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S505TX/S505TXR/S505TXRW
威世半导体
MOSMIC
电视调谐器预安排与5 V电源电压
2
1
评论
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
SOT-143
特点
易门1关断带PNP开关
内部PLL晶体管
e3
高AGC范围较少陡坡
集成的栅极保护二极管
低噪声系数
高增益，高前进纳
（ 30 ms典型值）
在增益减少，提高了交叉调制
- SMD封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
4
2
SOT-143R
4
1
3
2
SOT-343R
4
3
19216
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
低噪声增益控制输入级UHF-和
VHF波段调谐器与5 V电源电压。
机械数据
典型值：
S505TX
案例：
SOT -143塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
典型值：
S505TXR
案例：
SOT- 143R塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
钢钉： 1
=源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
典型值：
S505TXRW
案例：
SOT- 343R塑料外壳
重量：
约。 6.0毫克
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
典型用途
C
块
AGC
C
块
在RF
RG1
G2
G1
S
D
RFC
V
DD
(V
DS
)
RF OUT
C
块
V
GG
(V
RG1
)
13650
零件表
部分
S505TX
S505TXR
S505TXRW
X05
X7R
WX7
记号
SOT-143
SOT-143R
SOT-343R
包
文档编号85080
修订版1.2 ， 29 -APR- 05
www.vishay.com
1
S505TX/S505TXR/S505TXRW
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
1号门 - 源极电压
2号门 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
DS
I
D
± I
G1/G2SM
+ V
G1S
- V
G1S
± V
G2SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
8
30
10
6
1.5
6
200
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
mA
V
V
V
mW
°C
°C
最大热阻
参数
通道环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
上玻璃纤维印刷电路板（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
μm
Cu
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏极 - 源极击穿
电压
1号门 - 源极击穿
电压
2号门 - 源极击穿
电压
测试条件
I
D
= 10
μA,
V
G1S
= V
G2S
= 0
符号
V
（ BR ） DSS
民
12
7
7
10
10
20
20
8
0.5
0.8
1.0
14
20
1.3
1.4
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
mA
V
V
± I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G1SS
± I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G2SS
+ I
G1SS
± I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
1号门 - 源极漏电流+ V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极漏电流±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
漏 - 源极工作电流V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V,
R
G1
= 56 kΩ
1号门 - 源截止电压
2号门 - 源截止电压
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4, I
D
= 20
μA
V
DS
= V
RG1
= 5 V ，R
G1
= 56 kΩ,
I
D
= 20
μA
备注提高互调特性：
通过设置R
G1
小于56千欧，我典型值
DSO
会提高和改进的互调特性将被执行。
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56 kΩ的，我
D
= I
DSO ，
F = 1 MHz的
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
测试条件
符号
|y
21s
|
C
issg1
C
RSS
C
OSS
民
27
典型值。
30
1.8
20
1.0
最大
35
2.2
30
单位
mS
pF
fF
pF
www.vishay.com
2
文档编号85080
修订版1.2 ， 29 -APR- 05
S505TX/S505TXR/S505TXRW
威世半导体
参数
功率增益
测试条件
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒，
F = 800 MHz的
AGC范围
噪声系数
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 1至4伏，
F = 800 MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒，
F = 800 MHz的
交叉调制
输入电平为K = 1 ％@ 0分贝
AGC F
w
= 50 MHz时，
f
UNW
= 60 MHz的
输入电平为K = 1 ％@ 40分贝
AGC F
w
= 50 MHz时，
f
UNW
= 60 MHz的
符号
G
ps
G
ps
ΔG
ps
F
F
X
MOD
90
17
45
民
典型值。
28
22
50
1
1.3
最大
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dBμV的
X
MOD
100
105
dBμV的
包装尺寸（mm）
0.1 [ 0.004 ]最大。
1.1 [0.043]
2.6 [0.102]
2.35 [0.093]
1.8 [0.071]
1.6 [0.063]
0.9 [0.035]
0.75 [0.030]
0.5 [0.020]
0.35 [0.014]
足迹推荐：
3 [0.118]
2.8 [0.110]
0.5 [0.020]
0.35 [0.014]
0.5 [0.020]
0.35 [0.014]
0.15 [0.006]
0.08 [0.003]
1.7 [0.067]
0.9 [0.035] 0.9 [0.035]
1.2 [0.047]
1.4 [0.055]
1.2 [0.047]
0.9 [0.035]
1.2 [0.047]
0.8 [0.031]
1.9 [0.075]
2 [0.079]
1.8 [0.071]
96 12239
0.8 [0.031]
文档编号85080
修订版1.2 ， 29 -APR- 05
2 [0.079]
www.vishay.com
3
S505TX/S505TXR/S505TXRW
威世半导体
包装尺寸（mm）
0.1 [ 0.004 ]最大。
1.1 [0.043]
3 [0.118]
2.8 [0.110]
0.5 [0.020]
0.35 [0.014]
0.5 [0.020]
0.35 [0.014]
1.8 [0.071]
1.6 [0.063]
0.15 [0.006]
0.08 [0.003]
2.6 [0.102]
2.35 [0.093]
0.5 [0.020]
0.35 [0.014]
0.9 [0.035]
0.75 [0.030]
足迹推荐：
1.7 [0.067]
0.9 [0.035] 0.9 [0.035]
0.9 [0.035]
0.8 [0.031]
1.2 [0.047]
1.4 [0.055]
1.2 [0.047]
2 [0.079]
1.8 [0.071]
0.8 [0.031]
1.9 [0.075]
0.8 [0.031]
96 12240
包装尺寸（mm）
0.1 [ 0.004 ]最大。
0.2 [0.008]
0.1 [0.004]
2.2 [0.087]
1.8 [0.071]
0.4 [0.016]
0.25 [0.010]
0.4 [0.016]
0.25 [0.010]
0.15 [ 0.006 ]分钟。
2.2 [0.087]
2 [0.079]
1.25 [0.049]
1.05 [0.041]
足迹推荐：
0.7 [0.028]
0.55 [0.022]
0.4 [0.016]
0.25 [0.010]
0.9 [0.035]
1.15 [0.045]
0.06 [0.024]
1.35 [0.053]
1.15 [0.045]
1.6 [0.063]
1.4 [0.055]
1.2 [0.047]
96 12238
1.3 [0.051]
www.vishay.com
4
0.8 [0.031]
1 [0.039]
0.8 [0.031]
2 [0.079]
文档编号85080
修订版1.2 ， 29 -APR- 05
S505TX/S505TXR/S505TXRW
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
文档编号85080
修订版1.2 ， 29 -APR- 05
www.vishay.com
5
不适用于新的设计，这款产品将很快过时
S505TX/S505TXR/S505TXRW
威世半导体
MOSMIC
电视调谐器预安排与5 V电源电压
2
1
评论
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
SOT143
特点
易门1关断带PNP开关
内部PLL晶体管
e3
高AGC范围较少陡坡
集成的栅极保护二极管
低噪声系数
高增益，高前进纳
（ 30 ms典型值）
在增益减少，提高了交叉调制
- SMD封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
4
2
SOT143R
4
1
3
2
SOT343R
4
3
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
19216
应用
低噪声增益控制输入级UHF-和
VHF波段调谐器与5 V电源电压。
机械数据
典型值：
S505TX
案例：
SOT -143塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
典型值：
S505TXR
案例：
SOT- 143R塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
钢钉： 1
=源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
典型值：
S505TXRW
案例：
SOT- 343R塑料外壳
重量：
约。 6.0毫克
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
典型用途
C
块
AGC
C
块
在RF
RG1
G2
G1
S
D
RFC
V
DD
(V
DS
)
RF OUT
C
块
V
GG
(V
RG1
)
13650
零件表
部分
S505TX
S505TXR
S505TXRW
X05
X7R
WX7
记号
SOT-143
SOT-143R
SOT-343R
包
文档编号85080
修订版1.3 ， 05月， 08
www.vishay.com
1
S505TX/S505TXR/S505TXRW
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
1号门 - 源极电压
2号门 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
DS
I
D
± I
G1/G2SM
+ V
G1S
- V
G1S
± V
G2SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
8
30
10
6
1.5
6
200
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
mA
V
V
V
mW
°C
°C
最大热阻
参数
通道环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
上玻璃纤维印刷电路板（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
μm
Cu
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏极 - 源极击穿
电压
1号门 - 源极击穿
电压
2号门 - 源极击穿
电压
测试条件
I
D
= 10
μA,
V
G1S
= V
G2S
= 0
符号
V
（ BR ） DSS
民
12
7
7
10
10
20
20
8
0.5
0.8
1.0
14
20
1.3
1.4
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
mA
V
V
± I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G1SS
± I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G2SS
+ I
G1SS
± I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
1号门 - 源极漏电流+ V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极漏电流±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
漏 - 源极工作电流V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V,
R
G1
= 56 kΩ
1号门 - 源截止电压
2号门 - 源截止电压
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4, I
D
= 20
μA
V
DS
= V
RG1
= 5 V ，R
G1
= 56 kΩ,
I
D
= 20
μA
备注提高互调特性：
通过设置R
G1
小于56千欧，我典型值
DSO
会提高和改进的互调特性将被执行。
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56 kΩ的，我
D
= I
DSO ，
F = 1 MHz的
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
测试条件
符号
|y
21s
|
C
issg1
C
RSS
C
OSS
民
27
典型值。
30
1.8
20
1.0
最大
35
2.2
30
单位
mS
pF
fF
pF
www.vishay.com
2
文档编号85080
修订版1.3 ， 05月， 08
S505TX/S505TXR/S505TXRW
威世半导体
参数
功率增益
测试条件
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒，
F = 800 MHz的
AGC范围
噪声系数
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 1至4伏，
F = 800 MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒，
F = 800 MHz的
交叉调制
输入电平为K = 1 ％@ 0分贝
AGC F
w
= 50 MHz时，
f
UNW
= 60 MHz的
输入电平为K = 1 ％@ 40分贝
AGC F
w
= 50 MHz时，
f
UNW
= 60 MHz的
符号
G
ps
G
ps
ΔG
ps
F
F
X
MOD
90
17
45
民
典型值。
28
22
50
1
1.3
最大
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dBμV的
X
MOD
100
105
dBμV的
包装尺寸（mm）
96 12239
文档编号85080
修订版1.3 ， 05月， 08
www.vishay.com
3
S505TX/S505TXR/S505TXRW
威世半导体
包装尺寸（mm）
0.1 [ 0.004 ]最大。
1.1 [0.043]
2.6 [0.102]
2.35 [0.093]
1.8 [0.071]
1.6 [0.063]
0.5 [0.020]
0.35 [0.014]
0.9 [0.035]
0.75 [0.030]
足迹推荐：
3 [0.118]
2.8 [0.110]
0.5 [0.020]
0.35 [0.014]
0.5 [0.020]
0.35 [0.014]
0.15 [0.006]
0.08 [0.003]
1.7 [0.067]
0.9 [0.035] 0.9 [0.035]
0.8 [0.031]
1.2 [0.047]
1.4 [0.055]
1.2 [0.047]
0.9 [0.035]
0.8 [0.031]
2 [0.079]
2 [0.079]
1.8 [0.071]
0.8 [0.031]
1.9 [0.075]
96 12240
包装尺寸（mm）
96 12238
www.vishay.com
4
文档编号85080
修订版1.3 ， 05月， 08
S505TX/S505TXR/S505TXRW
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
文档编号85080
修订版1.3 ， 05月， 08
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5
S505TX/S505TXR/S505TXRW
威世半导体
MOSMIC
电视调谐器预安排与5 V电源电压
2
1
评论
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
SOT-143
特点
易门1关断带PNP开关
内部PLL晶体管
e3
高AGC范围较少陡坡
集成的栅极保护二极管
低噪声系数
高增益，高前进纳
（ 30 ms典型值）
在增益减少，提高了交叉调制
- SMD封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
4
2
SOT-143R
4
1
3
2
SOT-343R
4
3
19216
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
低噪声增益控制输入级UHF-和
VHF波段调谐器与5 V电源电压。
机械数据
典型值：
S505TX
案例：
SOT -143塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
典型值：
S505TXR
案例：
SOT- 143R塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
钢钉： 1
=源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
典型值：
S505TXRW
案例：
SOT- 343R塑料外壳
重量：
约。 6.0毫克
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
典型用途
C
块
AGC
C
块
在RF
RG1
G2
G1
S
D
RFC
V
DD
(V
DS
)
RF OUT
C
块
V
GG
(V
RG1
)
13650
零件表
部分
S505TX
S505TXR
S505TXRW
X05
X7R
WX7
记号
SOT-143
SOT-143R
SOT-343R
包
文档编号85080
修订版1.2 ， 29 -APR- 05
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1
S505TX/S505TXR/S505TXRW
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
1号门 - 源极电压
2号门 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
DS
I
D
± I
G1/G2SM
+ V
G1S
- V
G1S
± V
G2SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
8
30
10
6
1.5
6
200
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
mA
V
V
V
mW
°C
°C
最大热阻
参数
通道环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
上玻璃纤维印刷电路板（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
μm
Cu
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏极 - 源极击穿
电压
1号门 - 源极击穿
电压
2号门 - 源极击穿
电压
测试条件
I
D
= 10
μA,
V
G1S
= V
G2S
= 0
符号
V
（ BR ） DSS
民
12
7
7
10
10
20
20
8
0.5
0.8
1.0
14
20
1.3
1.4
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
mA
V
V
± I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G1SS
± I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G2SS
+ I
G1SS
± I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
1号门 - 源极漏电流+ V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极漏电流±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
漏 - 源极工作电流V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V,
R
G1
= 56 kΩ
1号门 - 源截止电压
2号门 - 源截止电压
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4, I
D
= 20
μA
V
DS
= V
RG1
= 5 V ，R
G1
= 56 kΩ,
I
D
= 20
μA
备注提高互调特性：
通过设置R
G1
小于56千欧，我典型值
DSO
会提高和改进的互调特性将被执行。
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 56 kΩ的，我
D
= I
DSO ，
F = 1 MHz的
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
测试条件
符号
|y
21s
|
C
issg1
C
RSS
C
OSS
民
27
典型值。
30
1.8
20
1.0
最大
35
2.2
30
单位
mS
pF
fF
pF
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2
文档编号85080
修订版1.2 ， 29 -APR- 05
S505TX/S505TXR/S505TXRW
威世半导体
参数
功率增益
测试条件
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒，
F = 800 MHz的
AGC范围
噪声系数
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 1至4伏，
F = 800 MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒，
F = 800 MHz的
交叉调制
输入电平为K = 1 ％@ 0分贝
AGC F
w
= 50 MHz时，
f
UNW
= 60 MHz的
输入电平为K = 1 ％@ 40分贝
AGC F
w
= 50 MHz时，
f
UNW
= 60 MHz的
符号
G
ps
G
ps
ΔG
ps
F
F
X
MOD
90
17
45
民
典型值。
28
22
50
1
1.3
最大
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dBμV的
X
MOD
100
105
dBμV的
包装尺寸（mm）
0.1 [ 0.004 ]最大。
1.1 [0.043]
2.6 [0.102]
2.35 [0.093]
1.8 [0.071]
1.6 [0.063]
0.9 [0.035]
0.75 [0.030]
0.5 [0.020]
0.35 [0.014]
足迹推荐：
3 [0.118]
2.8 [0.110]
0.5 [0.020]
0.35 [0.014]
0.5 [0.020]
0.35 [0.014]
0.15 [0.006]
0.08 [0.003]
1.7 [0.067]
0.9 [0.035] 0.9 [0.035]
1.2 [0.047]
1.4 [0.055]
1.2 [0.047]
0.9 [0.035]
1.2 [0.047]
0.8 [0.031]
1.9 [0.075]
2 [0.079]
1.8 [0.071]
96 12239
0.8 [0.031]
文档编号85080
修订版1.2 ， 29 -APR- 05
2 [0.079]
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S505TX/S505TXR/S505TXRW
威世半导体
包装尺寸（mm）
0.1 [ 0.004 ]最大。
1.1 [0.043]
3 [0.118]
2.8 [0.110]
0.5 [0.020]
0.35 [0.014]
0.5 [0.020]
0.35 [0.014]
1.8 [0.071]
1.6 [0.063]
0.15 [0.006]
0.08 [0.003]
2.6 [0.102]
2.35 [0.093]
0.5 [0.020]
0.35 [0.014]
0.9 [0.035]
0.75 [0.030]
足迹推荐：
1.7 [0.067]
0.9 [0.035] 0.9 [0.035]
0.9 [0.035]
0.8 [0.031]
1.2 [0.047]
1.4 [0.055]
1.2 [0.047]
2 [0.079]
1.8 [0.071]
0.8 [0.031]
1.9 [0.075]
0.8 [0.031]
96 12240
包装尺寸（mm）
0.1 [ 0.004 ]最大。
0.2 [0.008]
0.1 [0.004]
2.2 [0.087]
1.8 [0.071]
0.4 [0.016]
0.25 [0.010]
0.4 [0.016]
0.25 [0.010]
0.15 [ 0.006 ]分钟。
2.2 [0.087]
2 [0.079]
1.25 [0.049]
1.05 [0.041]
足迹推荐：
0.7 [0.028]
0.55 [0.022]
0.4 [0.016]
0.25 [0.010]
0.9 [0.035]
1.15 [0.045]
0.06 [0.024]
1.35 [0.053]
1.15 [0.045]
1.6 [0.063]
1.4 [0.055]
1.2 [0.047]
96 12238
1.3 [0.051]
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4
0.8 [0.031]
1 [0.039]
0.8 [0.031]
2 [0.079]
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S505TX/S505TXR/S505TXRW
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
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SN54LS692FK
SA2011
SGH20N120RUFD
SPX2811AT-3.3
SSL-LX100T123SYC
SN54LS114AJ
SY88903V_06
SBL2030CT_1
SEMIX703GB126HDS
SMD99F-5006
SRN5020-220M
S29CD016J1JFFM002
S-80847CLUA-B68T2G
STN1802
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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