ツインダイオード
双二极管
面実装デバイスアレイ型
表面贴装器件二极管阵列
■外½寸法図OUTLINE
尺寸
Package：1NA
单位：mm
Weight：0.29g
（典型值）。
（1.5）
（1.2）
（8.7）
0.25
±0.1
1.0
±0.2
1.0
±0.2
6.5
±0.2
10
±0.3
2.6
±0.2
S1NAD80
800V 3A
特長
●小型面実装
●ツイン
●耐湿性に優れ高信頼
●自動実装対応
品名略号
型号
極性記号
终端方向
④
①
クラス
类
④ ①
A K
公元80年
014N
③ ②
③
3.4
±0.2
管理番号
（例）
控制号
5.08
±0.2
6.8
±0.2
②
0.9
±0.15
ロット記号
（例）
（5.1）
日期代码
½ルダーリングパッドの参考パターン
标准焊垫
C0.8
2.5
±0.1
0.15
特征
●小型SMD
●双迪
●高可靠性
●对于自动安装
（½品上の表示については、捺印仕様をご確認ください）
■定格表
评级
項 目
项
記号
条 件
符号条件
T
英镑
T
j
V
RM
I
O
I
FSM
I
t
2
●絶対最大定格
绝对最大额定值（
指定のない場合は
TL = 25 ℃ /
除非另有说明
）
品 名
型号
0.1
±0.1
S1NAD80
55150
150
800
単½
单位
℃
℃
V
A
A
A
2
s
保存温度
储存温度
接合部温度
工作结温
せん頭逆電圧
最大反向电压
出力電流
平均正向电流整流
せん頭サージ順電流
峰值正向电流浪涌
電流二乗時間積
电流的平方时间
50Hz的正弦波，抵抗负荷，プリント基板実装，
50Hz正弦波，阻性负载，
在玻璃环氧基板，
Tl=102℃
Ta=31℃
3
1.5
110
60
50Hz的正弦波，非缲り返し1サイクルせん头値， TJ = 25 ℃
50Hz正弦波，不重复回循环峰值， TJ = 25 ？
为1ms ≦吨\u003c 10ms的TJ = 25 ℃
●电気的·热的特性电气
特性（
指定のない場合は
TL = 25 ℃ /
除非另有说明
）
順電圧
正向电压
逆電流
反向电流
熱抵抗
热阻
V
F
I
R
θJL
θJA
2
I
F=
0.75A,
V
R =
800V,
パルス測定，一素子½たりの規格値
脉冲测量，每二极管
パルス測定，一素子½たりの規格値
脉冲测量，每二极管
最大
最大
最大
最大
1.05
10
15
84
V
μA
℃/W
接合部リード間，プリント基板実装
交界处领导，在玻璃环氧基板
接合部周囲間，プリント基板実装
1
结点到环境，在玻璃环氧基板
*
*
1：銅箔パターン101mm
区域
铜焊垫
101mm
2
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S1NAD80
■特性図特性
图表
順方向特性
順電力損失曲線
せん頭サージ電流耐量
正向电压
10
前向功率耗散
3.5
峰值正向电流浪涌能力
150
峰值浪涌正向电流I
FSM
〔A〕
正向功耗P
F
〔W〕
正向电流I
F
〔A〕
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
1
TL = 150 ℃
typ
TL = 25 ℃
typ
〔
Tj=150℃
正弦波
的R - 负载
单相整流
〔
正弦波
0
I
FSM
10毫秒10毫秒
100
〔
1cycle
不重复
Tj＝25℃
〔
0.1
50
0.01
〔
0.001
0
0.5
1
脉冲测量
〔
2
1.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
1
10
100
正向电压V
F
〔V〕
平均整流器ED正向电流I
O
〔A〕
周期数
ディ
レーティ
ングカーブ
Ta
Io
降额曲线的Ta
Io
平均整流器ED正向电流I
O
〔A〕
2
ディ
レーティ
ングカーブ
TLー木卫一
降额曲线铊ー木卫一
平均整流器ED正向电流I
O
〔A〕
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
〔
1
正弦波
的R - 负载
单相整流
〔
1.5
〔
正弦波
的R - 负载
单相整流
〔
0.5
在玻璃环氧基板
焊接土地： 1.2毫米
导体层： 35μ
模式区： 101毫米
2
在玻璃环氧基板
焊接土地： 1.2毫米
导体层： 35μ
模式区： 101毫米
2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度Ta ℃〕
〔
铅温度TL ℃〕
〔
·正弦波50赫兹はで测定しています。
* 50Hz正弦波用于测量。
半導½½品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typicalは統計的な実力を表しています。
·半导体产品通常都具有的特性变化。典型的是一个统计平均
的设备的能力。
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