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半导体
S45S58
低噪声单运放
描述
特点
该S45S58是单片集成电路设计为单运算放大器。
消耗功率小至约50mW的(典型值)。
内置输出短路保护电路。
内部相位消费类型。
无闩锁
宽相同相位模式和差分电压范围
高增益。低噪音
应用
主动滤池
音频放大器
压控振荡器
其它电子电路
订购信息
型号
S45S58
记号
458
封装代码
SOT-25
外形尺寸
2.1 BSC
1.25 BSC
单位:
mm
1
2
0.15~0.30
5
1.30 BSC
2.0 BSC
框图
3
4
0.25分钟。
0.1~0.25
0.9±0.1
0~0.1
KSI-2014-000
1
S45S58
绝对最大额定值
特征
电源电压
差分输入电压
输入电压
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
CC
V
IND
V
IN
P
D
T
OPR
T
英镑
评级
36或
±
18
30
±15
300
-45 ~ +85
-55 ~ +150
单位
V
V
V
mW
°C
°C
电气特性
(除非另有规定:V
CC
= +15V, V
EE
= -15V和Ta =
2
5
°C
)
特征
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
输入共模
电压范围
最大输出电压
符号
V
IOS
I
IOS
I
IB
V
ICR
V
OM
G
V
CMRR
测试条件
Rg
≤10
-
-
-
R
L
≥10
R
L
≥2
VOUT = ± 10V , RL≥2
Rg
≤10
分钟。
-
-
-
±12
±12
±10
86
70
典型值。马克斯。
0.5
5
60
±14
±14
±13
100
90
6
200
500
-
-
-
-
-
单位
mV
nA
nA
V
V
V
dB
dB
大信号电压增益
共模
抑制比
电源
抑制比
压摆率
电源电流
等效输入
噪声电压
源出电流
灌电流
PSRR
SR
I
CC
V
NI
I
来源
I
SINK
Rg
≤10
G
V
=1, R
L
≥2
-
RIAA ,R
S
=1
,
f=30
~30
-
-
-
-
-
-
27
27
30
1.0
4.0
2.5
-
-
150
-
6.0
-
-
-
UV / V
V /美
mA
uVrms
mA
mA
KSI-2014-000
2
S45S58
电气特性曲线
图。 1个G
V
- f
图。 2 V
OP -P
- f
图。 3我
IB
- T
a
图。 4 V
OM
- V
CC,
V
EE
图。 5 V
OP -P
- R
L
图。 6 V
NI
- f
KSI-2014-000
3
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