S503T/S503TR/S503TRW
威世德律风根
MOSMIC
电视调谐器预安排与5 V电源电压
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
低噪声增益控制输入级UHF-和
VHF波段调谐器与5 V电源电压。
AGC
C座
在RF
C座
G2
G1
S
RG1
V
DD
C座
13650
RFC
V
DD
D
RF OUT
特点
D
易门1关断带PNP开关
内部PLL晶体管
D
高AGC范围较少陡坡
D
集成门极保护二极管
D
D
D
D
低噪声系数
高增益
在增益减少，提高了交叉调制
SMD封装
2
1
1
2
94 9279
13 579
94 9278
95 10831
3
4
4
3
S503T标记： 503
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
S503TR标记： 53R
塑料外壳（ SOT 143R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
1
2
13 654
13 566
4
3
S503TRW标记： W03
塑料外壳（ SOT 343R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
文档编号85042
第3版， 20 -JAN- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (5)
S503T/S503TR/S503TRW
威世德律风根
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源电流峰值
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
测试条件
符号
价值
V
DS
8
I
D
30
±I
G1/G2SM
10
±V
G1/G2SM
6
P
合计
200
T
Ch
150
T
英镑
-55到+150
单位
V
mA
mA
V
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
60
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源
击穿电压
1号门 - 源
击穿电压
2号门 - 源
击穿电压
1号门 - 源
漏电流
2号门 - 源
漏电流
漏 - 源
工作电流
1号门 - 源
截止电压
2号门 - 源
截止电压
测试条件
I
D
= 10
m
A，V
G2S
= V
G1S
= 0
±I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
±I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
+V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 470 k
W
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4, I
D
= 20
m
A
V
DS
= V
RG1
= 5 V ，R
G1
= 470 k
W
, I
D
= 20
m
A
符号
V
（ BR ） DSS
±V
(BR)G1SS
±V
(BR)G2SS
+I
G1SS
±I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
8
0.3
1.0
13
民
15
7
7
典型值
最大单位
V
10
10
20
20
18
1.0
V
V
nA
nA
mA
V
V
备注提高互调特性：
通过设置R
G1
小于470
W
。例如， 390
W
我典型值
DSO
将提高和改善互调
行为将被执行。
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (5)
文档编号85042
第3版， 20 -JAN- 99
S503T/S503TR/S503TRW
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
文档编号85042
第3版， 20 -JAN- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
5 (5)
S503T/S503TR/S503TRW
威世德律风根
MOSMIC
电视调谐器预安排与5 V电源电压
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
低噪声增益控制输入级UHF-和
VHF波段调谐器与5 V电源电压。
AGC
C座
在RF
C座
G2
G1
S
RG1
V
DD
C座
13650
RFC
V
DD
D
RF OUT
特点
D
易门1关断带PNP开关
内部PLL晶体管
D
高AGC范围较少陡坡
D
集成门极保护二极管
D
D
D
D
低噪声系数
高增益
在增益减少，提高了交叉调制
SMD封装
2
1
1
2
94 9279
13 579
94 9278
95 10831
3
4
4
3
S503T标记： 503
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
S503TR标记： 53R
塑料外壳（ SOT 143R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
1
2
13 654
13 566
4
3
S503TRW标记： W03
塑料外壳（ SOT 343R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
文档编号85042
第3版， 20 -JAN- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (5)
S503T/S503TR/S503TRW
威世德律风根
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源电流峰值
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
测试条件
符号
价值
V
DS
8
I
D
30
±I
G1/G2SM
10
±V
G1/G2SM
6
P
合计
200
T
Ch
150
T
英镑
-55到+150
单位
V
mA
mA
V
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
60
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源
击穿电压
1号门 - 源
击穿电压
2号门 - 源
击穿电压
1号门 - 源
漏电流
2号门 - 源
漏电流
漏 - 源
工作电流
1号门 - 源
截止电压
2号门 - 源
截止电压
测试条件
I
D
= 10
m
A，V
G2S
= V
G1S
= 0
±I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
±I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
+V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 470 k
W
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4, I
D
= 20
m
A
V
DS
= V
RG1
= 5 V ，R
G1
= 470 k
W
, I
D
= 20
m
A
符号
V
（ BR ） DSS
±V
(BR)G1SS
±V
(BR)G2SS
+I
G1SS
±I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
8
0.3
1.0
13
民
15
7
7
典型值
最大单位
V
10
10
20
20
18
1.0
V
V
nA
nA
mA
V
V
备注提高互调特性：
通过设置R
G1
小于470
W
。例如， 390
W
我典型值
DSO
将提高和改善互调
行为将被执行。
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (5)
文档编号85042
第3版， 20 -JAN- 99
S503T/S503TR/S503TRW
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
文档编号85042
第3版， 20 -JAN- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
5 (5)
S503T/S503TR/S503TRW
威世德律风根
MOSMIC
电视调谐器预安排与5 V电源电压
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
低噪声增益控制输入级UHF-和
VHF波段调谐器与5 V电源电压。
AGC
C座
在RF
C座
G2
G1
S
RG1
V
DD
C座
13650
RFC
V
DD
D
RF OUT
特点
D
易门1关断带PNP开关
内部PLL晶体管
D
高AGC范围较少陡坡
D
集成门极保护二极管
D
D
D
D
低噪声系数
高增益
在增益减少，提高了交叉调制
SMD封装
2
1
1
2
94 9279
13 579
94 9278
95 10831
3
4
4
3
S503T标记： 503
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
S503TR标记： 53R
塑料外壳（ SOT 143R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
1
2
13 654
13 566
4
3
S503TRW标记： W03
塑料外壳（ SOT 343R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
文档编号85042
第3版， 20 -JAN- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (5)
S503T/S503TR/S503TRW
威世德律风根
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源电流峰值
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
测试条件
符号
价值
V
DS
8
I
D
30
±I
G1/G2SM
10
±V
G1/G2SM
6
P
合计
200
T
Ch
150
T
英镑
-55到+150
单位
V
mA
mA
V
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
60
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源
击穿电压
1号门 - 源
击穿电压
2号门 - 源
击穿电压
1号门 - 源
漏电流
2号门 - 源
漏电流
漏 - 源
工作电流
1号门 - 源
截止电压
2号门 - 源
截止电压
测试条件
I
D
= 10
m
A，V
G2S
= V
G1S
= 0
±I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
±I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
+V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 470 k
W
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4, I
D
= 20
m
A
V
DS
= V
RG1
= 5 V ，R
G1
= 470 k
W
, I
D
= 20
m
A
符号
V
（ BR ） DSS
±V
(BR)G1SS
±V
(BR)G2SS
+I
G1SS
±I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
8
0.3
1.0
13
民
15
7
7
典型值
最大单位
V
10
10
20
20
18
1.0
V
V
nA
nA
mA
V
V
备注提高互调特性：
通过设置R
G1
小于470
W
。例如， 390
W
我典型值
DSO
将提高和改善互调
行为将被执行。
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (5)
文档编号85042
第3版， 20 -JAN- 99
S503T/S503TR/S503TRW
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
文档编号85042
第3版， 20 -JAN- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
5 (5)
QQ：2881677436 复制
