STS4DNFS30L
N沟道30V - 0.044Ω - 4A SO- 8
的STripFET MOSFET PLUS肖特基整流器
一般特点
MOSFET
V
DSS
30V
肖特基
I
F（ AV ）
3A
R
DS （ ON）
<0.056
V
RRM
30V
I
D
4A
V
F（ MAX）的
0.51V
S0-8
描述
该产品相关联的最新的低电压
的STripFET n沟道版本低压降
肖特基二极管。这样的配置是非常
多才多艺的实施，种类繁多的DC-
DC转换器用于打印机，便携式设备，
和蜂窝电话。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STS4DNFS30L
记号
S4DNFS30L
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
2007年1月
转4
1/12
www.st.com
12
目录
STS4DNFS30L
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
电气特性
STS4DNFS30L
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
=125°C
V
GS
= ±16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 2A
V
GS
= 5V ，我
D
= 2A
1
0.044
0.051
0.055
0.065
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 24V ，我
D
= 4A,
V
GS
= 5V
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
=2A
分钟。
典型值。
5
330
90
40
6.5
3.6
2
9
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 。
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
=2A,
R
G
=4.7, V
GS
=5V
（参见图12）
V
DD
= 15 V，I
D
=2A,
R
G
=4.7, V
GS
=5V
（参见图12）
分钟。
典型值。
11
100
25
22
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
4/12
STS4DNFS30L
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 4A ，V
GS
= 0
I
SD
= 4A ，V
DD
= 15V
的di / dt = 100A / μs的，
T
j
= 150°C
（参见图14）
35
25
1.4
测试条件
民
典型值。
最大
4
16
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/12
QQ：2881677436 复制
