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不适用于新的设计，这款产品将很快过时
S595T / S595TR / S595TRW
威世半导体
MOSMIC
电视调谐器预安排与5 V电源电压
2
1
评论
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
SOT143
特点
集成门极保护二极管
低噪声系数
e3
高增益
偏压片上网络
在增益减少，提高了交叉调制
高AGC范围
SMD封装
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
4
2
SOT143R
4
1
3
2
SOT343R
4
3
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
19216
应用
低噪声增益控制输入级UHF-和
VHF波段调谐器与5 V电源电压。
机械数据
典型值：
S595T
案例：
SOT -143塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
典型值：
S595TR
案例：
SOT- 143R塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
典型值：
S595TRW
案例：
SOT- 343R塑料外壳
重量：
约。 6.0毫克
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
C座
AGC
在RF
C座
G2
G1
S
D
RFC
V
DD
(V
DS
)
RF OUT
C座
94 9296
零件表
部分
S595T
S595TR
S595TRW
595
59R
W59
记号
SOT-143
SOT-143R
SOT-343R
包
文档编号85049
修订版1.7 ， 08 09月08
www.vishay.com
1
S595T / S595TR / S595TRW
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
DS
I
D
± I
G1/G2SM
± V
G1/G2SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
8
30
10
6
200
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
mA
V
mW
°C
°C
最大热阻
参数
通道环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
上玻璃纤维印刷电路板（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
μm
Cu
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
1号门 - 源极击穿
电压
2号门 - 源极击穿
电压
测试条件
符号
民
7
7
典型值。
最大
10
10
50
100
20
50
9
13
1.0
500
18
单位
V
V
μA
μA
nA
μA
mA
V
± I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G1SS
± I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G2SS
+ I
G1SS
- I
G1SS
± I
G2SS
I
DSS
I
DSP
V
G2S(OFF)
1号门 - 源极漏电流+ V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
- V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极漏电流±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
漏电流
自偏置工作电流
2号门 - 源截止电压
V
DS
= 5 V, V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
V
DS
= 5 V, V
G1S
= NC ，V
G2S
= 4 V
V
DS
= 5 V, V
G1S
= NC ，我
D
= 20
μA
注意事项1号门关断模式：
在1号门无需外部直流电压工作模式！
关机，在1号门与V
G1S
< 0.7 V是可行的。
采用集电极开路开关晶体管（ PLL内） ，将10 kΩ的集电极电阻。
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4 V，I
D
= I
DSP
， F = 1兆赫
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒，
F = 800 MHz的
测试条件
符号
|y
21s
|
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
17
民
28
典型值。
30
2.3
25
1.1
28
20
最大
35
2.7
单位
mS
pF
fF
pF
dB
dB
www.vishay.com
2
文档编号85049
修订版1.7 ， 08 09月08
S595T / S595TR / S595TRW
威世半导体
参数
AGC范围
噪声系数
测试条件
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 1至4伏，
F = 800 MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒，
F = 800 MHz的
符号
ΔG
ps
F
F
民
45
1
1.3
典型值。
最大
单位
dB
dB
dB
公共发射极S参数
F / MHz的
登录
MAG
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
1250
1300
-0.01
-0.03
-0.11
-0.19
-0.28
-0.40
-0.51
-0.64
-0.78
-0.93
-1.07
-1.22
-1.36
-1.49
-1.65
-1.79
-1.94
-2.04
-2.17
-2.29
-2.42
-2.58
-2.70
-2.78
-2.89
-3.00
S11
昂
度
-4.6
-9.2
-13.8
-18.1
-22.6
-26.8
-31.1
-35.2
-39.3
-43.2
-47.1
-50.8
-54.4
-58.2
-61.5
-65.2
-68.6
-72.0
-75.3
-78.7
-82.2
-85.2
-88.4
-91.6
-94.8
-97.7
9.61
9.56
9.44
9.30
9.15
9.00
8.79
8.62
8.35
8.17
7.94
7.71
7.50
7.26
7.08
6.86
6.68
6.44
6.27
6.09
5.93
5.67
5.55
5.41
5.38
5.17
登录
MAG
S21
昂
度
174.3
167.9
161.3
155.1
148.4
142.7
136.8
130.7
125.3
119.7
114.2
108.7
104.1
99.1
94.1
89.2
84.5
79.3
74.4
70.4
65.8
61.1
56.1
51.8
47.1
42.0
-63.13
-56.88
-53.46
-51.38
-49.76
-48.70
-47.92
-47.45
-47.23
-47.10
-47.22
-46.92
-46.68
-46.47
-46.45
-45.89
-44.77
-43.51
-41.91
-40.66
-39.81
-38.89
-37.91
-36.76
-35.65
-34.63
登录
MAG
S12
昂
度
88.0
85.3
82.8
80.7
78.3
77.3
76.4
76.2
76.7
78.4
82.3
88.6
92.6
98.8
107.2
116.7
125.9
133.0
137.1
138.5
140.6
143.6
145.8
148.3
149.7
150.1
-0.08
-0.10
-0.14
-0.16
-0.22
-0.26
-0.30
-0.38
-0.43
-0.49
-0.55
-0.60
-0.66
-0.70
-0.73
-0.78
-0.80
-0.85
-0.87
-0.89
-0.90
-0.92
-0.93
-0.94
-0.93
-0.92
登录
MAG
S22
昂
度
-2.1
-4.3
-6.4
-8.6
-11.0
-12.9
-15.1
-17.1
-18.8
-20.6
-22.6
-24.6
-26.1
-27.9
-29.8
-31.7
-33.4
-35.4
-37.2
-39.1
-41.1
-42.6
-44.6
-46.7
-49.1
-51.0
文档编号85049
修订版1.7 ， 08 09月08
www.vishay.com
3
S595T / S595TR / S595TRW
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
P - 总功率耗散（ mW）的
合计
250
y
21s
- 正向纳（MS ）
40
V
DS
= 5 V
F = 200 MHz的
30
200
150
20
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
10
0
0
1
2
3
4
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
95 10759
T
AMB
- AmbientTemperature （ ° C）
95 11159
图1.总功率耗散与环境温度
图4.正向纳主场迎战2号门源电压
20
C
issg1
- 1号门的输入电容（pF ）
I
D
- 漏电流（mA ）
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
13634
16
V
G2S
= 4 V
12
3V
8
2V
4
0
0
1
2
3
4
1.5 V
1V
5
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
DS
= 5 V
F = 200 MHz的
95 11157
1
2
3
4
5
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图2.漏极电流与漏源电压
图5.门1输入电容与2号门源电压
20
I
D
- 漏电流（mA ）
V
DS
= 5 V
16
C
OSS
- 输出电容（pF ）
2.0
V
DS
= 4 V
F = 200 MHz的
1.5
12
8
4
0
0
1
2
3
4
1.0
0.5
0.0
3
13635
95 11158
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
4
5
6
7
V
DS
- 漏源电压（ V）
图3.漏电流与2号门源电压
图6.输出电容与漏源电压
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4
文档编号85049
修订版1.7 ， 08 09月08
S595T / S595TR / S595TRW
威世半导体
20
- 传感器增益（dB ）
10
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
13636
V
DS
= 5 V
F = 800 MHz的
S
21
2
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图7.传感器增益与2号门源电压
80
CM - 交叉调制（分贝）
70
60
50
40
30
20
10
0
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
13637
V
DS
= 5 V
F = 800 MHz的
P
in
= -20 dBm的
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图8.交叉调制与2号门源电压
文档编号85049
修订版1.7 ， 08 09月08
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5
S595T / S595TR / S595TRW
威世半导体
MOSMIC
电视调谐器预安排与5 V电源电压
2
1
评论
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
SOT-143
特点
集成门极保护二极管
低噪声系数
e3
高增益
偏压片上网络
在增益减少，提高了交叉调制
高AGC范围
SMD封装
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
4
2
SOT-143R
4
1
3
2
SOT-343R
4
3
19216
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
低噪声增益控制输入级UHF-和
VHF波段调谐器与5 V电源电压。
RFC
V
DD
(V
DS
)
G2
G1
C座
S
D
RF OUT
在RF
C座
94 9296
机械数据
典型值：
S595T
案例：
SOT -143塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
典型值：
S595TR
案例：
SOT- 143R塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
典型值：
S595TRW
案例：
SOT- 343R塑料外壳
重量：
约。 6.0毫克
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
C座
AGC
零件表
部分
S595T
S595TR
S595TRW
595
59R
W59
记号
SOT-143
SOT-143R
SOT-343R
包
文档编号85049
修订版1.6 ， 02月， 05
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1
S595T / S595TR / S595TRW
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
DS
I
D
± I
G1/G2SM
± V
G1/G2SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
8
30
10
6
200
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
mA
V
mW
°C
°C
最大热阻
参数
通道环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
上玻璃纤维印刷电路板（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
μm
Cu
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
1号门 - 源极击穿
电压
2号门 - 源极击穿
电压
测试条件
符号
民
7
7
典型值。
最大
10
10
50
100
20
50
9
13
1.0
500
18
单位
V
V
μA
μA
nA
μA
mA
V
± I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G1SS
± I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G2SS
+ I
G1SS
- I
G1SS
± I
G2SS
I
DSS
I
DSP
V
G2S(OFF)
1号门 - 源极漏电流+ V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
- V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极漏电流±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
漏电流
自偏置工作电流
2号门 - 源截止电压
V
DS
= 5 V, V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
V
DS
= 5 V, V
G1S
= NC ，V
G2S
= 4 V
V
DS
= 5 V, V
G1S
= NC ，我
D
= 20
μA
注意事项1号门关断模式：
在1号门无需外部直流电压工作模式！
关机，在1号门与V
G1S
< 0.7 V是可行的。
采用集电极开路开关晶体管（ PLL内） ，将10 kΩ的集电极电阻。
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4 V，I
D
= I
DSP
， F = 1兆赫
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒，
F = 800 MHz的
测试条件
符号
|y
21s
|
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
17
民
28
典型值。
30
2.3
25
1.1
28
20
最大
35
2.7
单位
mS
pF
fF
pF
dB
dB
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2
文档编号85049
修订版1.6 ， 02月， 05
S595T / S595TR / S595TRW
威世半导体
参数
AGC范围
噪声系数
测试条件
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 1至4伏，
F = 800 MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒，
F = 800 MHz的
符号
ΔG
ps
F
F
民
45
1
1.3
典型值。
最大
单位
dB
dB
dB
公共发射极S参数
F / MHz的
登录
MAG
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
1250
1300
-0.01
-0.03
-0.11
-0.19
-0.28
-0.40
-0.51
-0.64
-0.78
-0.93
-1.07
-1.22
-1.36
-1.49
-1.65
-1.79
-1.94
-2.04
-2.17
-2.29
-2.42
-2.58
-2.70
-2.78
-2.89
-3.00
S11
昂
度
-4.6
-9.2
-13.8
-18.1
-22.6
-26.8
-31.1
-35.2
-39.3
-43.2
-47.1
-50.8
-54.4
-58.2
-61.5
-65.2
-68.6
-72.0
-75.3
-78.7
-82.2
-85.2
-88.4
-91.6
-94.8
-97.7
9.61
9.56
9.44
9.30
9.15
9.00
8.79
8.62
8.35
8.17
7.94
7.71
7.50
7.26
7.08
6.86
6.68
6.44
6.27
6.09
5.93
5.67
5.55
5.41
5.38
5.17
登录
MAG
S21
昂
度
174.3
167.9
161.3
155.1
148.4
142.7
136.8
130.7
125.3
119.7
114.2
108.7
104.1
99.1
94.1
89.2
84.5
79.3
74.4
70.4
65.8
61.1
56.1
51.8
47.1
42.0
-63.13
-56.88
-53.46
-51.38
-49.76
-48.70
-47.92
-47.45
-47.23
-47.10
-47.22
-46.92
-46.68
-46.47
-46.45
-45.89
-44.77
-43.51
-41.91
-40.66
-39.81
-38.89
-37.91
-36.76
-35.65
-34.63
登录
MAG
S12
昂
度
88.0
85.3
82.8
80.7
78.3
77.3
76.4
76.2
76.7
78.4
82.3
88.6
92.6
98.8
107.2
116.7
125.9
133.0
137.1
138.5
140.6
143.6
145.8
148.3
149.7
150.1
-0.08
-0.10
-0.14
-0.16
-0.22
-0.26
-0.30
-0.38
-0.43
-0.49
-0.55
-0.60
-0.66
-0.70
-0.73
-0.78
-0.80
-0.85
-0.87
-0.89
-0.90
-0.92
-0.93
-0.94
-0.93
-0.92
登录
MAG
S22
昂
度
-2.1
-4.3
-6.4
-8.6
-11.0
-12.9
-15.1
-17.1
-18.8
-20.6
-22.6
-24.6
-26.1
-27.9
-29.8
-31.7
-33.4
-35.4
-37.2
-39.1
-41.1
-42.6
-44.6
-46.7
-49.1
-51.0
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S595T / S595TR / S595TRW
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
P - 总功率耗散（ mW）的
合计
y
21s
- 正向纳（MS ）
250
40
V
DS
=5V
f=200MHz
30
200
150
20
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
10
0
0
95 11159
1
2
3
4
95 10759
T
AMB
- AmbientTemperature （ ° C）
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图1.总功率耗散与环境温度
图4.正向纳主场迎战2号门源电压
20
C
issg1
- 1号门的输入电容（pF ）
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
1
2
3
4
5
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
V
DS
= 5 V
F = 200 MHz的
I
D
- 漏电流（mA ）
16
V
G2S
=4V
12
3V
8
2V
4
0
0
1
2
3
4
1.5V
1V
5
V
DS
- 漏源电压（ V）
95 11157
13634
图2.漏极电流与漏源电压
图5.门1输入电容与2号门源电压
20
C
OSS
- 输出电容（pF ）
V
DS
=5V
I
D
- 漏电流（mA ）
2.0
V
DS
= 4 V
F = 200 MHz的
1.5
16
12
1.0
8
4
0
0
1
2
3
4
0.5
0.0
3
13635
4
5
6
7
95 11158
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
图3.漏电流与2号门源电压
图6.输出电容与漏源电压
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S595T / S595TR / S595TRW
威世半导体
20
- 传感器增益（dB ）
10
0
-10
-20
-30
-40
-50
V
DS
= 5 V
F = 800 MHz的
S
21
2
-60
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
13636
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图7.传感器增益与2号门源电压
80
CM - 交叉调制（分贝）
70
60
50
40
30
20
10
V
DS
= 5 V
F = 800 MHz的
P
in
= -20 dBm的
0
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
13637
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图8.交叉调制与2号门源电压
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S595T/S595TR/S595TRW
威世德律风根
MOSMIC
电视调谐器预安排与5 V电源
电压
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
低噪声增益控制输入级UHF-和
VHF波段调谐器与5 V电源电压。
AGC
在RF
C座
C座
G2
G1
S
D
RF OUT
C座
94 9296
RFC
V
DD
特点
D
D
D
D
集成门极保护二极管
低噪声系数
高增益
偏压片上网络
D
在增益减少，提高了交叉调制
D
高AGC范围
D
SMD封装
2
1
1
2
94 9279
13 579
94 9278
95 10831
3
4
4
3
S595T标记： 595
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
S595TR标记： 59R
塑料外壳（ SOT 143R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
1
2
13 654
13 566
4
3
S595TRW标记： W59
塑料外壳（ SOT 343R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
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威世德律风根
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源电流峰值
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
测试条件
符号
价值
V
DS
8
I
D
30
±I
G1/G2SM
10
±V
G1/G2SM
6
P
合计
200
T
Ch
150
T
英镑
-55到+150
单位
V
mA
mA
V
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
60
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
1号门 - 源
击穿电压
2号门 - 源
击穿电压
1号门 - 源
漏电流
2号门 - 源
漏电流
漏电流
自偏置
工作电流
2号门 - 源
截止电压
测试条件
±I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
±I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
+V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
–V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 5 V, V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
V
DS
= 5 V, V
G1S
= NC ，V
G2S
= 4 V
V
DS
= 5 V, V
G1S
= NC ，我
D
= 20
m
A
符号
民
±V
(BR)G1SS
7
±V
(BR)G2SS
+I
G1SS
–I
G1SS
±I
G2SS
I
DSS
I
DSP
V
G2S(OFF)
50
9
7
典型值
最大单位
10
V
10
50
100
20
500
18
V
m
A
m
A
nA
m
A
mA
V
13
1.0
注意事项1号门关断模式：
在1号门无需外部直流电压工作模式！
关机，在1号门与V
G1S
< 0.7 V是可行的。
采用集电极开路开关晶体管（内部锁相环） ，将10千
W
集电极电阻。
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威世德律风根
AC电气特性
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4 V，F = 1 MHz时，T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
电源克
收益
AGC范围
噪声系数
g
测试条件
符号
y
21s
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
D
G
ps
F
F
民
28
典型值
30
2.3
25
1.1
28
21
1
1.3
最大单位
35毫秒
2.7 pF的
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 1至4 V中，f = 800MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
17
45
共源S参数
V
DS
= 5 V , V
G2S
= 4 V，Z
0
= 50
W,
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
S11
F / MHz的
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
1250
1300
登录
MAG
dB
–0.01
–0.03
–0.11
–0.19
–0.28
–0.40
–0.51
–0.64
–0.78
–0.93
–1.07
–1.22
–1.36
–1.49
–1.65
–1.79
–1.94
–2.04
–2.17
–2.29
–2.42
–2.58
–2.70
–2.78
–2.89
–3.00
昂
度
–4.6
–9.2
–13.8
–18.1
–22.6
–26.8
–31.1
–35.2
–39.3
–43.2
–47.1
–50.8
–54.4
–58.2
–61.5
–65.2
–68.6
–72.0
–75.3
–78.7
–82.2
–85.2
–88.4
–91.6
–94.8
–97.7
S21
登录
MAG
dB
9.61
9.56
9.44
9.30
9.15
9.00
8.79
8.62
8.35
8.17
7.94
7.71
7.50
7.26
7.08
6.86
6.68
6.44
6.27
6.09
5.93
5.67
5.55
5.41
5.38
5.17
昂
度
174.3
167.9
161.3
155.1
148.4
142.7
136.8
130.7
125.3
119.7
114.2
108.7
104.1
99.1
94.1
89.2
84.5
79.3
74.4
70.4
65.8
61.1
56.1
51.8
47.1
42.0
S12
登录
MAG
dB
–63.13
–56.88
–53.46
–51.38
–49.76
–48.70
–47.92
–47.45
–47.23
–47.10
–47.22
–46.92
–46.68
–46.47
–46.45
–45.89
–44.77
–43.51
–41.91
–40.66
–39.81
–38.89
–37.91
–36.76
–35.65
–34.63
昂
度
88.0
85.3
82.8
80.7
78.3
77.3
76.4
76.2
76.7
78.4
82.3
88.6
92.6
98.8
107.2
116.7
125.9
133.0
137.1
138.5
140.6
143.6
145.8
148.3
149.7
150.1
S22
登录
MAG
dB
–0.08
–0.10
–0.14
–0.16
–0.22
–0.26
–0.30
–0.38
–0.43
–0.49
–0.55
–0.60
–0.66
–0.70
–0.73
–0.78
–0.80
–0.85
–0.87
–0.89
–0.90
–0.92
–0.93
–0.94
–0.93
–0.92
昂
度
–2.1
–4.3
–6.4
–8.6
–11.0
–12.9
–15.1
–17.1
–18.8
–20.6
–22.6
–24.6
–26.1
–27.9
–29.8
–31.7
–33.4
–35.4
–37.2
–39.1
–41.1
–42.6
–44.6
–46.7
–49.1
–51.0
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威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
y
21s
- 正向纳（MS ）
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
250
40
V
DS
=5V
f=200MHz
30
200
150
20
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
10
0
0
95 11159
1
2
3
4
95 10759
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图1.总功耗对比
环境温度
20
C
issg1
- 1号门的输入电容（pF ）
图4.正向纳主场迎战
2号门源电压
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
13634
I
D
- 漏电流（mA ）
16
V
G2S
=4V
12
3V
8
2V
4
0
0
1
2
3
4
1.5V
1V
5
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
DS
=5V
f=200MHz
1
2
3
4
5
95 11157
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图2.漏极电流与漏源电压
图5.门1输入电容与
2号门源电压
2.0
C
OSS
- 输出电容（pF ）
20
V
DS
=5V
I
D
- 漏电流（mA ）
16
V
DS
=4V
f=200MHz
1.5
12
1.0
8
4
0
0
1
2
3
4
0.5
0
3
13635
4
5
6
7
95 11158
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
图3.漏电流与2号门源电压
图6.输出电容与漏源电压
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威世德律风根
20
CM - 交叉调制（分贝）
- 传感器增益（dB ）
10
0
–10
–20
–30
–40
–50
–60
0
13636
80
V
DS
=5V
f=800MHz
70
60
50
40
30
20
10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
13637
V
DS
=5V
f=800MHz
P
in
=–20dBm
S
21
2
2
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图7.传感器增益与2号门源电压
图8.交叉调制与2号门源电压
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