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S3C8275/F8275/C8278
/F8278/C8274/F8274
8位CMOS
微控制器
用户手册
修订版1.2
重要通知
本出版物中的信息已经过仔细
检查,被认为是完全精确的
发布时间。三星不承担任何
责任,但是,对于可能发生的错误或
遗漏,或造成的任何后果
使用的信息包含在本文中。
三星有权作出变更的权利的
产品或产品规格以意向
改善功能或设计,在任何时候,不
注意到,并不需要来更新这
文件以反映这些变化。
本刊物并没有传达给买家
本文的任何许可描述半导体器件
根据三星或他人的专利权。
三星不作任何保证,声明或
保证对其产品是否适合
任何特定目的,也不认为三星
所产生的任何应用程序或使用任何责任
产品或电路并明确拒绝承担任何和
所有责任,包括但不限于任何
间接或附带损失。
"Typical"参数可以做不同在不同的
应用程序。所有的操作参数,其中包括
"Typicals"必须为每一个客户进行验证
应用程序由客户的技术专家。
三星产品不是设计,意,或
授权用作系统组件
打算通过外科手术移植到体内,其他
拟申请支持或维持生命,或
任何其它的应用程序,其中的失效
三星的产品可能会造成这样一种情况
可能发生的人身伤害或死亡。
如果买方购买或使用了三星
产品的任何意外或未经授权
申请时,买方应赔偿并持有
三星和其职员,雇员,子公司,
联营公司及分销商对所有索赔,
费用,损失,费用和合理的律师
无论是直接或间接的任何所产生的,费
人身伤害或死亡的说法可能是
与此类意外或未经授权的使用有关,
即使此类索赔称,三星是
疏忽就设计或制造的说
产品。
S3C8275 / F8275 / C8278 / F8278 / C8274 / F8274的8位CMOS微控制器
用户手册,修订版1.2
公开号: 21.2 - S3 - C8275 / F8275 / C8278 / F8278 / C8274 / F8274-082005
2005三星电子
版权所有。本出版物的任何部分进行复制,存储在检索系统中,或以任何传播
形式或任何方式,电子或机械方式,通过影印,录制或其他方式,没有事先书面
三星电子的同意。
三星电子的微控制器业务已获得完整的ISO -14001
认证( BSI认证号FM24653 ) 。所有半导体产品
设计并按照最高的质量标准。制造和
的目标。
三星电子有限公司
圣# 24 Nongseo里, Giheung-邑
龙仁市,京畿道,韩国
C.P.O.盒# 37 ,水原449-900
TEL : ( 82 ) - ( 031 ) -209-1934
FAX : ( 82 ) - ( 031 ) -209-1889
首页 - 网页网址: Http://www.samsungsemi.com
印在韩国
通知订正
发起人:
产品名称:
文档名称:
文档编号:
生效日期:
摘要:
三星电子, LSI开发集团,奇香,韩国
S3C8275 / F8275 / C8278 / F8278 / C8274 / F8274 8位CMOS微控制器
S3C8275 / F8275 / C8278 / F8278 / C8274 / F8274用户手册,修订版1.2
21.2 - S3- C8275 / F8275 / C8278 / F8278 / C8274 / F8274 -082005
2005年8月,
作为额外的产品测试和评估,部分规格结果
发表在S3C8275 / F8275 / C8278 / F8278 / C8274 / F8274用户手册,
第1次修订,已被更改。这些变化对S3C8275 / F8275 / C8278 /
F8278 / C8274 / F8274微控制器,它被详细地描述
修订说明
以下部分中,都涉及到
如下:
第16章嵌入式闪存接口
第17章电气数据
方向:
请注意, S3C8275 / F8275 / C8278在您的副本(复印件)的更改/
F8278 / C8274 / F8274用户手册,修订1。或者,简单地将
调整
说明
下页为S3C8275 / F8275 / C8278 / F8278 / C8274 / F8274的
用户手册,修订1 。
修订历史
调整
0
1
1.1
1.2
日期
2005年2月,
2005年4月,
2005年7月
2005年8月,
备注
初步规格仅供内部发行。
第一个版本。来自Finechips 。
第二版。来自Finechips 。
第三版。来自Finechips 。
修订说明
1.电气数据
表17-12 。 AC电气特性的内部闪存ROM
(T
A
= – 25
°
C至+ 85
°
C,V
DD
= 2.0 V至3.6 V)
参数
编程时间
(1)
芯片擦除时间
(2)
部门擦除时间
(3)
数据访问时间
写入/擦除次数
符号
FTP
Ftp1
Ftp2
Ft
RS
FNwe
条件
30
10
10
典型值
25
最大
10,000
(4)
单位
s
ms
ms
ns
注意事项:
1.编程时间是在此期间, 1字节(8位)被编程的时间。
2.芯片擦除时间是在此期间,所有16K字节的块擦除时间。
3.部门擦除时间是在此期间,所有128个字节的块擦除时间。
4.
写入/擦除的最大数量为10000次全闪光( S3F8275 )和100倍半闪光
(S3F8278/F8274).
5.芯片擦除是在工具编程模式下可用唯一一句。
2.条件工作电压
工作电压条件被修改“FX = 0 - 4.2MHz ”到“ FX = 0.4 - 4.2MHz ”在2.0V - 3.6V和“ FX = 0-8MHz ”
以“FX = 0.4 - 8MHz的”在2.5V - 3.6V在页面17-2 。
3.有关章节16.嵌入式闪存接口
本章将被修改为只S3F8275 。
前言
该S3C8275 / F8275 / C8278 / F8278 / C8274 / F8274
微控制器用户手册
被设计用于应用程序设计者
和谁正在使用S3C8275 / F8275程序员/ C8278 / F8278 / C8274 / F8274微控制器的应用
发展。它分为两个主要部分:
第I部
编程模型
第二部分
硬件说明
第一部分包含了与软件相关的信息,以帮助您熟悉的微控制器的架构,编程
模型,指令集和中断结构。它有六个章节:
第1章
第2章
第3章
产品概述
地址空间
寻址模式
第4章
第5章
第6章
控制寄存器
中断结构
指令集
第1章, "Product概述, "是一个高层次的介绍S3C8275 / F8275 / C8278 / F8278 / C8274 / F8274与
一般的产品说明,以及有关各个引脚的特性和引脚电路类型的详细信息。
第2章, "Address空间, "描述的程序和数据存储空间,内部寄存器文件,并注册
寻址。第2章还介绍了工作寄存器寻址,以及系统堆栈和用户自定义堆栈
操作。
第3章, "Addressing模式, "包含由该支持的寻址模式的详细描述
S3C8系列CPU 。
第4章, "Control寄存器, "包含所有映射的系统和外围控制寄存器的值概况表,
以标准化的格式以及详细的单页的描述。您可以使用这些易于阅读,按字母顺序
组织,编写程序时寄存器说明作为一个快速参考资源。
第5章, "Interrupt结构, "描述了S3C8275 / F8275 / C8278 / F8278 / C8274 / F8274的中断结构
细节,并进一步为您准备在各个硬件模块的说明介绍的其他信息
第二部分。
第6章, "Instruction集, "描述了用于所有S3C8系列的功能和指令集的约定
微控制器。几个汇总表给出了方向和参考。每个的详细说明
指令都以标准格式。每条指令的描述包括一个或多个实际的例子
的写一个应用程序时如何使用该指令。
一个基本的了解,在第一部分中的信息,我会帮助你了解在部分硬件模块的说明
II 。如果你还不熟悉S3C8系列微控制器系列,并正在阅读本手册的第一次,
我们建议您先阅读第1-3章仔细。然后,简单地查看章节中的详细信息
4 , 5和6之后,你可以参考的资料在我的必要组成部分。
有关的特定硬件组件第二部分"hardware描述, "有详细的信息
S3C8275 / F8275 / C8278 / F8278 / C8274 / F8274微控制器。还包括第二部分是电气,机械,闪光
MCU及开发工具的数据。它有14个章节:
第7章
第8章
第九章
第10章
第11章
第12章
第13章
时钟电路
复位和掉电
I / O端口
基本定时器
定时器1
钟表定时器
LCD控制器/驱动器
第14章
第15章
第16章
第17章
第18章
第19章
第20章
串行I / O接口
电池电量检测器
嵌入式闪存接口
电气数据
机械数据
S3F8275 / F8278 / F8274闪存MCU
开发工具
两个订单都包含在本手册的后面,以方便客户订单
S3C8275 / F8275 / C8278 / F8278 / C8274 / F8274微控制器:掩膜ROM订单,以及掩膜选项
选择表。你可以复印这些表格,填写出来,然后将它们转发到当地的三星销售
代表性。
S3C8275 / F8275 / C8278 / F8278 / C8274 / F8274微控制器
iii
S3C8275/F8275/C8278
/F8278/C8274/F8274
8位CMOS
微控制器
用户手册
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本出版物中的信息已经过仔细
检查,被认为是完全精确的
发布时间。三星不承担任何
责任,但是,对于可能发生的错误或
遗漏,或造成的任何后果
使用的信息包含在本文中。
三星有权作出变更的权利的
产品或产品规格以意向
改善功能或设计,在任何时候,不
注意到,并不需要来更新这
文件以反映这些变化。
本刊物并没有传达给买家
本文的任何许可描述半导体器件
根据三星或他人的专利权。
三星不作任何保证,声明或
保证对其产品是否适合
任何特定目的,也不认为三星
所产生的任何应用程序或使用任何责任
产品或电路并明确拒绝承担任何和
所有责任,包括但不限于任何
间接或附带损失。
"Typical"参数可以做不同在不同的
应用程序。所有的操作参数,其中包括
"Typicals"必须为每一个客户进行验证
应用程序由客户的技术专家。
三星产品不是设计,意,或
授权用作系统组件
打算通过外科手术移植到体内,其他
拟申请支持或维持生命,或
任何其它的应用程序,其中的失效
三星的产品可能会造成这样一种情况
可能发生的人身伤害或死亡。
如果买方购买或使用了三星
产品的任何意外或未经授权
申请时,买方应赔偿并持有
三星和其职员,雇员,子公司,
联营公司及分销商对所有索赔,
费用,损失,费用和合理的律师
无论是直接或间接的任何所产生的,费
人身伤害或死亡的说法可能是
与此类意外或未经授权的使用有关,
即使此类索赔称,三星是
疏忽就设计或制造的说
产品。
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2005三星电子
版权所有。本出版物的任何部分进行复制,存储在检索系统中,或以任何传播
形式或任何方式,电子或机械方式,通过影印,录制或其他方式,没有事先书面
三星电子的同意。
三星电子的微控制器业务已获得完整的ISO -14001
认证( BSI认证号FM24653 ) 。所有半导体产品
设计并按照最高的质量标准。制造和
的目标。
三星电子有限公司
圣# 24 Nongseo里, Giheung-邑
龙仁市,京畿道,韩国
C.P.O.盒# 37 ,水原449-900
TEL : ( 82 ) - ( 031 ) -209-1934
FAX : ( 82 ) - ( 031 ) -209-1889
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印在韩国
通知订正
发起人:
产品名称:
文档名称:
文档编号:
生效日期:
摘要:
三星电子, LSI开发集团,奇香,韩国
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S3C8275 / F8275 / C8278 / F8278 / C8274 / F8274用户手册,修订版1.2
21.2 - S3- C8275 / F8275 / C8278 / F8278 / C8274 / F8274 -082005
2005年8月,
作为额外的产品测试和评估,部分规格结果
发表在S3C8275 / F8275 / C8278 / F8278 / C8274 / F8274用户手册,
第1次修订,已被更改。这些变化对S3C8275 / F8275 / C8278 /
F8278 / C8274 / F8274微控制器,它被详细地描述
修订说明
以下部分中,都涉及到
如下:
第16章嵌入式闪存接口
第17章电气数据
方向:
请注意, S3C8275 / F8275 / C8278在您的副本(复印件)的更改/
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调整
说明
下页为S3C8275 / F8275 / C8278 / F8278 / C8274 / F8274的
用户手册,修订1 。
修订历史
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1
1.1
1.2
日期
2005年2月,
2005年4月,
2005年7月
2005年8月,
备注
初步规格仅供内部发行。
第一个版本。来自Finechips 。
第二版。来自Finechips 。
第三版。来自Finechips 。
修订说明
1.电气数据
表17-12 。 AC电气特性的内部闪存ROM
(T
A
= – 25
°
C至+ 85
°
C,V
DD
= 2.0 V至3.6 V)
参数
编程时间
(1)
芯片擦除时间
(2)
部门擦除时间
(3)
数据访问时间
写入/擦除次数
符号
FTP
Ftp1
Ftp2
Ft
RS
FNwe
条件
30
10
10
典型值
25
最大
10,000
(4)
单位
s
ms
ms
ns
注意事项:
1.编程时间是在此期间, 1字节(8位)被编程的时间。
2.芯片擦除时间是在此期间,所有16K字节的块擦除时间。
3.部门擦除时间是在此期间,所有128个字节的块擦除时间。
4.
写入/擦除的最大数量为10000次全闪光( S3F8275 )和100倍半闪光
(S3F8278/F8274).
5.芯片擦除是在工具编程模式下可用唯一一句。
2.条件工作电压
工作电压条件被修改“FX = 0 - 4.2MHz ”到“ FX = 0.4 - 4.2MHz ”在2.0V - 3.6V和“ FX = 0-8MHz ”
以“FX = 0.4 - 8MHz的”在2.5V - 3.6V在页面17-2 。
3.有关章节16.嵌入式闪存接口
本章将被修改为只S3F8275 。
前言
该S3C8275 / F8275 / C8278 / F8278 / C8274 / F8274
微控制器用户手册
被设计用于应用程序设计者
和谁正在使用S3C8275 / F8275程序员/ C8278 / F8278 / C8274 / F8274微控制器的应用
发展。它分为两个主要部分:
第I部
编程模型
第二部分
硬件说明
第一部分包含了与软件相关的信息,以帮助您熟悉的微控制器的架构,编程
模型,指令集和中断结构。它有六个章节:
第1章
第2章
第3章
产品概述
地址空间
寻址模式
第4章
第5章
第6章
控制寄存器
中断结构
指令集
第1章, "Product概述, "是一个高层次的介绍S3C8275 / F8275 / C8278 / F8278 / C8274 / F8274与
一般的产品说明,以及有关各个引脚的特性和引脚电路类型的详细信息。
第2章, "Address空间, "描述的程序和数据存储空间,内部寄存器文件,并注册
寻址。第2章还介绍了工作寄存器寻址,以及系统堆栈和用户自定义堆栈
操作。
第3章, "Addressing模式, "包含由该支持的寻址模式的详细描述
S3C8系列CPU 。
第4章, "Control寄存器, "包含所有映射的系统和外围控制寄存器的值概况表,
以标准化的格式以及详细的单页的描述。您可以使用这些易于阅读,按字母顺序
组织,编写程序时寄存器说明作为一个快速参考资源。
第5章, "Interrupt结构, "描述了S3C8275 / F8275 / C8278 / F8278 / C8274 / F8274的中断结构
细节,并进一步为您准备在各个硬件模块的说明介绍的其他信息
第二部分。
第6章, "Instruction集, "描述了用于所有S3C8系列的功能和指令集的约定
微控制器。几个汇总表给出了方向和参考。每个的详细说明
指令都以标准格式。每条指令的描述包括一个或多个实际的例子
的写一个应用程序时如何使用该指令。
一个基本的了解,在第一部分中的信息,我会帮助你了解在部分硬件模块的说明
II 。如果你还不熟悉S3C8系列微控制器系列,并正在阅读本手册的第一次,
我们建议您先阅读第1-3章仔细。然后,简单地查看章节中的详细信息
4 , 5和6之后,你可以参考的资料在我的必要组成部分。
有关的特定硬件组件第二部分"hardware描述, "有详细的信息
S3C8275 / F8275 / C8278 / F8278 / C8274 / F8274微控制器。还包括第二部分是电气,机械,闪光
MCU及开发工具的数据。它有14个章节:
第7章
第8章
第九章
第10章
第11章
第12章
第13章
时钟电路
复位和掉电
I / O端口
基本定时器
定时器1
钟表定时器
LCD控制器/驱动器
第14章
第15章
第16章
第17章
第18章
第19章
第20章
串行I / O接口
电池电量检测器
嵌入式闪存接口
电气数据
机械数据
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开发工具
两个订单都包含在本手册的后面,以方便客户订单
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选择表。你可以复印这些表格,填写出来,然后将它们转发到当地的三星销售
代表性。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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