT-223
t
p
= 10毫秒
t
p
= 8.3毫秒
的di / dt
I
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
J
通态电流IG = 10mA电流临界上升率
栅极峰值电流
平均门功耗
存储结温范围
工作结温范围
TO-92
SOT-223
t
p
= 10 μs
T
C
= 65°C
T
L
= 95°C
T
C
= 65°C
T
C
= 95°C
F = 50赫兹
F = 60赫兹
F = 50赫兹
F = 60赫兹
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
价值
1.5
0.95
12.5
A
15.0
0.78
A
2
s
0.93
50
1.0
0.1
-40至150
°C
-40至125
A / μs的
A
W
单位
A
A
I
TSM
I
2
t
I
2
为融合吨价
Sx02xS EV系列1.5安培敏感可控硅
190
大功率晶闸管数据手册
www.littelfuse.com
2008 Littelfuse的
TECCOR
品牌晶闸管
可控硅整流器器
电气特性
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
符号
I
GT
V
GT
V
GRM
I
H
描述
直流门极触发电流
直流门极触发电压
峰值反向栅极电压
保持电流
爆击率-OF-崛起
断态电压
测试条件
V
D
= 12V
R
L
= 60 Ω
I
RG
= 10μA
R
GK
= 1 kΩ
T
J
= 125°C
V
D
= V
DRM
/ V
RRM
指数波形
R
GK
= 1 kΩ
T
J
= 125°C @ 600 V
R
GK
= 1 kΩ
I
G
= 10毫安
PW = 15微秒
I
T
= 3.0A ( PK)
Sx02xS
15
5
最大
200
0.8
5
单位
μA
V
V
mA
( dv / dt的)■
25
V / μs的
t
q
t
gt
打开-O FF时间
35
μs
开启时间
3
μs
静态特性
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
符号
V
TM
描述
峰值通态电压
测试条件
I
TM
= 3.0A ( PK)
T
J
= 25°C @ V
D
= V
DRM
R
GK
= 1 kΩ
T
J
= 125°C @ V
D
= V
DRM
R
GK
= 1 kΩ
价值
最大
1.70
5
500
单位
V
μA
μA
I
DRM
断态电流,峰值重复
热阻
符号
R
日(J -C )
描述
结到外壳( AC)
测试条件
I
T
= 1.5A
(RMS)1
TO-92
SOT-223
TO-92
SOT-223
价值
50
° C / W
25
160
° C / W
60
单位
R
号(j -a)的
1
结到环境
I
T
= 1.5A
(RMS)1
60Hz的交流电阻性负载条件下, 100%的导通。
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2008 Littelfuse的
191
大功率晶闸管数据手册
Sx02xS EV系列1.5安培敏感可控硅
TECCOR
品牌晶闸管
可控硅整流器器
图1 :归直流栅极触发电流
- 结温
2.5
图2 :归DC控股电流
- 结温
2.0
归一化门:触发电流
I
GT
@ T
j
/ I
GT
@ 25C
2.0
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0.0
0.0
-40
-25
-10
+5
+20
+35
+50
+65
+80
+95 +110 +125
-40
-25
-10
+5
+20
+35
+50
+65
+80
+95
+110
+125
结温(T
J
) °C
图3 :归直流栅极触发电压
- 结温
图4 :功耗(典型值)
VS. RMS通态电流
1.5
平均功耗,P
D
(瓦特)
1.5
电流波形:正弦
负载:阻性或感性
导通角: 180
o
归一化门:触发电压
(V
GT
@ T
j
/ V
GT
@ 25C)
1.0
1.0
0.5
0.5
-40
-25
-10
+5
+20
+35
+50
+65
+80
+95 +110 +125
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
结温(T
J
) °C
RMS通态电流[I
T( RMS )
] (安培)
图5 :最大允许外壳温度
与通态电流
130
最大允许外壳温度,T
C
(摄氏)
120
SOT-223
110
100
TO-92
90
80
70
60
50
0.0
0.5
1.0
1.5
电流波形:正弦
负载:阻性或感性
导通角: 180
o
外壳温度:测量
在三维图中所示
RMS通态电流[I
T( RMS )
] (安培)
Sx02xS EV系列1.5安培敏感可控硅
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可控硅整流器器
图6 :浪涌峰值通态电流与周期数
峰值浪涌(不重复)通态电流
(I
TSM
) - 安培。
电源频率: 60Hz的正弦
负载:阻性
RMS通态电流[I
T( RMS )
] :最大额定值时
特定网络C的温度
注意事项:
1.门控制可以在立即丢失
以下浪涌电流的时间间隔。
2.超载,不得重复进行,直到结
温度恢复到稳态额定值。
开发
20
15
12
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1.5 A
1
1
2
3
4
5 6 7 8 9 10
20
30
40
60 80 100
200
300 400 600
1000
浪涌电流持续时间 - 完整周期
焊接参数
再溢流条件
- 最低温度(T
秒(分钟)
)
前热火
- 最高温度(T
S( MAX)的
)
- 时间(最小至最大) (T
s
)
平均倾斜上升率(液相线温度)
(T
L
)峰
T
S( MAX)的
给T
L
- 升温速率
再溢流
- 温度(T
L
) (液相)
- 时间(最小至最大) (T
s
)
铅 - 免费装配
150°C
200°C
60 - 180秒
5 ° C /秒
5 ° C /秒
217°C
60 - 150秒
260
+0/-5
°C
20 - 40秒
5 ° C /秒
最多8分钟。
280°C
峰值温度(T
P
)
时间之内
5°C
实际峰
温度(T
p
)
下降斜率
时间25 ° C到峰值温度(T
P
)
不超过
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193
大功率晶闸管数据手册
Sx02xS EV系列1.5安培敏感可控硅
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可控硅整流器器
身体特定网络阳离子
终端完成
100 %雾锡电镀。
UL认可的环氧会议FL可燃性
分类科幻阳离子94V- 0 。
铜合金
环境特定网络阳离子
TEST
AC阻塞
说明和条件
MIL -STD - 750 , M- 1040 ,电导率一个应用
峰值AC电压在125 ℃下1008小时
MIL -STD - 750 , M- 1051 ,
100次; -40 ° C至+ 150°C ; 15分钟
停留时间
EIA / JEDEC , JESD22- A101
1008小时; 320V - 直流: 85°C ; 85 %
相对湿度
MIL -STD - 750 , M- 1031 ,
1008小时; 150℃
1008小时; -40°C
MIL -STD - 750 , M- 1056
10个循环; 0 ℃至100 ℃; 5分钟dwell-
时间在各温度下10秒(最大)
温度之间传输的时间
EIA / JEDEC , JESD22- A102
168小时( 121 ℃下以2的自动取款机),并
100 %R / H
MIL- STD- 750方法2031
ANSI / J- STD- 002 ,类别3 ,试验A
MIL -STD - 750 , M- 2036电导率é
温度循环
铅材料
温度/
湿度
设计注意事项
仔细选择正确的设备的应用程序的
运行参数和环境将很长的路要走
向延伸的所述晶闸管的运行寿命。良好
设计实践中应限制的最大连续
当前通过主终端设备的75%
投资评级。其他的方式来确保长寿命的功率分立
半导体是适当的散热和选择
额定电压为最坏的情况下。过热,
过电压(包括的dv / dt ) ,和浪涌电流
半导体的主要杀手。正确的安装,
焊接和引线的形成也有助于保护
对组件损坏。
高温存储
低温度贮藏
热冲击
高压灭菌器
焊锡热
可焊性
引脚弯曲
尺寸 - TO- 92
英寸
尺寸
A
0.175
0.170
C
D
E
F
G
H
I
J
0.500
0.135
0.125
0.080
0.016
0.045
0.095
0.015
典型值
0.165
0.095
0.050
0.100
最大
0.205
0.210
0.165
0.105
0.021
0.055
0.105
0.020
4.450
4.320
12.700
3.430
3.180
2.040
0.407
1.150
2.420
0.380
典型值
4.190
2.400
1.270
2.540
最大
5.200
5.330
4.190
2.660
0.533
1.390
2.660
0.500
MILLIMETERS
Sx02xS EV系列1.5安培敏感可控硅
194
大功率晶闸管数据手册
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2008 Littelfuse的
EV系列1.5安培敏感可控硅
TECCOR
品牌晶闸管
HF
Sx02xS系列
描述
新的1.5安培敏感栅可控硅系列提供高静
的dv / dt通过小型模具的平面低关断时间( TQ )
施工图设计。所有SCR的路口是玻璃 -
钝化,以确保长期的可靠性和参数
稳定。
特点
符合RoHS标准,
无卤
通孔和表面
贴装封装
高dv / dt噪声抗扰度
改进的关断
时间( TQ ) < 35微秒。
直接敏感栅
微处理器接口
主要特点
符号
I
T( RMS )
V
DRM
/ V
RRM
I
GT
价值
1.5
400至600
200
单位
A
V
A
- 浪涌
能力> 15安培
阻断电压
(V
DRM
/ V
RRM
)
能力 - 高达600V
原理图符号
A
应用
该Sx02xS EV系列具体来说专为天然气
需要高脉冲浪涌电流引燃的应用
能力。
G
K
绝对最大额定值
符号
I
T( RMS )
I
T( AV )
RMS通态电流
(全正弦波)
平均通态电流
不重复浪涌峰值通态电流
(单周期,T
J
初始= 25 ° C)
参数
TO-92
SOT-223
TO-92
SOT-223
TO-92
SOT-223
t
p
= 10毫秒
t
p
= 8.3毫秒
TO-92
SOT-223
t
p
= 10 μs
T
C
= 65°C
T
L
= 95°C
T
C
= 65°C
T
C
= 95°C
F = 50赫兹
F = 60赫兹
F = 50赫兹
F = 60赫兹
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
价值
1.5
0.95
12.5
15.0
0.78
0.93
50
1.0
0.1
-40至150
-40至125
2011 Littelfuse的,公司
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
请参考http://www.littelfuse.com的最新信息。
单位
A
A
I
TSM
A
I
2
t
的di / dt
I
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
J
Sx02xS系列
I
2
为融合吨价
通态电流IG = 10mA电流临界上升率
栅极峰值电流
平均门功耗
存储结温范围
工作结温范围
201
修订日期: 2011年6月21日下午4时14分
A
2
s
A / μs的
A
W
°C
°C
EV系列1.5安培敏感可控硅
TECCOR
品牌晶闸管
电气特性
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
符号
I
GT
V
GT
V
GRM
I
H
( dv / dt的)■
描述
直流门极触发电流
直流门极触发电压
峰值反向栅极电压
保持电流
爆击率-OF-崛起
断态电压
打开-O FF时间
开启时间
测试条件
V
D
= 12V
R
L
= 60 Ω
I
RG
= 10μA
R
GK
= 1 kΩ
T
J
= 125°C
V
D
= V
DRM
/ V
RRM
指数波形
R
GK
= 1 kΩ
T
J
= 125°C @ 600 V
R
GK
= 1 kΩ
I
G
= 10毫安
PW = 15微秒
I
T
= 3.0A ( PK)
Sx02xS
15
5
最大
200
0.8
5
单位
A
V
V
mA
25
V / μs的
t
q
t
gt
35
3
μs
μs
静态特性
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
符号
V
TM
描述
峰值通态电压
测试条件
I
TM
= 3.0A ( PK)
T
J
= 25°C @ V
D
= V
DRM
R
GK
= 1 kΩ
T
J
= 125°C @ V
D
= V
DRM
R
GK
= 1 kΩ
价值
最大
1.70
5
500
单位
V
μA
μA
I
DRM
断态电流,峰值重复
热阻
符号
R
日(J -C )
描述
结到外壳( AC)
测试条件
I
T
= 1.5A
(RMS)1
TO-92
SOT-223
TO-92
SOT-223
价值
50
25
160
60
单位
° C / W
R
号(j -a)的
1
结到环境
I
T
= 1.5A
(RMS)1
° C / W
60Hz的交流电阻性负载条件下, 100%的导通。
Sx02xS系列
202
修订日期: 2011年6月21日下午4时14分
2011 Littelfuse的,公司
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
请参考http://www.littelfuse.com的最新信息。
EV系列1.5安培敏感可控硅
TECCOR
品牌晶闸管
图1 :归直流栅极触发电流
- 结温
2.5
图2 :归DC控股电流
- 结温
2.0
归一化门:触发电流
I
GT
@ T
j
/ I
GT
@ 25C
归一化控股CURRENT
(I
H
@ T
J
/ I
H
@25∞C)
2.0
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0.0
-40
-25
-10
+5
+20
+35
+50
+65
+80
+95
+110
+125
0.0
-40
-25
-10
+5
+20
+35
+50
+65
+80
+95
+110
+125
结温(T
J
) °C
结温(T
J
) °C
图3 :归直流栅极触发电压
- 结温
1.5
图4 :功耗(典型值)
VS. RMS通态电流
1.5
平均功耗,P
D
(瓦特)
归一化门:触发电压
电流波形:正弦
负载:阻性或感性
导通角: 180
o
1.0
(V
GT
@ T
j
/ V
GT
@ 25C)
1.0
0.5
0.5
-40
-25
-10
+5
+20
+35
+50
+65
+80
+95
+110
+125
0.0
0.0
结温(T
J
) °C
RMS通态电流[I
T( RMS )
] (安培)
0.5
1.0
1.5
图5 :最大允许外壳温度
与通态电流
最大允许外壳温度,T
C
(摄氏)
130
120
SOT-223
110
100
TO-92
90
80
70
60
50
0.0
0.5
1.0
1.5
电流波形:正弦
负载:阻性或感性
导通角: 180
o
外壳温度:测量
在三维图中所示
RMS通态电流[I
T( RMS )
] (安培)
Sx02xS系列
203
修订日期: 2011年6月21日下午4时14分
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特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
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EV系列1.5安培敏感可控硅
TECCOR
品牌晶闸管
图6 :浪涌峰值通态电流与周期数
20
峰值浪涌(不重复)通态
电流(I
TSM
) - 安培。
15
12
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1.5
AD
EVIC
es
电源频率: 60Hz的正弦
负载:阻性
RMS通态电流[I
T( RMS )
] :最大额定值时
特定网络C的温度
注意事项:
1.门控制可以在立即丢失
以下浪涌电流的时间间隔。
2.超载,不得重复进行,直到结
温度恢复到稳态额定值。
1
1
2
3
4
5 6 7 8 9 10
20
30
40
60 80 100
200
300 400 600
1000
浪涌电流持续时间 - 完整周期
焊接参数
再溢流条件
- 最低温度(T
秒(分钟)
)
前热火
- 最高温度(T
S( MAX)的
)
- 时间(最小至最大) (T
s
)
平均倾斜上升率(液相线温度)
(T
L
)峰
T
S( MAX)的
给T
L
- 升温速率
回流
- 温度(T
L
) (液相)
- 时间(最小至最大) (T
s
)
铅 - 免费装配
T
P
温度
t
P
斜升
150°C
200°C
60 - 180秒
5 ° C /秒
5 ° C /秒
217°C
60 - 150秒
260
+0/-5
T
L
T
S( MAX)的
t
L
预热
斜坡-DO
减速
T
秒(分钟)
t
S
时间到峰值温度
25
时间
峰值温度(T
P
)
在5 ℃,实际峰值的时间
温度(T
p
)
下降斜率
时间25 ° C到峰值温度(T
P
)
不超过
°C
20 - 40秒
5 ° C /秒
最多8分钟。
280°C
Sx02xS系列
204
修订日期: 2011年6月21日下午4时14分
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特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
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TECCOR
品牌晶闸管
物理规格
终端完成
机身材质
铅材料
100 %雾锡电镀。
UL认证的环氧树脂阻燃会议
分类科幻阳离子94V- 0 。
铜合金
环境特定网络阳离子
TEST
AC阻塞
温度循环
温度/
湿度
规格和条件
MIL -STD - 750 , M- 1040 ,电导率一个应用
峰值AC电压在125 ℃下1008小时
MIL -STD - 750 , M- 1051 ,
100次; -40 ° C至+ 150°C ; 15分钟
停留时间
EIA / JEDEC , JESD22- A101
1008小时; 320V - 直流: 85°C ; 85 %
相对湿度
MIL -STD - 750 , M- 1031 ,
1008小时; 150℃
1008小时; -40°C
MIL -STD - 750 , M- 1056
10个循环; 0 ℃至100 ℃; 5分钟dwell-
时间在各温度下10秒(最大)
温度之间传输的时间
EIA / JEDEC , JESD22- A102
168小时( 121 ℃下以2的自动取款机),并
100 %R / H
MIL- STD- 750方法2031
ANSI / J- STD- 002 ,类别3 ,试验A
MIL -STD - 750 , M- 2036电导率é
设计注意事项
仔细选择正确的设备的应用程序的
运行参数和环境将很长的路要走
向延伸的所述晶闸管的运行寿命。良好
设计实践中应限制的最大连续
当前通过主终端设备的75%
投资评级。其他的方式来确保长寿命的功率分立
半导体是适当的散热和选择
额定电压为最坏的情况下。过热,
过电压(包括的dv / dt ) ,和浪涌电流
半导体的主要杀手。正确的安装,
焊接和引线的形成也有助于保护
对组件损坏。
高温存储
低温度贮藏
热冲击
高压灭菌器
焊锡热
可焊性
引脚弯曲
尺寸 - TO- 92 (E封装)
A
T
C
测量点
尺寸
A
B
英寸
0.175
0.170
0.500
0.135
0.125
0.080
0.016
0.045
0.095
0.015
0.165
0.105
0.021
0.055
0.105
0.020
最大
0.205
0.210
MILLIMETERS
4.450
4.320
12.70
3.430
3.180
2.040
0.407
1.150
2.420
0.380
4.190
2.660
0.533
1.390
2.660
0.500
最大
5.200
5.330
B
座位
飞机
C
D
C
E
F
G
阴极
H
I
D
阳极
G
H
I
J
F
F
E
J
Sx02xS系列
205
修订日期: 2011年6月21日下午4时14分
2011 Littelfuse的,公司
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
请参考http://www.littelfuse.com的最新信息。
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