【TECCOR品牌晶闸管可控硅整流器器SxX8xSx EV系列0.8A敏感SCR描述新器件系列提供了高】,IC型号S4X8ESRP,S4X8ESRP PDF资料,S4X8ESRP经销商,ic,电子元器件-51电子网

TECCOR

品牌晶闸管

可控硅整流器器

SxX8xSx EV系列0.8A敏感SCR

描述

新器件系列提供了高静态dv / dt和低转

关（T

） SCR敏感带小模平面结构

可控硅结玻璃钝化，以确保长期的

可靠性和参数的稳定性。

特点

贴装封装

主要特点

符号

T（ RMS ）

DRM

/ V

RRM

价值

0.8

400至800

5-200

单位

μA

< 25微秒

)

能力> 10安培

( V

DRM

/ V

RRM

)

能力 - 高达800V

原理图符号

微处理器接口

应用

应用程序。

绝对最大额定值

符号

参数

TO-92

T（ RMS ）

通态电流（全正弦波）的RMS

SOT-89

SOT-223

TO-92

T（ AV ）

平均通态电流

SOT-89

SOT-223

TO-92

SOT-89

SOT-223

= 10毫秒

= 8.3毫秒

TO-92

SOT-89

SOT-223

= 10 μs

—

= 55°C

= 60°C

= 55°C

= 60°C

F = 50Hz的

F = 60Hz的

F = 50赫兹

F = 60赫兹

= 125°C

—

价值

0.8

0.51

0.32

0.41

1.0

0.1

-40至150

-40至125

单位

A / μs的

°C

TSM

的di / dt

英镑

不重复浪涌峰值通态电流

（单周期，T

初始= 25 ° C）

为融合吨价

的通态电流I = 10毫安临界上升率

平均门功耗

存储结温范围

工作结温范围

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电气特性

= 25 ° C，除非另有规定编）

SxX8xxx

符号

描述

测试条件

= 6V

= 100 Ω

= 6V

= 100 Ω

保持电流

爆击率-OF-崛起

断态电压

= 10μA

= 1 KΩ

极限

分钟。

马克斯。

分钟。

马克斯。

0.5

0.8

200

单位

μA

（ dv / dt的）■

= 125°C

= V

DRM

RRM

进出口。波形

R = 1kΩ的

= 25°C @ 600 V

R = 1kΩ的

I = 10毫安

PW = 15微秒

= 1.6A （ PK）

分钟。

V / μs的

打开-O FF时间

马克斯。

μs

开启时间

马克斯。

2.0

μs

静态特性

= 25 ° C，除非另有规定编）

符号

DRM

描述

峰值通态电压

测试条件

= 1.6A （ PK）

= 25°C @ V

= V

DRM

R = 1kΩ的

= 125°C @ VD = V

DRM

R = 1kΩ的

极限

马克斯。

价值

1.70

500

单位

μA

断态电流，峰值重复

热阻

符号

描述

测试条件

TO-92

日（J -C ）

结到外壳（ AC）

= 0.8A

(RMS)1

SOT-223

SOT-89

TO-92

号（j -a）的

结到环境

= 0.8A

(RMS)1

SOT-223

SOT-89

价值

150

单位

° C / W

60Hz的交流电阻性负载条件下， 100％的导通。

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图1 ：归直流门极触发电流对所有

象限 - 结温

2.0

图2 ：归DC控股电流

- 结温

4.0

= 25°C)

1.5

3.0

= 25°C)

1.0

2.0

比

0.5

比

-40

-15

+25

+65

+105 +125

1.0

0.0

-55

-35

-15

+25

+45

+65

+85

+105 +125

结温（T

) - °C

结温（T

) - °C

图3 ：归直流栅极触发电压

- 结温

1.0

图4 ：功耗（典型值）

VS. RMS通态电流

0.8

通态平均功耗[P

D（ AV ）

] - 沃茨

电流波形：正弦

负载：阻性或感性

导通角： 180

0.9

0.8

门极触发电压（V

) - V

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

-40

-25

-10

+20

+35

+50

+65

+80

+95 +110 +125

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

结温（T

) - °C

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

RMS通态电流[I

T（ RMS ）

] - 安培

图5 ：最大允许外壳温度

与通态电流

130

最大允许外壳温度（T

) - C

电流波形：正弦

负载：阻性或感性

导通角： 180

外壳温度：测量

在三维图中所示

120

110

100

TO-92

0.0

0.1

0.2

0.3

SOT- 223 & SOT- 89

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

RMS通态电流[I

T（ RMS ）

] - 安培

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图6 ：浪涌峰值通态电流与周期数

峰值浪涌（不重复）通态电流

牛逼S M

） - 安培。

电源频率： 60Hz的正弦

负载：阻性

RMS通态电流[I

T（ RMS ）

] ：最大额定值时

特定网络C的温度

注意事项：

以下浪涌电流的时间间隔。

2.超载，不得重复进行，直到结

温度恢复到稳态额定值。

0. 8

IC （E S）

6 7 8 9 10

60 80 100

200

300 400 600

1000

浪涌电流持续时间 - 完整周期

焊接参数

再溢流条件

- 最低温度（T

秒（分钟）

)

前热火

- 最高温度（T

S（ MAX）的

)

- 时间（最小至最大）（T

)

平均倾斜上升率（液相线温度）

）峰

S（ MAX）的

给T

- 升温速率

再溢流

- 温度（T

）（液相）

- 时间（最小至最大）（T

)

260

+0/-5

°C

5 ° C /秒

217°C

150°C

200°C

峰值温度（T

)

在5 ℃，实际峰值的时间

温度（T

)

下降斜率

时间25 ° C到峰值温度（T

)

不超过

5 ° C /秒

最多8分钟。

280°C

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身体特定网络阳离子

终端完成

100 ％雾锡电镀。

UL认可的环氧会议FL可燃性

分类科幻阳离子94V- 0 。

铜合金

可靠性/环境试验

TEST

AC阻塞

说明和条件

MIL -STD - 750 ， M- 1040 ，电导率一个应用

AC峰值电压@ 110℃ 1008小时

MIL -STD - 750 ， M- 1051 ，

100次; -40 ° C至+ 150°C ; 15分钟

停留时间

EIA / JEDEC ， JESD22- A101

1008小时; 320V - 直流： 85°C ; 85 ％

相对湿度

MIL -STD - 750 ， M- 1031 ，

1008小时; 150℃

1008小时; -40°C

MIL -STD - 750 ， M- 1056

10个循环; 0 ℃至100 ℃; 5分钟dwell-

时间在各温度下10秒（最大）

温度之间传输的时间

EIA / JEDEC ， JESD22- A102

168小时（ 121 ℃下以2的自动取款机），并

100 ％R / H

MIL- STD- 750方法2031

ANSI / J- STD- 002 ，类别3 ，试验A

MIL -STD - 750 ， M- 2036电导率é

体

温度循环

铅材料

温度/

湿度

设计注意事项

仔细选择正确的设备的应用程序的

运行参数和环境将很长的路要走

设计实践中应限制的最大连续

当前通过主终端设备的75％

投资评级。其他的方式来确保长寿命的功率分立

半导体是适当的散热和选择

额定电压为最坏的情况下。过热，

过电压（包括的dv / dt ），和浪涌电流

半导体的主要杀手。正确的安装，

焊接和引线的形成也有助于保护

对组件损坏。

高温存储

低温度贮藏

热冲击

高压灭菌器

耐

焊锡热

可焊性

引脚弯曲

尺寸 - TO- 92

英寸

尺寸

民

0.175

0.170

0.500

0.135

0.125

0.080

0.016

0.045

0.095

0.015

典型值

—

0.165

—

0.095

—

0.050

0.100

—

最大

0.205

0.210

—

0.165

0.105

0.021

0.055

0.105

0.020

民

4.450

4.320

12.700

3.430

3.180

2.040

0.407

1.150

2.420

0.380

典型值

—

4.190

—

2.400

—

1.270

2.540

—

最大

5.200

5.330

—

4.190

2.660

0.533

1.390

2.660

0.500

MILLIMETERS

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